Способ изготовления заготовки фотошаблона

 

Использование: изобретение относится к тонкопленочным оптическим системам с высокой разрешающей способностью, которые могут быть использованы для улучшения адгезии фоторезистивного, регистрирующего или термопластического слоя к поверхности жестких подложек при изготовлении тонкопленочных оптических систем, голографических решеток, фотошаблонов с микронным разрешением и других оптических систем (элементов). Сущность изобретения: заготовка фотошаблона , содержащая стеклянную подложку с последовательно расположенными на ней адгезионным и регистрирующими слоями, .согласно изобретению содержит адгезионный слой толщиной 0,1-0,25 мкм и выполненный из полимерной композиции, содержащей, мас;%: полиакрилат эмульсионный 0,5-1,0, эпоксидную смолу 0,2-0,4, полиизоцианат 0,02-0,04, тетрахлорэтан 98,56-99,28. 1 табл.

COlO3 СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)5 G 03 F 7/26

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4864875/21 (22) 09,07.90 (46) 30.04.93. Бюл. N. 16 (71) Научно-исследовательский институт электронных материалов (72) Т.В.Калоева, А.П.Жулай, Л.И.Бекичева и

Л.В.Псарева (56) Патент США N 4139380, кл. G 03 С 1/08, 1979.

Патент ГДР Иг 264418, кл, 6 03 С 17/36, 1989. (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАГОТОВКИ ФОТОШАБЛОНА (57) Использование: изобретение относится к тонкопленочным оптическим системам с высокой разрешающей способностью, которые могут быть использованы для улучшения адгезии фоторезистивного, Изобретение относится к тонкопленочным оптическим системам с высокой разрешающей способностью, которые могут быть использованы для улучшения адгезии фоторезистивного или термопластического слоя к поверхности жестких подложек при изготовлении тонкопленочных оптических систем, голографических решеток, фотошаблонов с микронным разрешением и других оптических элементов, Целью изобретения является повышение адгезионной прочности и тиражестойкости, упрощение технологического процесса при сохранении разрешающей способности.

Поставленная цель достигается тем, что адгегионный слой толщиной 0,1-0,25 MKM выполнен из полимерной композиции при. >Ы 181254б А1 регистрирующего или термопластического слоя к поверхности жестких подложек при изготовлении тонкопленочных оптических систем, голографических решеток, фотошаблонов с микронным разрешением и других оптических систем (элементов).

Сущность изобретения: заготовка фотошаблона, содержащая стеклянную подложку с последовательно расположенными на ней адгезионным и регистрирующими слоями, согласно изобретению содержит адгезионный слой толщиной 0,1-0,25 мкм и выполненный из полимерной композиции, содержащей, мас.%: полиакрилат эмульсионный 0,5-1,0, эпоксидную смолу 0,2-0,4, полиизоцианат 0,02-0,04, тетрахлорэтан

98,56-99,28. 1 табл. следуюшем соотношении компонентов, мас.%:

Лак криогенностойкий 10 20

Тетрахлорэтан 80-90 ааааВ

Для проверки заявляемого состава ад- ©© гезионного слоя, были приготовлены пять смесей ингредиентов, три из которых пока- ЬЭ зали оптимальные результаты (cM.таблицу). (Я

f5 качестве связующего адгеэионного ф, слоя использовали криогенностойкий лак . Q марки Л КС ТУ ЫУ 0,028.082, в качестве растворителя — тетрахлорэтан технический ТУ

6-01-875-74. а

Пример 1. Брали 20% лака(вязкость по вискозиметру 133-4-18-23с) добавляли

80%-гетрахлорэтана, предварительно перегнанного, тщательно перемешивали и отфильтровывали. Приготовленным раствором поливали стеклянную подложку

1812546

Составитель (..ьеляева

Техред М.Моргентал Корректор Е,Папп

Редактор

Заказ 1576 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж 35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 и ставили в центре вращающегося диска центрифуги и накрывали колпаком (скоро сть вращения 1000 об/мин в течение 1 мин).

Стеклянную подложку с полученным тонким слоем (0,25 мкм) помещали в предварительно нагретый до 80-100 С сушильный шкаф, доводили t до 160 С, выдерживали

20-30 мин и наносили регистрирующий слой. Адгезионная прочность изготовленной изложенным способом заготовки фотошаблона составляла 100 r.

Пример 2. По примеру 1 брали 10% лака и 90% тетрахлорэтана, Толщина адгезионного слоя 0.10 мкм. Адгезионная прочность составляла 110 r.

