Способ получения негативных изображений в слое резиста
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при формировании рисунков микросхемы методом фотолитографии. Целью изобретения является упрощение процесса, повышение его разрешающей способности и воспроизводимости. Способ основан на селективной диффузии соединений кремния в облученные при экспонировании ультрафиолетовым или видимым излучением слои резиста, содержащего смолу со светочувствительным соединением типа диазохинона, в результате чего на поверхности облученных участков формируется маска из окиси кремния защищающая эти участки при проведении операции сухого травления в плазме. При этом толщину элементов изображения получают практически равной исходной толщине резиста, а удаление необлученных участков происходит полностью. В результате повышается воспроизводимость процесса, так как продолжительность экспонирования и обработки соединением кремния не сказывается на результатах. 7 з.п. ф-лы.
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (51) 4 G 03 Г 7/26
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Н ПАТЕНТУ вой
CO
4:ь
СР
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ
ПРИ ГКНТ СССР
1 (21) 3974782/24-21 (22) 25.10.85 (31) 8427149 (32) 26.10.84 (33) CB (46) 30.07.89. Бюл. Р 28. (71) IOIlb С. А, (ЬЕ ) (72) Бруно Роланд и Огюст Вранкен (8E) (53) 621. 382.002 (088.8) (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НЕ ГАТИ ВНЬ1Х
ИЗОБРАЖЕНИЙ В СЛОЕ РЕЗИСТА (57) Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при формировании рисунков микросхемы методом фотолитографии. Целью изобретения является упрощение процесса, повышение его разрешающей способности и воспроизводимости. Способ основан на селективной
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при формировании рисунков микросхем методом фотолитографии, Целью изобретения является упрощение процесса, повышение его разрешающей способности и воспроизводимости.
Предлагаемый способ основан на селективной диффузии соединений кремния в облученные при экспонировании ультрафиолетовым или видимым излучением участки слоя резиста, содержащего смолу со светочувствительным соединением типа диазохинона, в результате чего на поверхности облученных участков формируется маска иэ
ЛК 1498400 А 5
2 диффузии соединений кремния в облуче нные при э к с понпров аьзп< ул ь-.р афиолетовым или видимым излучением слои ревиста, содержащего смолу со светочувствительным соединением типа диазохинона, в результате чего на поверхности облучсннь<х участков формируется маска из окиси кремния, защищающая эти участки при проведении операции сухого травления в плазме. При этом толпцину элементов иэображения получают практически равной исходной толщине резиста, а удаление необлученных участков происходит полностью. В результате повышается воспроизводимость процесса, так как продолжительность экспонирования и обработки соединением кремния не сказывается на результатах.
7 з.п. ф-лы. окиси кремния, защищающая эти участки при проведении операции сухого проявления в плазме.
Толщина полученных элементов изображения получается практически равной исходной толщине слоя резиста, а удаление необлученных участков происходит полностью, при этом повышается воспроизводимость процесса, так как продолжительность экспонирования и обработки соединением кремния не сказывается на результатах.
Толщина маски, зацппцающей облученные участки при травлении в плазме, определяется законами диффузии и варьируется в зависимо<-т.t < т вида соединения кремния и его концентра! 498 300
Ll i !if > «ОС ТЛЯ 1 Е В С. Т()Ч > !3 С 1 !3111 С J< I»OIf е <о:IEI),f< 3;I т< мп< ()
Jl(НИЯ.
Обрлб<>ткл слоя резпет:1»7p;!!<и сос<И! I< }<1!Я К Pf l IIII Я»P<) РС Il И 1 CSI IIPit Т СГI перс}туре, };oT()1);) г ыбир;>ется в дилпл7 >»с меж!!у тс и!!с рл урсй исп;<ре}п!я со<.дине »я l ppkfffifsf » те<я<ерлтурой т<3(><53<ческог(> (л « t<)3 c}!Ifs! к«.!»oi! »т<>L» рсэи rà, т.с, t! <(!I:»i;ëo»е oт — 20 до о . б
1 50 (:, !!pep»n 1lpnJioлжитс Jl!я<,«т} ос р;<б 3! Яи соед<5»«»и(15 кремния»с . 1((>птичнл> оп<1 Г!с>жс, 5 изменяться от»с ск->льких секу}<ц дo про !)Iо Iт»т. !< < 1 Jio -< ) TOE« Îà ΠIf3JIV× Åf !!iÿ IO>(}IÎ P PI V JII!PO!3 Л 1 1>! 20 13 ЗСЛПИ(. .ИМ()Е Т ll < Т « <) Г>ХО;« 3 . и Т OJI »,3кууме. Пр И»ЕОбкс>ц»МО r» ПОГ!!ОщЕ!<ИЕ иэлучеш!я слое>f речисты мож»о увсгшчить путем 1«веде<п<я в <<его соотнет35 ствун щих кp,7c«T«Jteй, которые поглощ Зют иэлуче}!If«с л}!»ной E«oJI}tLI, использ"Смой для >! <.!»»!por«.<»ия (100600 нм) . Ооо гг«с г<- E < ую»i;o)5 верхнем OJIoc ре— ЗИС I;I, Изобретение 1!Лпюстрируется примеРЛ 511. ! с> 13cex»1)1«}<с Глх в<- :<и -}и»ь<, приве 45 денные по э пер гш! улl. I рл(1>полет оногo излучения, о»редсле<ия при ц.п}не волны в 400 им. Пример 1. (реГя<иевые подложки, покрытие термиче(.кой окисью кремния толщиной около 120 нм, обрабатывают гексаметилдисиллэлном в качестве активатор<1 лпгезии. Для свето <унстнительной смолы испсльзукт продукт ч;}стичной эстерифи55 кации хлор»да 6-лиаз<>-5,6-дигидро5-оксо — 1 — нлфта.и»<суль<(о»ипл с продукт<) 1 копн<». !>!I!if р-трет-бутил(()еноЛ 3 H (3)ОрГ«.3>1! с<С)! 15 . . << ПС) <<у
»ы .<лски, »oftó÷,<(.5<)!!»<1 <>(! !у .С»»1<х учлстклх cJIos рс 3»ст;1. З»е >t If>I мо;>-кст 3ар >про}37rf с.sl от 10 д<) 1 10 5, (ж/см по}«ерх}<с>сти слоя при иэ. <сре»ии нл ,7:ш!<с I«o!<ны . 00» :. 25 Обр,}боткл спс>5! реэистл»лрлГ<г! соедипе»ия кремш!я Г<(>,}(ет проводиться ПЕ TOJIЬКО ПОЕПР ЭКС»О»11()ОВЛНИЯ СЛОЯ 5 но и в 3<роцеc(!c .)кспонирования. ПосJIE . обработки Г <))к»о удалить избыток 30 COPjIIlIIQftHSt КРЕ. ЯП!Я ИС
JI) pDcTD<)p7«>T в с Г<сеи рлстнорителей, е<),<ержлг<сй 80 в«. 7, 2-этоксиэтанол;-., !0 в«е." -. <;«»< >Лл и 10 вес.! лце.г лт л бутl ц.! 51 «лу <е!и!Я 257--ного раса вс>рл. I11ол »
L«. 1<1 рифуt 3<рс>в:.шия нл кремниеные »од.<ежки при скорости вращения 3000 об/мин. Б рс:. «у,l! T>7òå II;3 к; .:„,с)< .:ол:<ожке полу<лк т с:!ой смолы Toэс!<нпп)ой 1,7 мкм. Покрытые T;Il If<-! образом подложки обр <}б лтыв лют !3,<»t I«ek;It!to»} 1)ри 90 Г в теч<»ис 30 51»!. Затем их »одьс рглют экс.п<ч!»рова»и!о ультрафиолетовым излучением через маску с !..<3";.->щью тfl!Iî»o f o nr(oð), r<<>1«л!!!)я ультрл<1>ио t<3Tol«oão и .<у)<с п<я е дпиной вол<н! 350 — 440 нм, при эт >» энергия излу— : с ш!Я pr<13117 60 Г<, 1)3
Ilp1l 91 0 13 те >е}ч с 4 мин. IIoc. l(. !!purl«:!сш<я реактивными 1to}l«)5и к;<слоралл»;1 экспонирован}<ых учлcTê Г! р и м е р 2. Ход операций ана-!о}»чен примеру 1, но используют с}«е Tоч; встнительну<о смолу, образованную смесью 100 г новолака крезолформлльдегида проГ}ьщ}3<ен}!ого качества и 25 г продукта к<3}!денсации 3 моль x7opII;E Пример 3. Уод оперлций аналогичен примеру 1, orlllлко светочувст-! )ительную с.молу получ<пот части шой I! 498400 25 30 слоя смолы. Пример 5. Уод операций аналогичен примеру 1 за исключением того, что светочувствительную смолу заменя- 40 ют смолой, полученной при частичной эстерификяции продукта конденсации р-Н-н и формальдегида с хлоридом б-диазо-5,6-дигидро-5-оксо1-нафталинсульфонила. Полученные 45 30 r смолы растворяют в 100 г 4 метил2-пентанона. Толщина слоя смолы 2,3 мкм. После термообработки смолу экспонируют ультрафиолетовым излучением через маску при энергии излучения 50 85 мДж/см, затем обрабатывают в те2 чение 8 мин при 115 С парами гексаметилдис»лаз ана. Проявление выявляет негативные изображения с высоким разрешением ли5 нии шириной 0,45 мкм при расстоянии между HHMH 0,85 мкм при вертикальных боковых стенках. Остаточная толщина равна 2,15 мкм, что составляет приденного слоя смолы. Пример 8 Ход операций аналогичен примеру 1, однако используют светочувствительную смолу, образованную смесью 10 г полистирола и 20 г продукта частичной эстери<)»икации хлорида б-диазо-5,6-дигидро-5оксо-1-нафталинсульфонилл с продуктом конденсации р — этил<3енолл и Aop— млльдегида, Смесь растворяют в 100 г циклогексанона. Получают слой толщиной 1,8 мкм, который ног »е прокалиэ стерифик,!пней полол яка крез ггi <ьормал ьд е гида»»pntfi Il!Is»e»II»o! к лч ест в а с хлоридом-б-дилзо-5,6-дигидро-5-оксо-! — нлфтллинсуч. <»«<7!»ил< 7 Пслу »г нные 25 г смолы растворяют в 100 г лцетятя 25 этоксиэтилл. Тс»пщиня cëcfÿ с. Io II! нл подложке 1,5 мкм, П< сне термгобрлботки подложку экспонируют в ул rpa<)31!oЛETOIfbl С 31У! ЛХ 1ЕP EЗ МЛС I < IIPI! ЭНЕР p гии излучения 85 !спж/см, зяте 1 обряблтыв ают парями гексаметилди сил аз лня »3 течение 0 мин при 80 С. После проявления !!олучяют негативные изобрлжениг» ocTаточной толгЧI!ной 1,4 ..I!et!, !5 т. е. 937. 1»лс»лльпой толщины слоя осажденной смо;!ы. Пример 4, Уод ог!ерлц»»1! аналогичен примеру 1, однако используют светочувствительную смолу, образованную продуктом частичной эстерификлции хлорида 6-диаз о — 5,6-дигидро5-оксо — 1-няфталинсульфонила с поли (р-винилфенолом), з атем 25 г смолы растворяют в 00 г ацетатл 2-этоксиэтиля. То.ицина слоя полученной смолы 1,7 мкм. После термообработки смолу экспонируют ультрафиолетовыми лучами через млску при энергии излу1 чения 85 мДж/см, з ятем обрабатывают в парах гексаметилдисилаз ана в течение 3 мин при 125 С. Полученные после проявления негативные изображения имеют вертикальные боковые стенки, остаточная толщина равна 1,65 мкм, что составляет 977 начальной толщины. .!Оpl! 9 . 11,! Cll il и;; ";.1; . г;::,с :— н ГЛ<»Я « . .!11. ! I р 1! " .е р б ..,;:1 <;!с p;!Iii!It;if!<1»с— Гll I< .Н lip»l!"с p 1, Рл»1, l. !!г <3 11 ° .3 r»т cI3c To П»fll Кчс pl! 1,! б — -11!;I » <3 — 5, б — !!1. 1.,:ip
ОксО 1 1! !«т; Iин< .1!
TО;1 К .!!ЛГНГ<и!ИИ КРС Г:IËI tl !.Еll »,ЬIÜÄC— ! !!11,! Получеl!i!»;c ? 5 г с;1< лы 13;!ст»»с»рг!— ют !» 100 г б1!г (-t < т l. гп--;1!»ч)-. )»ирл. Тол<цин! слоя " .1«л!! 1, 7 .;,- t. Пгсле термообрлбс<тки <.;,«JJ;; . Кгl! !11!рую! чльтрлфиолетов I..tff луч 1>я«! pc мэск; при энер гии иэ.»учения 90 и,):/с.<, затем в тг <ение 8 <ин n<»p;l<, .т»г»,1 . т при с 125 Г парями ».О,г.». =. I!.l »и<.1!11;3.»л1!а. После прояг».гения по.-»уч<п 7 Il< г лтивные изОбРл ле»пlЯ I»tl< с !<О! <1 Р ::1 < I lt. Ililв с r3ерт1!Клльными 6oког»ым!! стенк7>111 при ос Tлточной толщине 1,6 мг,м, что состав»!яст 947, начальной 7.c<.vl!ft»»II осажценного слоя смо.п,», Пример 7. Хсэд операций аналогичен примеру 1, однако используют светочувствительную смочу, образованную смесью 3 г поли-(N-нинилклрблзола) и 20 г продукта члстичной эстери<»3икаци»» хлоридл б-дилзо-5,6-дигидро5-оксо-1-ня*тялинсуль<ьонилл с продуктами конденсации 1-ил<1!тол 7 и бенэапьдегида. Смесь рлстворяют в 1ОО г бис (2-метоксиэтил) эфирл. Тол»цина полученного слоя смолы равнл ),8 мкм. После термообработки в течение 45 с подложки, нагретой до 95 С, слой экспонируют ультрафиолетовыми лучами через маску при энергии излучения )15 мДж/см, затем в течение 10 мин 2 обрабатывают при 120 С парами гексаметилдисилязана, После проявления получ ают негативные из обрлжения с высоким разрешением, обладающие вертикальными боковыми стенками при остаточной толщине 1,65 мкм, что состав— ляет 927. от начальной толщины осаж1498400 т у !(f, I) I(l и<) 1
3;! (.и <:л()!(обрл(!» ; < Л И.(1. < O P С 11 " (Л И;1 »pit 100 C:. Ilo lrie л) т пеглтииные иэаб-! {.рещением, с 6о ».:::1! стенками и acil 1,5 мкм, т.е. при) 1 1 11 с) . Т а. t!! l f 1 f а С (3 ж П1ИЯ ) К Г l.! ° 11! () !<) .(У {,I;-!!f !ЕР»; I.I(-!ell((){ 110 ),! ) /(м Г« Т Ы !3 «1!() Г 1( и тe»ñ !ше 10 гяш прая !«! < it»» !о!(уч Ражаitltr! С f)K( кс . !«!! !и иертик,l I I T lT )»Пай 1 .;!Гп! li(. г!ори<) 851 () г I! ) ()Ietf (ого ело)1 < .(() !I.I. П р и .г! с р ). У . оперлци!1(с!пл-! огичеи прим(ру 1, <)д((лкс) испо:!ьзуют си ет<)чувст!31! тe Jt i,ную смолу, пс луч енв и ую ч лсTlt Те".! 30 Г )To! (!e !м p::(ГII .1 Я! )!. 13 100 i l„ltKлогек< лпс и.!. "<аl!!(г(1;! i!c J(у— чепнага <гг!ая 1,9 !в<м, Пс)с.te прока!швлш!я в течение 45 с при 95 С itu илг! О 20,пенного слоя смолы. Пример 10. Ход операций ш!ллогичен примеру 1, однако используют светочувствительную смолу, получеиг!ую части»пой эстерификлш!ей сополимерл р-виш(лфенила и р-хлс)рсгирала с хлоридам б-диазо-5,6-дигидро-5-оксо-! -пад)т алин сул f (Ilo«1!л л. Злте:(25 г смолы растворяют в 100 г 5-метил-2-гексанана. Палучепныи слой смолы имеет TOJ((flf(Hy 1, 7 мкм, После термаабрлбатки слой экспонируют ультрафиолетовыми лучами через маску при энергии {!э.«(уче((ия 85 мс(ж/см, затем в течение 10 !(и({ при 125 С обрлбатывают парями гексаметилдисилаэлнл. После (:роявления получают негативные изображения с высоким разрешением, обладающие вертикальными боковыми стенками, оста гачиля толщина 1,6 мкм, чта составляег 947 начальной тс)лщииы осажденного слоя смолы. 1! р и м е р 11. Б данном примере поклзлна, {та Jilt
50 55 ретой и. ште сл()й tlo {I(!el) I;lt<) T эк споиировл!((tf<) ультрльиа:leòo!)ыми лу 1 lìè 25 черс э маску (tp!i эиергt!H об.!учения 50 t t(Iæ/cì, ) а t eм v, тс »ение 1О мин ,) <. обрабатывают при 1"5 С ti;lpами гексаметилдисиллз;шл, !Ioc!!å проявления пав лучлют нег
I!)!ес ге (! Тe!1 13 данном примере IIo1 ;ë з;!пс), чта саедш(ецие кремния npalil!Kлс т те!1 глубже в о<)луче{{и(! уч лст1< E ) <) f 1 6 ()л t>!It с. 1!pи к!1 адьlи л р г! ля ) 1((р гия ультрафиолетового иэ:(учепия. Еремциевые по,л(ожки с термическ< и окисью кремния толщиной примерно 1200 Л oбрлблтывлют гексаметилдис.и.(л.3;шам в качеc Tве а(стив аторл лдге3 1 и (, II к лч (. c T 13 e c (3 <= т o: lу в с т и и т ел ь пс»! смолы испальэ уют продукт члстичпой эстерификлцi!H :ларипл 6-; илэо .,6-д!!гидро — 5-< кса — 1- лфтллипсуль(1 с)— нилл с ttpoäóêгам кондеисапии р — трет— бутилфенолл и фармальдегида, Злте..l 25 г сма:!ы рлствс)ряют и 100 г циклагet .c лпаllл, 11алуч с. е111ь!й раствор н luo сят де((три())угиров;»!Heft fta подложки для ((I)„Iучения слоя светочувствительной смолы толщиной 1, 5 мкм. Полученные таким образом подлая<ки термообрлбатывают B течение 45 с при 95 С на ffa(.ретой шште. Затем О их подвергают действию ультрафиалетоиого излучепия, причем к каждой подложке прикладывают различную энерги!о, соатвстствевно 0,13, 25,38 и 50 манж/см . Затем экспонираванные подложки обрлблтывлют в течение 10 мин при ! 25ОС в парах гексаметилдисиллзана, Пс)лучег!1{ые таким образом подложки подвергают электронной спектроскопии Auger. Распыление ионов аргонл нл слой резистл со скоростью 3 нм/мин позваляет определить распределение (to глубипе относительной канцентрлции кремния в слое. С этой целью измеряют интенсивность пика кремния в зависимости ат времени распыления. Обллружеио . чта концентрация кремния достигает неKoгopoI значения в зависимости от количества приложенной энергии. После некоторого времени распыления интенсивность пика кремния резко падает и пик в конце канис)и исчез((ет. Было подтверя<дено, что это иремя явля ется функцией э пер гии ул ьтр афиолетавого из)(уче({1{я. Для величин энергии 0,13,25,38 и 50 м)Iя /см пики 149В400 кремния исчезают примерно через 5, 20,60,110 и 160 IIIIII. Одновременно готовят а 1алогичные полпожки для получения изображешгй 5 в слое путем пронедеHIIII такой же обработки с последуюцим травлеш<е..l pe 1ктивными ионами кислopода rlмpoòo выполнения спектроскопии Auger. Доказано. что э нер1 ия иэ пучеш<я выб- 10 ранная из диапазона между 13 и 25 мДж/см, достаточна для пс(г1у —.ения хороших изображений. С учетом скорости распьц1ения, равной 3 нм/мин, можно сделать вывод, что глубина Ilpo 15 никновения соединения кремния н слой резиста около 100 нм в достаточной степени замедляет скорость травления при полном удалении необлученных учас.тков. ЭтОт frr:Ir«orJ хорошо oогласу 20 ется с остаточными величинами толщин от 90 до 957., полученными согласно предлагаемому способу. Анализ с помоп1ью электронной спектроскопии Auger показал, что диффузия соединения кремния в резист практически ничтожна, когда резист не подвергается облучению ультрафиолетом (энергия излучения равна нулю). Вместе с тем анализ показал, что с увеличением количества энергии происходит более глубокое проникновение соединения кремния в слой резиста, тогда как концентрация фиксированного кремния не зависит от количества 35 приложенной энергии. Понять это явление можно при допущении, что трансформация слоя смолы под влиянием излучения модифицирует ее проницаемость и делает возможной селективную 40 диффузию соединения кремния в ее облученные участки. формул а изобретения 1. Способ получения негативных изображений в слое резиста, включающий нанесение на подложку слоя позитивного ревиста, его экспонирование актиничным излучением через мас50 ку, обработку слоя в парах соединения кремния, содержащего силильнуИ группу, и проявление путем плазменного травления необлученных участков слоя,отли чающий с ятем, 55 что, с целью упрощения процесса, повышения его разрешающей способности и воспроизводимости, в качестве позитивного ppsHOTa используют смесь фЕ ffo 1, IO I ((ll((11 1МГ P:1 С,III l o .I I 11 «I I» . I, а дл И11 l((1! И I 1 к Тll I! и I! I< I ((lf ((<(. ни Ч при экс»»прс г(;1»1»1 Il ирают в лиа;1 1— зоне 1!10- (<0 ».-1. 2. Способ rro »,1, с т:r H шийся тем, что 711,1 «м.инон вы— 6HP III<(I Ifз гP! IIIIH, («<-T»IIL IE Й Аз диазо-5,6 — лигилро — 6-о1 со — -н7фталин— су.<гф(эк<1» Iогы, 6 —;Ill;17< 5,6 — rill(11цр(«в 5-с r < о — 1-H2<1«T;1711ff с.у:11(1(кпс l< гы, 3-дИаЗО-3,4-.»1ГИдрс — 4 — С К< O — 1 — Пафт7Линсу:11 1IOI po — 3< он< п-1 — »<к! г;1лпн v»(rr <1 они< rior ы, 3 — д и а з о — 3, 4 —; »11.11;1 p r - 4 — о к с <(— 1 — б е» з о.r— су<ьфокислогы, соответствy< ших кар— боновых ":II< Jr 3. СIIoco<7 11
4. Способ по пп.! — 3, о т л и ч <1 ю шийся тем, что в с:Iolf pe3HcTQ вводят краситель. 5. Способ по пп.1-4, о т л и ч аю шийся тем, что соединение кремния, содержащее силильfryl(! группу, выбирают из следуюцих соединений тетрахлорсилан, триметилхлорсилан, диметилдихлор силан, мети;1трихлорсилан, триметилбромсилан, триметилйодсилан, трифенилхлорсила», гексаметилдисилазан, гeIIT 71fe THJljrff< »лаз ан, гексафенилдисилазан, 1, 3-бис- (хлорметил)— 1, 1, 3, 3-т етраметилдисил;1з ан, N-триметилсилилимидазол, N-тp>«feTIIJIOHJIHJIацетамид, N- TðHI! е TèJ силилдиметил амин, N-триметилсилилдиэтиламин, гексаметилсиландиамин, N, 0-бис- (три «тилсилил)— < ацетимид, N,N --бис-(триметилсилил)-мо( чевина, N,N -дифенил — N- (триметилсилил)— I мочевина и смесь по кра,!IIIOII мере из двух указанных сое7ивен1117. 1498400 6. Способ соединения кремния составпяеT ст нескольких секунд до сдутого аса. к tll è É с я тки г оя резиста в парах Составитель О. Павлова Техред fl Îïèéíûê Редактор Л. Веселовская Корректор М, Щарощи Заказ 4465/59 Тираж 411 Подписное В11ИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-и. дательский комбинат "Патент", r.Ужгород, ул. Гагарина,101 резиста в Ilë осуществляют 7. Способ ю шийся ность обрабо по п6, о т и н ч а тем, ч то обработку слоя рах соединения кремния прп 60-150 С. по ittt.1-7, о т л и ч а тем, что продолжитель5 8. Способ по и. 8, о т и и ч а юшийся тем, что продолжительность обработки слоя резиста сосз являет 1-45 ми .
