Сплав для омических контактов кремниевых структур

Авторы патента:

H01L21/28 - изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов и устройств, не предусмотренных в H01L 21/20-H01L 21/268

Сплав для омических контактов кремниевых структур, содержащий кремний, никель, фосфор, алюминий, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода выпрямительных элементов на основе кремниевых структур на операции сплавления путем повышения технологической пластичности при одновременном снижении максимальной величины локального отклонения пиков вплавления относительно плоскости фронта вплавления силумина в кремний, он содержит указанные компоненты в следующем соотношении, мас.%: Кремний - 15 - 22 Никель - 0,025 - 0,2 Фосфор - 0,0022 - 0,02 Алюминий - Остальное

Способ изготовления пленочных токопроводящих дорожек // 1725701

Способ создания контактных слоев на поверхности оптических полупроводниковых кристаллов типа aiibvi // 1725700

Изобретение относится к электронной, лазерной и криогенной технике, использующих полупроводниковые кристаллы AIIBVI

Способ создания омических контактов к кремнию // 1709864

Способ изготовления межсоединений интегральных схем // 1695777

Изобретение относится к производству интегральных схем с многоуровневыми межсоединениями

Способ создания металлизации полупроводниковых приборов // 1679911

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления полупроводниковых приборов

Устройство для получения охлаждаемого точечного контакта между металлическими электродами // 1631626

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано при исследовании металлов методом микроконтактной спектроскопии, а также при создании чувствительных элементов радиотехнической аппаратуры (детекторов электромагнитного излучения, преобразователей частоты, магнитометров и др.) на основе охлаждаемых точечных контактов

Устройство для напыления омических контактов полупроводниковых элементов // 1624564

Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению и может быть использовано при получении омических контактов электронно-лучевым напылением в вакууме

Способ соединения кремниевой структуры с термокомпенсатором // 1623492

Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов // 1616429

Полупроводниковое устройство, обладающее двухслойной силицидной структурой и способы его изготовления /варианты/ // 2113034

Изобретение относится к MOS полупроводниковому запоминающему устройству, в частности к полупроводниковому устройству, повышающему высокотемпературную стабильность силицида титана, применяемого для изготовления вентильной линии полицида в DRAM (памяти произвольного доступа)

Способ магнетронного распыления // 2114487

Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Способ изготовления полупроводниковых приборов // 2131631

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2152108

Изобретение относится к электронной технике, более конкретно - к технологии производства интегральных схем (ИС) на кремнии, и может быть использовано для изготовления выпрямляющих и омических контактов к мелкозалегающим p-n переходам и межсоединений

Омическая контактная структура полупроводникового прибора и способ ее изготовления // 2155417

Способ изготовления элементов структур очень малого размера на полупроводниковой подложке // 2168797

Изобретение относится к микроэлектронике

Способ изготовления твердотельного прибора // 2189088

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при изготовлении твердотельных приборов и их электродов

Способ формирования проводящего элемента нанометровых размеров // 2194334

Способ напыления рельефных подложек // 2229182

Изобретение относится к плазменной технологии производства изделий микроэлектроники и может быть использовано для процесса металлизации структур с субмикронными размерами элементов

Способ создания омических контактов в тонкопленочных устройствах на аморфных гидрогенизированных полупроводниках // 2229755

Изобретение относится к области электронной техники, микроэлектроники и может быть использовано для формирования поверхностных омических контактов в тонкопленочных полевых транзисторах, элементах памяти, солнечных элементах на барьере типа Шоттки и др