Пример 3. По примеру 1 брали 15 лака и 85 % тетрахлорэтана. Толщина адгеэионного слоя 0 15 мкм. Адгезионная прочность 130 г.

Пример 4, По примеру 1 брали 5% лака и 95 тетрахлорэтана. Толщина адгезионно го слоя 0,1 мкм. Адгезионная и рочность 50 r.

П р и мер 5. По примеру 1, брали 25% лака и 75% тетрахлорэтана, Толщина адгезионного слоя 0,1 мкм. Адгезионная прочность 70%

П р и мер 6. По прототипу, В таблице представлены сравнительные данные по параметрам фотошаблонов, изготовленных из предложенных заготовок и известного. Уход в сторону превышения или снижения оптимального соотношения предложенных компонентов приводит к ухудшению таких основных параметров, как адгезионная прочность и тиражестойкость.

Предлагаемый состав тонкого адгезионного слоя(0,1-0,25 мкм) между подложкой и регистрирующим слоем взамен существующих адгезионных слоев имеет высокую адгезионную прочность и тиражестойкость при простой технологии и сохранении разрешающей способности. Диапазон рабочих температур такого адгезионного слоя от196 С до+150 С, а стойкость к растворителям: например, спиртобензиновая смесь 1:1 в течение 24 ч не растворяет пленку.

10 Композиция рекомендуется при изготовлении тонкопленочных оптических систем — голографических решеток, жестких оптических дисков и других оптических элементов.

Использование полимерного адгезионного слоя уменьшает стоимость изготовления фотошаблона за счет сокращения технологических операций и вторичного использования стеклянной пластины.

20 Формула изобретения

Способ изготовления заготовки фотошаблона, включающий последовательное нанесение на стеклянную подложку адгезионного и регистрирующего слоев и их сушку, 25 отличающийся тем; что, с целью повышения адгеэионной прочности и тиражестойкости фотошаблона, при нанесении адгезионного слоя используют полимерную композицию, содержащую эмульсионный

30 полиакрилат, эпоксиднуа смолу, полииэоцианат и тетрахлорэтан при следующих соотношениях компонентов, мас.%:

Эмульсионный полиакрилат 0,5-1,0

Эпоксидная смола 0,2-0,4

35 Полиизоцианат 0,02-0,04

Тетрахлорэтан 98,56-99,28 причем толщина его составляет 0,1-0,25 мкм.

Способ изготовления заготовки фотошаблона Способ изготовления заготовки фотошаблона 

 

Похожие патенты:
Изобретение относится к технологии микроэлектроники

Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при создании устройств на основе сверхпроводящих материалов

Изобретение относится к технологии микроэлектроники

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в литографических операциях при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Изобретение относится к технологии микроэлектроники

Изобретение относится к технологии микроэлектроники

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при формировании рисунков микросхемы методом фотолитографии

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано на литографических операциях при изготовлении высокоразрешающих шаблонов для полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Изобретение относится к технологии микроэлектроники, а именно к формированию фоторезистивной маски для обратной фотолитографии

Изобретение относится к технике газофазной химической модификации приповерхностного слоя полимерных пленок, в частности фоторезистных, и может быть использовано на операциях контроля фотолитографических процессов, а также любых других пленок, прозрачных в видимой области спектра на отражающих подложках

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике технологических процессов производства изделий микроэлектроники, в частности к контролю фотолитографических процессов с использованием газофазной химической модификации приповерхностного слоя пленок фоторезистов
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к способам удаления слоя фоторезиста с поверхности кремниевых подложек методом плазмохимического травления
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к удалению резистивной маски с поверхности кремниевых пластин после фотолитографических операций
Изобретение относится к способам допроявления фоторезистов и может быть использовано в области микроэлектроники интегральных пьезоэлектрических устройств на поверхностных акустических волнах (фильтры, линии задержки, резонаторы)

Изобретение относится к способу освещения, по меньшей мере, одной среды для быстрого прототипирования (СБП), в котором указанное освещение осуществляют, по меньшей мере, двумя одновременно индивидуально модулируемыми световыми пучками (ИМСП), проецируемыми на указанную среду для быстрого прототипирования (СБП), и в котором указанную среду для быстрого прототипирования освещают световыми пучками (ИМСП), имеющими, по меньшей мере, два различных содержания длин волн (СДВ1, СДВ2)
Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к микроэлектронике интегральных пьезоэлектрических устройств на поверхностных акустических волнах (фильтры, линии задержки и резонаторы), которые находят широкое применение в авионике и бортовых системах

Изобретение относится к микролитографии как одной из важнейших стадий технологии микроэлектроники и предназначено для формирования резистных масок
Наверх