Фланец для полупроводниковых элементов

Авторы патента:

H01L23/04 - отличающиеся формой

H01L23/02 - корпусы, уплотнения (H01L 23/12,H01L 23/34,H01L 23/48,H01L 23/552 имеют преимущество)

Союз Сооетскил

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 02.VI 1.1962 (№ 786158/25-27) Кл, 21g, 11/02

49h, 35/02 с присоединением заявки №

Приоритет

МПК Н 01/

В 23k

УДК 621.315.592:621..791.12 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Опубликовано 03.Х.1966. Бюллетень № 19

Дата опубликования описания 3.Х.1966

Авторы изобретения

В. И. Зотов, Н. М. Аснин и Г. А. Дроздов

Заявитель

ФЛАНЕЦ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

Известны фланцы для полупроводниковых приборов, содержащие плоскость для монтажа полупроводниковых переходов, разгрузочную канавку для локализации деформации при сварке и буртик, подвергающийся после монтажа холодной сварке, Описываемый фланец для полупроводниковых элементов имеет меньший вес и позволяет локализовать нагрузки, возникающие при холодной сварке. Нижняя поверхность разгрузочной канавки и нижняя поверхность буртика параллельны одна другой и расположены на расстоянии не более 0,1 толщины буртика

На чертеже изображен предлагаемый фланец.

Монтаж полупроводниковых переходов осуществляется на плоскости 1 фланца. Фланец имеет разгрузочную канавку 2 и сварочный буртик 8. Поверхность 4 разгрузочной канавки и поверхность 5 сварочного буртика параллельны одна другой, и расстояние между ними не превышает 0,1 толщины буртика.

Предмет изобретения

Фланец для полупроводниковых элементов с плоскостью для монтажа полупроводниковых переходов, содержащий разгрузочную канавку и буртик, подвергающийся после монтажа холодной сварке давлением, отличаютцийся тем, что, с целью уменьшения веса фланца и локализации нагрузок, возникающих при холодной сварке, нижняя поверхность разгрузочной канавки и нижняя поверхность буртика параллельны одна другой и расположены на расстоянии не более 0,1 толщины буртика.

)86567 ,S

Составитель A. Савостин

Редактор Л. М. Жаворонкова Техред Ц. Я. Бриккер Корректоры: А. Е. Марисич и C. Н. Соколова

Заказ 3383/2 Тираж 3175 Формат бум. 60)(90 !e Объем 0,1 изд. л. Подписное

1Ц1ИЛПР1 Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва,Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2

Патент 159202 // 159202

Композиция термореактивной смолы (ее варианты), конструкция крепления полупроводникового устройства и способ изготовления полупроводникового устройства с использованием композиции термореактивной смолы // 2195474

Изобретение относится к термореактивным композициям смол, предназначенным для использования в качестве термореактивных композиций герметиков, быстро заполняющих пустоты в полупроводниковом устройстве, таком, как блок перевернутых чипов, который включает полупроводниковый чип, укрепленный на подложке носителя, обеспечивающий надежное соединение полупроводника с монтажной платой при кратком термическом отверждении

Силовой полупроводниковый прибор таблеточной конструкции // 2231862

Изобретение относится к силовой полупроводниковой технике и может быть использовано при создании новых приборов силовой полупроводниковой электроники

Корпус интегральной схемы // 2329568

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при разработке корпусов интегральных схем

Корпус интегральной схемы // 2331138

Изобретение относится к электронной техники, в частности к микроэлектронному конструированию, и может быть использовано при проектировании планарных металлокерамических корпусов

Способ изготовления корпуса для полупроводникового прибора свч // 2345444

Изобретение относится к электронной технике, а именно к металлокерамическим корпусам для полупроводниковых приборов СВЧ

Корпус для полупроводникового прибора свч и способ его изготовления // 2351037

Изобретение относится к электронной технике

Корпус интегральной схемы // 2381593

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при разработке корпусов интегральных схем типа «Package SOJ"

Корпус интегральной схемы // 2390876

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при разработке керамических корпусов интегральных схем с устройствами для съема тепла

Корпус полупроводникового прибора // 2405229

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и предназначено для производства корпусов мощных биполярных и полевых ВЧ- и СВЧ-транзисторов

Способ изготовления корпуса по размерам кристалла интегральной микросхемы // 2410793

Изобретение относится к микроэлектронике

Корпус интегральной микросхемы // 2106040

Изобретение относится к электронной технике, а именно к корпусам интегральных микросхем

Микросхема // 2156010

Изобретение относится к радиоэлектронике, конкретно к логическим устройствам

Транзистор // 2156011

Изобретение относится к радиоэлектронике, конкретно к полупроводниковым устройствам

Диод // 2157019

Изобретение относится к радиоэлектронике, конкретно - к полупроводниковым устройствам

Стабилитрон // 2159973

Изобретение относится к радиоэлектронике, конкретно к полупроводниковым устройствам, которые могут быть использованы в цепях постоянного, переменного и пульсирующего тока и в частности в изделиях с ограниченным аппаратурным объемом

Корпус-крышка для гибридной интегральной схемы // 2212731

Изобретение относится к электронной технике

Конструкция полупроводникового прибора // 2229756

Конструкция полупроводникового прибора // 2231863

Изобретение относится к силовой полупроводниковой технике