Способ контролируемого растворения эпоксидных корпусов

 

((COIO3 COUL. I СКИХ

СОЦИАЛ ИСТИЧ Е СКИХ

РЕСПУБЛИК (19) Ц (II) 1 /55334 А 1 (st>s Н 01 L 21/306

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬС

2 (54) СПОСОБ КОНТРОЛИРУЕМОГО РАСТВОРЕНИЯ ЗПОКСЙДНЫХ КОРПУСОВ (57) Использование: растворение корпусов и . ИМС в электронной технике при анализе причин брака. Сущность изобретения: закрепление MM C во фторопластовой кассете.

Помещение кассеты в горячий травящий

Т раствор. Обработка кассеты с ИМС холодным олеумом. Нейтрализация в бутиловом е спирте и в 10-20%-ном растворе карбоната. аммония. Промывка в деионизованной во- де, 1 (21 4869083/25 (22) 27,07.90 (46) 15,08,92, Бюл, N 30 (71) Институт термофизики и элекрофизик

АН Эстонии (72) В.И, Арро и P,À. Донцова

{56) Отраслевой стандарт: Микросхемы ин тегральные, Методы испытаний. OC

11.073.013-83, с. 26.

Стандарт предприятия: Растворени пластмассового корпуса, СТП ЮФ 9 — 78, Отраслевой стандарт: Микросхемы ин тегральные. Методы испытаний, 0СТ

11.073,013 — 83, с. 27.

Изобретение относится к электронной стмассь<, приводящее к разрушению консттехнике, в частности к анализу причин от- рукции прибора, трудоемкость и знергоемклонения характеристик ИМС от заданных; кость операции, так как необходимо в том числе причин брака, . ..:: . длительное кипячение серной кислоты для

Известен способ вскрытия пластмассо- . ее обезвоживанйя. вых корпусов, заключающийся в выдержке Наиболее близким к предлагаемому яв-, ИМС со шлифованными корпусами в мета- ляется способ, по которому растворение i крезоле, нагретом до 100 — 120 С, до раство- - пластмассы осуществляеот в серной кисло- . рения пластмассы (1-2 сут). : те, Для этого на корпусе вырезают канавку, Недостатками этого метода являются -. иа глубину 0,5 мм, наливают в стакан 100 мл. необходимость механической обработки, концентрированной серной кислоты и накоторая может приводить к поврея<денйо гревают до 120-2200С. ИМС во фтороплаконструкций прибора, и применение в каче- стовом держателе погружают в стакан и стае растворителя метакрезола, обладаю- травят до оголения кристалла и мест термо-, щего высокой токсичностью и компрессии на раМке. Отмывкуосуществлядлительностью обработки.: ют опусканием ИМС в стакан с горячей

Известен способ удаления пластмассо- водой на 1-2 мин, затем холодной проточ- вогс корпуса растворением его в кипящей - ной водой 10-15 мин.

i обезвоженной серной кислоте (330 С) с по- . Недостатками указанного способа являследующей промывкой в холодной обезво- ются возможность нарушения целостности женной серной кислоте и в этиловом спирте монтажа при вырезайии канавки, коррозия (последовательно). алюминиевых контактов в среде необезвоНедостатками указанного способа явля- х<енной серной кислоты, содержащей 4-6% ются неконтролируемое разрушение плэ . воды, так как известно, что при 120-220 С

1755334 указа1 ная реакция проходит достаточно быстро, отсутствие гарантии полного удаления серной кислоты, следовые количества которой могут вызвать дополнительную коррозию алюминия в процессе сушки и анализа

ИМС.

Целью изобретения является осуществление возможности локального растворения корпусов при сохранении металлиэации.

Для реализации способа используют кассету, которую изготавливают из фторопласта, состоящего из пяти частей; верхняя часть кассеты, нижняя часть кассеты, средняя часть кассеты, держатель и крепежный винт. В верхней части кассеты расйоложено квадратное отверстие на том месте над кристаллом, где пластмассу необходимо локально растворить. В средней части кассеты расположены углубление, соответствующее по форме и размерам корпусу, и щели для металлических выводов (ножек), Щели по своей форме и размерам в средней и нижней частях, или только в средней в случае коротких выводов, кассеты должны точно соответствовать длине и наклону вйводов.

Щели в нижней части кассеты не должны быть сквозными.

Все три части плотно соединяются между собой при помощи крепежных винтов.

Таким образом, обеспечивается растворение пластмассы в основном только над кристаллом; а остальные участки корпуса и выводы защищены от воздействйя-растворителя-деструктора фторопластом. Держатель используется для. погружения Схемы в кассете в растворитель. Это позволяет управляемо растворять корпус на требуемом участке без использования предварительной механической обработки матерйала корпуса, Способ осуществляют следующим образом;

Интегральную схему, предназйаченную для анализа, закрепляют крепежными винтами во фторопластовую кассету с длинным

" держателем так, чтобы подлежащий растворению участок корпуса над кристаллом был обращен вниз.

