Способ изготовления контактных столбиков для межсоединений интегральных схем, включающий формирование слоя кремния на боковых поверхностях контактного окна в диэлектрическом слое, расположенном на полупроводниковой кремниевой подложке с созданными активными и пассивными элементами и первым проводящим слоем, селективное осаждение вольфрама и нанесение второго проводящего слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных интегральных схем и снижения трудоемкости за счет сокращения длительности процесса формирования контактного столбика, слой кремния формируют до полного заполнения контактного окна, а осаждение вольфрама проводят из парогазовой смеси гексафторида вольфрама с инертным газом при соотношении ингредиентов 1/50-1/3 при 400-550°C и давлении 35-266 Па в течение 30-120 мин.
Похожие патенты:
Изобретение относится к созданию знакосинтезирующей электроники и может быть использовано в автоматике и вычислительной технике в устройствах визуального отображения информации, в частности в жидкокристаллических (ЖК) экранах для контрольно-измерительной аппаратуры, портативных мини ЭВМ, телевизорах и т.д
Изобретение относится к электронной, лазерной и криогенной технике, использующих полупроводниковые кристаллы AIIBVI
Изобретение относится к производству интегральных схем с многоуровневыми межсоединениями
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления полупроводниковых приборов
Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано при исследовании металлов методом микроконтактной спектроскопии, а также при создании чувствительных элементов радиотехнической аппаратуры (детекторов электромагнитного излучения, преобразователей частоты, магнитометров и др.) на основе охлаждаемых точечных контактов
Изобретение относится к MOS полупроводниковому запоминающему устройству, в частности к полупроводниковому устройству, повышающему высокотемпературную стабильность силицида титана, применяемого для изготовления вентильной линии полицида в DRAM (памяти произвольного доступа)
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике
Изобретение относится к электронной технике, более конкретно - к технологии производства интегральных схем (ИС) на кремнии, и может быть использовано для изготовления выпрямляющих и омических контактов к мелкозалегающим p-n переходам и межсоединений
Изобретение относится к микроэлектронике
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при изготовлении твердотельных приборов и их электродов
Изобретение относится к плазменной технологии производства изделий микроэлектроники и может быть использовано для процесса металлизации структур с субмикронными размерами элементов
Изобретение относится к области электронной техники, микроэлектроники и может быть использовано для формирования поверхностных омических контактов в тонкопленочных полевых транзисторах, элементах памяти, солнечных элементах на барьере типа Шоттки и др
