Двухтактный разветвляющий элемент с запретом
Саюэ Соаетских
Социглистическик
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено ОЗХ.1966 (№ 1073377/26-24) с присоединением заявки №
Прио ритет
Опубликовано 08.1Х.1967. Бюллетень № 18
Kë. 42m, 14
МПК G 06I
УДК 681.142.07(088.8) комитет r.о делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
Дата опубликования описания 3.XI.1967
Авторы изобретения
Ю. С. Александров, М. A. Андреещев и М, Г. Симченков
Заявитель
ДВУХТАКТНЫЙ РАЗВЕТВ.ВАЯЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ С ЗАПРЕТОМ
Двухтактные разветвляющие элементы с запретом, содержащие двухтактные разветвляющие ячейки с дополнительными транзисторами и буферными ячейками памяти и двухтактные ячейки памяти с запретным выходом, известны.
Предложенный элемент отличается тем, что он содержит ключевой транзистор, эмиттер которого соединен с коллектором дополнительного транзистора разветвляющей ячейки, база через резистор подклю ена к запретному Вы" ходу двухтактной ячейки, а коллектор соединен со входом суферной ячейки разветвляющего элемента.
Это от..ичие позволяет повысить быстродействие, устойчивость работы при изменении питающих напряжений и температуры, а также возможность твердосхемного . сполнения.
Принципиальная схема элемента приведена па чертеже. 20
Логический элемент раоотает следующим образом. Нулевое зпаче нс,".,оичной информации представляется высоковольтным состоянием туннельного диода 1, едини шое — 25 низковольтным. Пусть исходное состояние ячеек Я1, Я2 и Яз будет О. В этом случае эмиттер разветвляющего транзистора 2, база этого транзистора и база запрещаю пего транзистора 8 будут находиться под равшями потенциа- 30 лами. Тока в цепях транзисторов 2 и 8 не будет.
Запись 1 на ячейки Я1 и Я2 происходит следующим образом.
На ячейку Я1 ведется запись 1 во время действия напряжения первого такта и входного сигнала на входе 4. Под действием входного сигнала и тактового напряжения происходит переключение ячейки Я1 в единичное состояние. После этого напряжение на туннельном диоде 1 этой ячейки, изменяясь по закону изменения тактового напряжения, увеличивается до нуля. Вместе с этим происходит нарастание коллекторного тока транзисторов 2 и 8. Нарастающий коллекторHûé ток при достижении определенной величины перек.".ючает туннельный диод 5. Переключение туннельного диода 5 происходит с некоторой задержкой после переключения туннельного диода 1. Ячейки Я1 и Я2 будут сохранять единичное состояние до момента действия второго "акта напряжения UT Этим тактовым напряжением, одновременно воздействующим»а ячейки Яl и Я2, 1 считывается на последу;сщие ячейки, а сами ячейки возвраша;стся в исходное нулевое состояние.
Запрещение за:-,ис i на ячейку Я2 происходит в случае, <сгда одновременно на ячейки
Я1 и Я осуществляется запись 1. При записи 1 на ячейки Я1 и ЯЗ на транзисторе 2 ока201772
Предмет изобретения
Составитель Ю. М. Большов
1- едактор Е. В. Семанова Техред А. А. Камышникова Корректоры: Г; И. Плешакова и И. Л. Кириллова
Заказ 3397/10 Тираж 535 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и откргятий при Совете Министров СССР
Москва, Центр, пр. Серова, д, 4
Типография, пр. Сапунова, 2 зывается открывающее напряжение, а на ключевом транзисторе 8 — закрывающее. Следовательно, тока в коллекторной цепи транзистора 3 не будет, и на выходе б ячейки 5i2 единичного сигнала не будет, Двухтактный разветвляющий элемент с запретом, содержащий двухтактную разветвляющую ячейку с дополнительным транзистором и буферной ячейкой памяти и двухтактную ячейку памяти с запретным выходом, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия, устойчивости работы, при изменении питающих напряжений и температуры, а также возможности твердосхемного исполнения, он содержит ключевой транзистор, эмиттер которого соединен с коллектором дополнительного транзистора разветвляющей ячейки, база через резистор подключена
10 к запретному выходу двухтактной ячейки памяти, а коллектор соединен со входом буферной ячейки разветвляющего элемента.