Интегральную микросхему в корпусе из пластмассы ЭФП-Ст закрепляют в специально разработанйом фторопластовом де; ржателе и опускают в предварительно нагретый до 190 С раствор следующего состава,$: СгОз 10, олеум (2 } 90.

25 алюминиевых дорожек и контактов без их последующей коррозии. Гарантируется возможность измерения характеристик ИМС, Использование способа позволяет объективно исследовать и оценить причины брака. Особенно важно использовать спо30 соб при разработке новых конструкций

ИМС, приближающихся по своим параметрам к мировому уровню.

35 Формула изобретения

Способ контролируемого растворения зпоксидных корпусов, включающий обработку корпуса в нагретой серной кислоте, визуальный контроль состояния корпуса и

40 промывку в горячей и холодной деионизованной воде. отличающийся тем. что, с целью осуществления возможности локального растворения корпусов при сохранении металлизации, растворение проводят в кассете, помещенной в состав, состоящий из серной кислоты, трехокиси хрома и трехокиси серы; взятых в следующих соотношениях мас %

Трехокись хрома 6-10

Трехокись серы 0,5-5,0

Серная кислота Остальное а после растворения проводят последовательно промывку в холодном олеуме, бутиловом спирте и в 10-20%-ном водном растворе карбоната аммония

На один корпус расходуют 50 мл раствора. За растворением пластмассы над кристаллом наблюдают визуально. После удаления пластмассы с кристалла промыва5 ют корпус в холодном олеуме (2,0%) в течение 10-20 с, потом — 1-2 мин в изобутиловом спирте и помещают вместе с держателем в нейтралиэующий раствор (1,0%-ный раствор углекислого аммония), где расслабля10 ют винты крепления держателя для лучшего доступа раствора к пластмассе, Нейтрализованный корпус промывают сначала проточной деиониэованной водой (15 мин) — для анализа внешнего вида, затем — горячей во15 дой (80 С) в течение 60 — 80 мин для измерения параметров. Сушку проводят в термостате при 110 С вЂ” 30 мин; Вскрытые кристаллы ИМС проверяют под микроскопом ММУ-3 йри увеличении в 56 раз.

20 Сйособ обеспечивает контролируемое растворение зпоксидных корпусов ИМС непосредственно над кристаллом без использования предварительной механической обработки, с полным сохранением монтажа

Способ контролируемого растворения эпоксидных корпусов Способ контролируемого растворения эпоксидных корпусов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектроники, предназначено для изготовления полупроводниковых приборов, в частности интегральных микросхем, и касается плазмохимической обработки структур с нанесенными на них пленками алюминия

Изобретение относится к полупроводниковой технологии н может быть использовано при необходимости прецизионной обработки жидкостными травителями структур антнмоннда индия для оптоэлектронных приборов

Изобретение относится к технологии очистки полупроводниковых структур от загрязнений ионами реагентов при их обработке Устройство может быть использовано в электронной промышленности при пленарной технологии изготовления полупро оодниковых приборов Целью изобретения является экономия воды и электроэнергии при одновременном повышении качества очистки Цель изобретения достигается тем, что устройство содержит камеру с деионизованной водой, одна из стенок которой выполнена в виде ионоселективной мембраны с внешней стороны которой вплотную к ней размерен перфорированный электрод, при этом вторым электродом является очищаемая структура размещенная в камере

Изобретение относится к полупроводниковому производству и может быть использовано в технологии изготовления БИС и СБИС с двумя и более уровнями межсоединений, увеличенной плотностью упаковки и малым шагом межсоединений
Изобретение относится к полупроводниковой технологии

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно технологии изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных транзисторах, изготовленных по самосовмещенной технологии (ССТ) с двумя слоями поликремния

Изобретение относится к технологии жидкостной химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, и может быть использовано в электронной промышленности

Изобретение относится к электронной технике, а именно к процессам электрохимической обработки полупроводниковых пластин, в частности к операциям электрополировки и утонения пластин, формирования анодных окисных пленок и слоев пористого кремния (формирование пористого кремния включает в себя несколько одновременно протекающих процессов - электрохимического травления и полирования, а также анодного окисления)

Изобретение относится к способу просушивания с соблюдением чистоты поверхностей таких материалов, как полупроводники, керамика, металлы, стекло, пластмассы и, в частности, кремниевые пластины и лазерные диски, у которых подложка погружена в жидкую ванну, а поверхности просушиваются по мере отделения от жидкости, например, путем продувки газа над поверхностью жидкости, причем газ может растворяться в жидкости и снижает поверхностное натяжение жидкости
Наверх