Способ получения высокотемпературных сверхпроводящих покрытий

 

Способ получения высокотемпературных сверхпроводящих покрытий на подложках из поликристаллической окиси алюминия, включающий приготовление суспензии из YBa2Cu3O7, формирование покрытия и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения критических параметров, перед формированием покрытия формируют промежуточный слой путем нанесения суспензии на подложку и термообработки при 1100 - 1200oС в течение 5 - 20 мин с последующей закалкой при комнатной температуре.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технической физике, а именно к области измерения тепловых потоков излучения, в частности к тепловым приемникам излучения, работающим при низких температурах

Изобретение относится к способу нанесения тонкослойных покрытий из сверхпроводящих материалов на подложку

Изобретение относится к электронике, а именно к получению на поликоровых (поликристаллический Al2О3) подложках токопроводящих элементов и покрытий в виде толстых пленок на основе соединений системы Bi-Sr-Ca-Cu-O, обладающих сверхпроводимостью при температурах выше температуры кипения жидкого азота (высокотемпературная сверхпроводимость ВТСП)

Изобретение относится к сверхпроводимости

Изобретение относится к способам получения сверхпроводящего тонкого слоя из оксидного материала

Изобретение относится к криогенной микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении электронных приборов и устройств, работа которых основана на сверхпроводимости и эффекте Джозефсона, с рабочей температурой вблизи температуры кипения жидкого азота и характеристиками, неуступающими характеристикам аналогов, работающих при температуре 4,2 K

Изобретение относится к криогенной микроэлектронике и может быть использовано для изготовления электронных приборов и устройств, работающих в сверхвысокочастотном диапазоне частот, с уровнем собственных шумов, приближающимся к квантовому порогу, работа которых основана на явлении высокотемпературной сверхпроводимости и эффекте Джозефсона, с рабочей температурой вблизи температуры кипения жидкого азота и характеристиками, неуступающими характеристикам аналогов, работающих при температуре 4,2 К

Изобретение относится к области измерительной техники, а точнее к способам измерения параметров сверхпроводящих материалов, в частности силы пиннинга
Изобретение относится к области получения сверхпроводников, сверхпроводящих композиций и проводников на их основе

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при производстве интегральных схем и гибридных интегральных схемах для изготовления сверхпроводящих квантовых интерференционных детекторов и других высокотемпературных сверхпроводящих толстопленочных элементов
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов сверхпроводниковых соединений для производства устройств сверхпроводниковой электроники
Изобретение относится к сверхпроводниковой технике, в частности к формированию структуры типа SIS
Наверх