Патент ссср 181383

 

О П И С А Н И Е Ial383

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Социалистическил

Республик

Зависимое от авт, свидетельства ¹

Кл. 42m, 14/02

Заявлено 20.IV.1965 (№ 1003394/26-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 15.IV.1966. Бюллетень № 9

МПК G 061

УДК 681,142.07 (088.8) комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР Дата опубликования описания 31 V.1966

ЛШ. ЧОМБЕ Я

ПР.;ТЕИ11,0

Т" Х111тт1 -С - АЯ

БИБЛИОТЕКА

Авторы изобретения ф П Галецкии и Л. А. Любович

Заявитель

ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ «НŠ— ИЛИ» НА ТУННЕЛЬНЫХ

И ОБРАЩЕННЫХ ДИОДАХ

Предмет изобретения

Известны логические элементы «НЕ—

ИЛИ» на туннельных и обращенных диодах.

Предлагаемый элемент содержит запоминающую ячейку на туннельном диоде, в зависимости от состояния которой изменяется проводимость управляющего обращенного диода.

Для увеличения коэффициента разветвления запоминающая ячейка соединена с выходным формирователем цепочкой из двух встречно включенных обращенных диодов, емкости и управляющего обращенного диода, присоединенного одним электродом к точке соединения одного из диодов и емкости, а другим— к общей шине, Злемент имеет больший коэффициент усиления, а следовательно, больший коэффициент разветвления, чем известные элементы.

Принципиальная электрическая схема элемента приведена на чертеже.

Схема содержит: запоминающую ячейку, образованную из туннельного диода 1 и сопротивления 2; выходной формирователь, состоящий из туннельного диода 8, сопротивления 4 и обращенного диода 5; управляющий обращенный диод б. Через цепочку связи, состоящую из обращенного диода 7, сопротивления 8 и обращенного диода 9, осуществляется управление проводимостью управляющего обращенного диода б в зависимости от состояния запоминающей ячейки. Устройство работает следующим образом. Если входным импульсом туннельный диод 1 переключен в высоковольтное состояние, то обращенный диод

7 заперт и ток от источника 10 течет через обращенный диод в управляющий обращенный диод б, проводящий по обратной (диффузионной) ветви вольт-амперной характеристики, Импульс «установка» шунтируется диодом 6.

Таким образом, формирователь на туннельном диоде 8 не запускается, импульс на выходе отсутствует. Импульс «сброс» переводит запоминающую ячейку в нулевое состояние (низкий потенциал на туннельном диоде 1).

При отсутствии входных импульсов туннельный диод 1 находится в низковольтном состоянии, обращенный диод 7 открыт, ток от источника 10 проходит через него, а через диоды 9 и б не проходит. Импульсы «установка» через обращенный диод 11 запускают выходной формирователь, на выходе появляется импульс.

Логический элемент «НŠ— ИЛИ» па туннельных и обращенных диодах, содержащий запоминающую ячейку и выходной формирователь, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента разветвления, запоминающая ячейка соединена с выходным форми181383

Составитель Д. Д. Никифоров

Редактор И. Г. Карпас Техред A. А. Камышиикова Корректоры: М. П. Ромашова и Л. Е. Марисич

Заказ !285/6 Тира>к 1075 Формат бум. 60;к,90 /8 Объем 0,16 пзд. л. Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2 рователем непочкой нз днуx встречно Включенных обращенных диодов, емкости и управляющего обращенного диода, присоединенного одним электродом к точке соединения одного из диодов и емкости, а другим — к общей шине