Способ изготовления пленочных токопроводящих дорожек

Авторы патента:

H01L21/28 - изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов и устройств, не предусмотренных в H01L 21/20-H01L 21/268

Способ изготовления пленочных токопроводящих дорожек, включающий напыление сплава алюминия с марганцем, литографию, травление, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы токопроводящих дорожек за счет повышения их стойкости к электродеградации и улучшения качества их поверхности, в качестве сплава используют следующий, ат.%: марганец 17, алюминий - остальное.

Изобретение относится к электронной, лазерной и криогенной технике, использующих полупроводниковые кристаллы AIIBVI

Способ создания омических контактов к кремнию // 1709864

Способ изготовления межсоединений интегральных схем // 1695777

Изобретение относится к производству интегральных схем с многоуровневыми межсоединениями

Способ создания металлизации полупроводниковых приборов // 1679911

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления полупроводниковых приборов

Устройство для получения охлаждаемого точечного контакта между металлическими электродами // 1631626

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано при исследовании металлов методом микроконтактной спектроскопии, а также при создании чувствительных элементов радиотехнической аппаратуры (детекторов электромагнитного излучения, преобразователей частоты, магнитометров и др.) на основе охлаждаемых точечных контактов

Устройство для напыления омических контактов полупроводниковых элементов // 1624564

Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению и может быть использовано при получении омических контактов электронно-лучевым напылением в вакууме

Способ соединения кремниевой структуры с термокомпенсатором // 1623492

Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов // 1616429

Способ изготовления золотоалюминиевых термокомпрессионных соединений // 1604089

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных схем

Способ получения контактов к кремниевой подложке // 1602279

Изобретение относится к электронной промышленности, а именно к способам получения контактов к кремниевой подложке

Полупроводниковое устройство, обладающее двухслойной силицидной структурой и способы его изготовления /варианты/ // 2113034

Изобретение относится к MOS полупроводниковому запоминающему устройству, в частности к полупроводниковому устройству, повышающему высокотемпературную стабильность силицида титана, применяемого для изготовления вентильной линии полицида в DRAM (памяти произвольного доступа)

Способ магнетронного распыления // 2114487

Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Способ изготовления полупроводниковых приборов // 2131631

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2152108

Изобретение относится к электронной технике, более конкретно - к технологии производства интегральных схем (ИС) на кремнии, и может быть использовано для изготовления выпрямляющих и омических контактов к мелкозалегающим p-n переходам и межсоединений

Омическая контактная структура полупроводникового прибора и способ ее изготовления // 2155417

Способ изготовления элементов структур очень малого размера на полупроводниковой подложке // 2168797

Изобретение относится к микроэлектронике

Способ изготовления твердотельного прибора // 2189088

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при изготовлении твердотельных приборов и их электродов

Способ формирования проводящего элемента нанометровых размеров // 2194334

Способ напыления рельефных подложек // 2229182

Изобретение относится к плазменной технологии производства изделий микроэлектроники и может быть использовано для процесса металлизации структур с субмикронными размерами элементов

Способ создания омических контактов в тонкопленочных устройствах на аморфных гидрогенизированных полупроводниках // 2229755

Изобретение относится к области электронной техники, микроэлектроники и может быть использовано для формирования поверхностных омических контактов в тонкопленочных полевых транзисторах, элементах памяти, солнечных элементах на барьере типа Шоттки и др