Мощный планарный транзистор
Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов, в частности к изготовлению мощных планарных транзисторов, работающих в ВЧ- и СВЧ-диапазонах. Целью изобретения является повышение надежности путем управления стабилизацией тока. Мощный планарный транзистор содержит коллектор-подложку, область базы с высоколегированной периферийной областью, область эмиттера, диффузионные резисторы, диэлектрическое покрытие с контактными окнами к соответствующим областям и контактную металлизацию. Диффузионные резисторы соединены с эмиттерной металлизацией, распространенной по диэлектрическому покрытию над резисторами. 2 ил.
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике, в частности к мощным планарным транзисторам, работающим в ВЧ- и СВЧ-диапазонах. Целью изобретения является повышение надежности путем повышения стабильности тока транзистора. На фиг. 1 и 2 представлены варианты планарного транзистора. Мощный планарный транзистор содержит подложку-коллектор 1, например, n-типа проводимости, в которой выполнены область базы 2 p-типа проводимости с высоколегированной периферийной областью 3 и диффузионный резистор 4 того же типа. В пределах области базы 2 создана область эмиттера 5 n-типа проводимости. На поверхности структуры имеется диэлектрическое покрытие 6, в котором образованы окна для создания контакта к областям базы 2, эмиттера 5 и к диффузионному резистору 4. Через окна образованы металлический электрод 7 к базе, электрод 8 к эмиттеру 5, совмещенный с первым электродом к резистору 4, и второй электрод 9 к резистору 4. На фиг. 2 - второй вариант, в котором электроды 8 и 9 выполнены к периферийной области 10 диффузионного резистора 4. Глубина областей 10 должна быть не менее глубины залегания коллекторного перехода. Такое выполнение транзисторной структуры обеспечивает более высокие пробивные напряжения диффузионного резистора, а также низкие значения контактного сопротивления металл - полупроводник. При работе транзистора в активном режиме в случае возрастания тока через один из эмиттеров увеличивается падение напряжения на диффузионном резисторе 4, включенном последовательно с этим эмиттером. Одновременно растет и номинал резистора вследствие обеднения приповерхностного слоя диффузионного резистора из-за возрастания потенциала электрода 8, что ведет к резко нелинейному увеличению падения напряжения на резисторе 4 и снижению тока, протекающего через эми
Формула изобретения
МОЩНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий области эмиттера, базы и коллектора, диффузионные растворы, соединенные с эмиттерной областью, диэлектрическое покрытие с контактными окнами к соответствующим областям и контакты к ним, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности путем повышения стабильности тока, контакт, соединяющий резистивную область с эмиттерной, снабжен дополнительным участком, расположенным на диэлектрическом покрытии над областью резистора.РИСУНКИ
Рисунок 1, Рисунок 2MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе
Дата прекращения действия патента: 13.04.1995
Номер и год публикации бюллетеня: 19-2000
Извещение опубликовано: 10.07.2000
