Логический элемент «не-или» на туннельных диодах и диоде с накоплением заряда

 

ОПИСАН И Е

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Соеетокиз

Социалистическив

РеспуСлии

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 20.1Ч.1965 (№ 1003395/26-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 21.VII.1966. Бюллетень № 15

Дата опубликования описания 19.IX.1966

МПК 6 06f

УДК 681.142.07 (088,8) Комитет оо делам изооретений и открытий лри Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

Ф. П. Галецкий и Л. А. Любович

Заявитель

ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ «НŠ— ИЛИ» НА ТУHHEJlbHbIX

ДИОДАХ И ДИОДЕ С НАКОПЛЕНИЕМ ЗАРЯДА

Известны логические элементы «НŠ— ИЛИ» на туннельных диодах и диоде с накоплением заряда, содержащие запоминающую ячейку и выходной формирователь.

Предложенное устройство отличается от известных тем, что туннельный диод запоминающей ячейки соединен с заземленной шиной через сопротивление, на которое подаются импульсы установки в «ноль». Это позволило повысить помехоустойчивость элемента путем устранения паразитпого накопления заряда и помехи обратной связи, а также повысить надежность и упростить устройство, применив для обеспечения однонаправленной передачи информации только две последовательности управляющих импульсов.

На чертеже приведена принципиальная электрическая схема устройства.

Туннельный диод ТД1 и сопротивление R образуют запоминающую ячейку, Элементы

U4, 14, ОТД2 (обращенный туннельный диод) образуют выходной формирователь (одновибратор). Сопротивление R и источник F служат для установления требуемого прямого тока в диоде с накоплением заряда Д2. Сопротивление R4 применено для установки в

«ноль» запоминающей ячейки.

В исходном состоянии на туннельном диоде

ТД1 низкий потенциал. Входной импульс переключает диод ТД в высоковольтное состояние. Ток от источника Е2 течет через туннельный диод ТД1 и диод Д1. В диоде Дз заряд не накапливается.

Управляющий импульс Ь,,„„поступает на сопротивление R4 и переключает ТД, в низковольтное состояние. Ток помехи, проходящий через диод с накоплением заряда Д>, недоста10 точен для запуска выходного формирователя.

Если ТД1 в низковольтном состоянии, то Д1 заперт и весь ток течет в Д, накапливая заряд. Управляющий импульс У,,„ рассасывает

15 этот заряд, создавая ток, достаточный для запуска формирователя. На выходе появляется импульс.

Предмет изобретения

Логический элемент «НŠ— ИЛИ» на тун диодах и диоде с накоплением за ряда, содержащий запоминающую ячейку и выходной формирователь, отличиюшийся тем

25 что, с целью повышения помехоустойчцвост и упрощения конструкции, туш|ельный диод запоминающей ячейки соединен с заземленной шиной через сопротивление, на которо подаются импульсы установки в «ноль».

184521 р.а t+)

Уупр в Pl/ b

Составитель l0. М. Большов

Редактор Н. Джарагетти Техред Л. К. Ткаченко Корректоры. М. П. Ромашова и Е. Д. Курдюмова

Заказ 2543/8 Тираж 1075 Формат бум. 60X90 /8 Объем 0,13 изд. л. Подписное

ЦНИИПИ Комизетг по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2

Логический элемент «не-или» на туннельных диодах и диоде с накоплением заряда Логический элемент «не-или» на туннельных диодах и диоде с накоплением заряда 

 

Наверх