Патент ссср 187859

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Ссветапи

Сокиалистическиа

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 21Ь, 27/OI

21е, 36/10

Заявлено 12.1.1965 (№ 937840/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 20.Х.1966. Бюллетень № 21

Дата опубликования описания 21.XI.1966

МПК Н Olm

G 01г

УДК 621.317.72:621.362.1 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ Э Д.С. ПОПЕРЕЧНОГО

ЭФФЕКТА НЕРНCTA-ЭТТИНГСГАУЗЕНА

В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛАХ

Исследование термомагнитных эффектов, наряду с исследованием гальваномагнитных эффектов, электропроводности, коэффициента т-э.д.с., позволяет определить фундаментальные параметры полупроводника: знак и концентрацию носителей, подвижность и прочие.

Измерения термомагнитных эффектов приобрели особый интерес в связи с созданием преобразователей тепловой энергии в электрическую, использующих поперечный эффект

Нернста-Эттингсгаузена. В известных устройствах для измерения поперечного эффекта

Нернста-Эттингсгаузена в величину э.д.с. включается неизотермическая составляющая, искажающая результаты расчетов параметров полупроводника.

Предложенное устройство отличается тем, что термопары-зонды подведены к поверхности исследуемого образца через массивные металлические блоки нагревателя и холодильника, находящиеся в хорошем тепловом контакте с образцом и электрически изолированные от последнего. При этом практически исключается неизотермическая составляющая эффекта Нернста-Эттингсгаузена, уменьшается погрешность измерения за счет уменьшения тепловых потерь с образца и исключения циркуляционных токов на контакте полупроводник — измерительные зонды.

На чертеже представлена схема устройства.

Образец /, имеющий форму прямоугольного параллелепипеда, помещается между блоками нагревателя 2 и холодильника 8. Размер образца в направлении теплового потока (ось Y) меньше размеров по осям Х и Z. Блоки нагревателя и холодильника выполнены из металла с большой теплопроводностью; поверхности их, так же как и контактирующие с ними поверхности образца, тщательно отшлифованы для улучшения теплового контакта. Во избежание электрического шунтирования э.д.с. Нернста-Эттингсгаузена между образцом и блоками помещают слой электроизоляции 4 (тефлон, лавсан). Для улучшения теплового контакта применяют жидкую смазку. Через отверстия в нагревателе, холодильнике и в слое изоляции подводят термопары

5, б, 7, 8. Тепловой поток в направлении оси

У создается путем нагрева блока 2 с помощью электронагревателя 9.

Магнитное поле направлено по оси Z. По показаниям термопар 5 и 7 или б и 8 определяют градиент температуры по оси У.

Использование двух термопар на каждой поверхности позволяет контролировать изотермичность этих поверхностей. Поперечная э,д.с. Нернста-Эттингсгаузена измеряется между одноименными ветвями термопар 5 и б или 7 и 8 при включении магнитного поля.

187859

Предмет изобретения

7 !

Составитель С, Е. Островская

Редактор В. Торопова Техред Ц. Я. Бриккер Корректоры: Ю. М. Федулова и Г. Е. Опарина

Заказ 3451/1 Тираж 1670 Формат бум. 60 90 /s Объем 0,13 изд. л. Подписное

ЦНИИГ1И Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2

Устройство для измерения э.д.с. поперечного эффекта Нернста-Эттингсгаузена в полупроводниковых материалах, содержащее нагреватель, холодильник и термопары-зонды, отличающееся тем, что, с целью исключения неизотермической части э.д.с. Нернста-Эттингсгаузена, уменьшения тепловых потерь и исключения циркуляционных токов на контакте полупроводник — измерительные зонды, термопары-зонды подведены к поверхности исследуемого образца через массивные металлические блоки холодильника и нагревателя, находящиеся в хорошем тепловом контакте с образцом и электрически изолированные от последнего.

Патент ссср 187859 Патент ссср 187859 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх