Интегральная схема

 

Использование: конструкции интегральных схем, содержащие биполярные транзисторы. Сущность изобретения: интегральная схема включает основной и защитный биполярные транзисторы одного типа проводимости, выполненные на полупроводниковой подложке. В эпитаксиальном слое сформированы области баз и эмиттеров основного и защитного транзисторов. Область коллектора является общей для транзисторов. В области базы защитного транзистора сформирована область второго эмиттера. Под первым и вторым эмиттерами сформированы высоколегированные области того же типа проводимости, что и область базы, перекрывающие донные части эмиттера. Области база-эмиттер основного транзистора соединены соответственно с областями первого и второго эмиттеров защитного транзистора. Электрические параметры транзисторов удовлетворяют определенным соотношениям. Схема обеспечивает возможность защиты от перенапряжений соответствующих элементов основного транзистора при прямом или инверсном его включении. 1 ил.

Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к конструкции интегральных схем, содержащих биполярные транзисторы (БТ). Целью настоящего изобретения является обеспечение одновременной защиты от перенапряжения эмиттерного, коллекторного p-n-переходов и цепи коллектор-эмиттер основного транзистора при одновременном увеличении граничной частот усиления основного транзистора. Сущность изобретения поясняет чертеж, на котором изображена интегральная схема в соответствии с формулой изобретения, где: 1 - полупроводниковая подложка p-типа проводимости; 2 - скрытый слой коллектора n⁺-типа проводимости; 3 - эпитаксиальный слой, коллектор n-типа проводимости; 4 - изолирующие области p⁺-типа проводимости; 5 - область глубокого коллектора n⁺-типа проводимости; 6 - область базы защитного транзистора p-типа проводимости; 7 - область первого эмиттера защитного транзистора n⁺-типа проводимости; 8 - область второго эмиттера защитного транзистора n⁺-типа проводимости; 9 - высоколегированная область p⁺типа проводимости, расположенная под донной частью первого эмиттера защитного транзистора;
10 - высоколегированная область p⁺типа проводимости, расположенная под донной частью второго эмиттера защитного транзистора;
11 - область базы основного транзистора p-типа проводимости;
12 - подконтактная область базы основного транзистора p⁺-типа проводимости;
13 - области эмиттера основного транзистора n⁺-типа проводимости;
14 - подконтактная область коллектора n⁺-типа проводимости;
15 - маска диэлектрического материала;
16 - контакты к областям. В защитном транзисторе первый эмиттер n⁺-типа - 7, p⁺-область 9, p^--область 6, n^--область 3, n⁺-области 2, 5, 14 образуют вертикальный n⁺-p⁺-p^--n^--n⁺ (n-p-n) БТ и в этом случае при перенапряжении пробивается защитный вертикальный БТ, обеспечивая стабилизацию напряжения коллектор-база основного транзистора, т.е. его защиту от перенапряжения. В защитном транзисторе второй эмиттер n⁺-типа 8, p⁺-область 10, p^--область 6, n^--область 3, n⁺-области 2,5,14 образуют вертикальный n⁺-p⁺-p^--n^--n⁺(n-p-n) БТ и в первом случае при перенапряжении происходит пробой защитного вертикального БТ, чем обеспечивается стабилизация напряжения коллектор-эмиттер основного транзистора, т.е. его защита от перенапряжения. В другом случае после пробоя указанного защитного вертикального БТ происходит стабилизация обратного напряжения коллектор-эмиттер основного транзистора и его защита от перенапряжения при инверсном включении. В защитном транзисторе первый и второй эмиттеры n⁺-типа с высоколегированными p⁺-областями 9, 10 и p^--областью 6 образуют горизонтальный n⁺-p⁺-p^--p⁺-n⁺ (n-p-n) защитный БТ, который включен параллельно эмиттеру и базе основного БТ. При перенапряжении пробивается защитный горизонтальный БТ, стабилизируя напряжение эмиттер-база основного транзистора и защищая его от перенапряжения. Интегральная схема работает известным образом. При перенапряжении на соответствующем переходе (промежутке) пробивается подключенная параллельно этому переходу вертикальная (горизонтальная) структура защитного транзистора, входящего в интегральную схему (ИС) и предотвращает дальнейшее увеличение напряжения и пробой основного транзистора. Уменьшение площади кристалла связано с интегрированием в одну ИС основного и защитного транзисторов. В свою очередь в защитном транзисторе сформированы структуры вертикального и горизонтального БТ. Причем его электрические параметры и конструкция обеспечивают одновременно защиту в основном транзисторе от перенапряжения обоих p-n-переходов и цепи коллектор-эмиттер как при прямом, так и при инверсном включении. За счет резкого уменьшения площади, по сравнению с прототипом при одновременной защите p-n-переходов и цепи коллектор-эмиттер, в данном решении пропорционально уменьшаются и значения емкостей эмиттерного и коллекторного p-n-переходов. Это в свою очередь обеспечивает увеличение граничной частоты при одновременной защите p-n-переходов и промежутка коллектор-эмиттер основного транзистора. Пример реализации. На полупроводниковой подложке 1 марки КДБ 10 p^--типа проводимости толщиной 380 мкм, диаметром 76,0 мм и ориентацией < 100> нанесен эпитаксиальный слой 3n^--типа проводимости толщиной 5,0 мкм и удельным сопротивлением ρ= 1,0 Ом˙см. На подложке перед эпитаксиальным наращиванием сформирован путем легирования сурьмы скрытый слой 2n⁺-типа проводимости толщиной 6,0 мкм и поверхностным сопротивлением R_s=250 м/квадрат. В эпитаксиальном слое 3 разделительной диффузией с R_s= 40 Ом/□ сформированы изолирующие области 4 p⁺-типа проводимости, смыкающиеся с подложкой и образующие изолированную зону n^--типа проводимости, являющуюся общим коллектором основного и защитного транзисторов. Область глубокого коллектора 5n⁺-типа проводимости сформирована имплантацией с поверхностным сопротивлением R_s=25-30 Ом/□ и толщиной (глубиной залегания) 4-4,5 мкм. В изолированной зоне n^--типа сформированы базовые области 6 и 11 p^--типа проводимости с R_s=700-900 Ом/□ соответственно защитного и основного транзисторов толщиной 1,2-1,5 мкм. В базе 11 p^--типа проводимости основного транзистора сформированы подконтактные области 12 p⁺-типа проводимости с поверхностным сопротивлением R_s=100±20 Ом/□ и толщиной 0,9-1,3 мкм, одновременно сформированы высоколегированные области p⁺-типа проводимости 9 и 10 в базе защитного транзистора. Затем в базах 6 и 11 обоих транзисторов и подконтактной области коллектора имплантацией формируют области n⁺-типа проводимости 7, 8, 13, 14 соответственно. Толщина n⁺-областей 0,7-0,9 мкм, поверхностное сопротивление R_s= 25-35 Ом/□ . На поверхности эпитаксиальной пленки сформирован маскирующий слой SiО₂ - 15, в котором вскрыты окна и сформированы контакты на основе Si+Al к эмиттерным областям основного и защитного транзисторов, а также к базе основного транзистора и общему коллектору. Размеры областей следующие: изолированной (островной зоны n^--типа проводимости) 60х40 (мкм²), базы основного и защитного транзисторов p^--типа проводимости - 26х20 и 21х14 (мкм²), соответственно; двух приконтактных областей p⁺-типа проводимости основного транзистора 22х4 (мкм²), высоколегированных областей p⁺-типа проводимости защитного транзистора 5х4 (мкм²); n⁺-типа проводимости эмиттера основного транзистора - 20х2 (мкм²) n⁺-типа двух эмиттеров защитного транзистора 8х6 (мкм²) (оба эмиттера защитного транзистора располагаются над высоколегированными p⁺-областями), подконтактной области коллектора n⁺-типа проводимости 42х3 (мкм²); такой же размер области глубокого коллектора. Использование БТ по данному решению с отсоединенной базой и дополнительными областями под обоими эмиттерами обеспечило одновременную защиту обоих p-n-переходов и промежутка коллектор-эмиттер основного транзистора и следующие величины напряжения пробоя:
коллектор-эмиттер 1; эмиттер 2 - по 17,4 В, инверсное - по 4,8 В;
коллектор-база - 24,2 В;
эмиттер 1 - эмиттер 2 (эмиттер 2 - эмиттер 1) - по 5,5 В. Основной транзистор имеет следующие пробивные напряжения:
коллектор-эмиттер (при отсоединенной базе) - 12 В, инверсное - 6,8 В, коллектор-база - 24,2 В;
эмиттер-база - 7,4 В. Технические характеристики прототипа и данного решения приведены в таблице. Из таблицы видно, что введение защиты позволяет значительно стабилизировать изменение f_т до и после пробоя, данное решение не только стабилизирует изменение f_г, но незначительно его увеличивает по сравнению с прототипом (в таблице у БТ пробивается эмиттерный переход). Дополнительным преимуществом данного решения является то, что пробивное напряжение эмиттер-база на 0,5 В больше по сравнению с прототипом, что позволяет более широко использовать максимальное напряжение эмиттер-база.

Формула изобретения

ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА, содержащая основной и защитный биполярные транзисторы одного типа проводимости, включающие области коллектора, эмиттера, базы и высоколегированную область, расположенную в базовой области защитного транзистора, прилегающую к донной части эмиттерной области и имеющую тип проводимости базовой области, при этом область коллектора выполнена общей для основного и защитного транзисторов, отличающаяся тем, что, с целью обеспечения одновременной защиты от перенапряжения эмиттерного, коллекторного p - n - переходов и цепи коллектор - эмиттер основного транзистора при одновременном увеличении граничной частоты усиления основного транзистора, в области базы защитного транзистора дополнительно сформированы область второго эмиттера и высоколегированная область, расположенная в базовой области, прилегающая к донной части дополнительной эмиттерной области и имеющая тип проводимости области базы, области базы и эмиттера основного транзистора соединены соответственно с областями эмиттеров первого и второго защитных транзисторов.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3