Способ изготовления электрофотографических слоев для многократного проявления

 

2Ol9I6

Сова Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 57Ь, 0

Заявлено 04,11.1966 (¹ 1053075/23-4) с присоединением зая вки №

Приоритет

Опубликовано 08.1Х.1967. Бюллетень № 18

Дата опубликования описания 3.XI.1967

МПК 6 03с

УДK 771.531.0211(088.8)

524:772.93 (088.8) Комитет по делам изобротеииЯ и открытиЯ при Совете Мииистрое

СССР

Авторы изобретения В.-А. Б. Банялис, В. И. Гайдялис, Э. А. Монтримас и H. Н. Маркевич

Заявитель

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКИХ

СЛОЕВ ДЛЯ МНОГОКРАТНОГО ПРОЯВЛЕНИЯ

Изобретение относится к способу изготовления элсктрофотографичсоких слоев для многократного проявления, используемых в копировально-мно>кительных аппаратах, Известен способ изготовления электрофотографических слоев для многократного проявления путем напыления в вакууме па металлич(."ску10 подложку полупроводникового слоя с(.л е1! а

В аппаратах и машинах электрофотографичсокие слои попользуются многократно: после перенесения с фотополупроводникового слоя проявленного изображения ла бумагу остатки проявителя снимают, и элсктрофотографичсский слой готов к следующему циклу оперании изготовления копии. Для осуществления многократного проявления, переноса и очистки элсктрофотографнческого слоя,необходимо, чтобы слой обладал не только соответствующими электрическими и .фотоэлектрическими параметрами, но и определенными физико-механическими свойствами: высокой адгези ей слоя с подложкой, механической прочностью, гладкостью поверхности, малой адгезией проявителя со слоем и др. Для многократного проявления в настоящее время используются и ключительно только селеновые слои.

Электрофотографические слои с окисью цинка, изготовленные известными способами, для многократного проявления не могут быть применены, так как они не обладают выцн указанными физико-механическими свойствами, а при,проя влении таких слоев частицы проявителя проникают в микропоры слоя, что осложняет перенос проявленного изображе ия и делает невозмо>кным очистку слоя.

Однако, электрофотографические слои с окисью цинка обладают рядом преимуществ

10 перед селеновыми слоями: окись цинка сравнительно дешева, технология изготовления слоев проста н нс требует вакуумного оборудования, слоям окиси цинка возможно при дать свсточувствнтельность в любой области спектра видимого света путем спектральной сснснбилизаци и органическими красителями, слои окиси цинка обладают более вы сокой разрешающей .способностью.

В ряде случаев необходимо, чтобы слои работали при повышенной температуре. В та. ких условиях,происходит значительная кристаллизация аморфного селена, и слои быстро выходят из строя. Электрофотографические слои окиси цинка более стойкие .к температур25 ным воздействиям — повышение тем пературы до 60 — 70 С существенно не влияет на качество полученного электрофотографического изображения.

Найдено, что фоточувствительность электро30 фотографических слоев окиси цинка ограни201916

До проявления

CU

C( х х х

v м х О >

o e х х ю х !» ххо

Йэх

Ю Я аo х сс! !! (J )

Е»

Ю

v (» х o у!

Ы

1 \ х с о

III

) х ! о

t о

=г х х х и >х и Э о > х О х !

И > ! Л .о о о

Нзименоваиие слоя эх д х

О

1 х

О

QJ

c(х х

Г» х

2 х х

Ю

Е (о х

Ю

М х а

О

О х

О х а

О

v о

0»

ctf

L»

<О

О х х ох !

» х

О !о х

О

t х

3 о с: !

» х

210

210

0,2

0,03

250

0,2

0,14

220

17

410

210 0,2

470 17

670 20

Слой окиси цинка, изготовленный по предлагаемому изобретению

Слой окиси цинка типа ЭФО

Слой окиси цинка, изготовленный по предлагаемому изобретению, после промывки спиртом чена депресси рующим действием связующего вещества, а их физико-механические свойства в основном обусловлены микроструктурой слоя. Поэтому способ изготовления высокочувствительных электрофотографических слоев с окисью цинка с необходимыми для многокр атного проявления электрическими и физико-механическими свойствами достигается тем, что слои с окисью цинка изготовляют с мин|имальиым количеством связуlощего вещества. Это приводит к уменьшени1о депрессирующего действия связующего иа сенсибилизированный фотоэффект, H TeM ca IbIM квантовый выход повышается. Однако с уменьшением количества связующего ухудшается микростру ктура слоя — увеличивается количество микропор в слое, что ведет к уменьшению его электрической прочности, н слой плохо заряжается. С целью повышения электрической прочности и улучшения физико-механических параметров, синтез электро. фотографических !Слоев на основе окиси цинка необходимо вести так, чтобы получить слой с неравномерным распределением связующего вещества в нем и тем самым — с минимальным количест вом микрот1ор.

Способ .изгото вле!!ия электрофотографических слоев для многократного проявления согласно изобретению заключается в том, что слой суспснзии из предварительно окрашенной окиси цинка и связующего в растворителе, ие растворяющем сенсибилизатор, наносят на металлическую подложку и помещают подложку в горизонтальном положении в специальной герметической камере с некоторым парциальным давлением паров растворителя.

В этих условиях происходит седиментация частиц полупроводника, а !парциальное давление в камере сильно уменьшает процесс Hcinaрения. После завершения процесса седиментации, парциальное да вление В камере уменьшают и слой высушивают. Этим Обеспечивается неоднородное распределение частиц полупроводника по толщине слоя: в приповерхностной области больше связующего вещества, чем у подложки и, таким образом, образуется электрофотографический ..лой

После 100-кратного проявления минимальным количеством микропор. По ле этого слой подвергают шлифовке.

Пример. Образцы элект рофотографических слоев для многократного проявления

5 изготовляют из окрашенной эозином (спиртовый раствор) окиси цинка 10 г, силиконовой смолы 4 г, толуола 20 !(л. Суспензию диспергируют в шаровой мельнице в течение 5 час, затем при помощи пульверизатора наносят

10 иа дюралюминиевые шлифованные и известным образом обезжиренные пластинки

С целью получения ровного слоя onредслеп1юй толщины нанесенную суспеизию вырав швают ракель ым ножом. После этого пласт!115 пу со слоем в горизонтальном по!!О>кон!!и помещают в герметическую камеру (в качестве ее используют .вакуумный шкаф); при !!агреве колоы с толуо !Ом, соединенной с Вз куумным шкафом В камере, создается опрсд»20 лсш1ое парциальиое давление. Через ЗО—

40 !!ин седимеитации частиц окиси цинка парциальное давление уменьшается; при постепенном повышении температуры до 70 С слой высушивают. Сушку при 70 С продолжают

25 4 — 5 час. С целью устранения разл!!чных микронеровностей поверхности, слой шлифую г обычным методом. После шлифовки слой промывают водой и при 50 — 60 С Высушивают

v. течение 1 — 2 час.

30 Нокоторые электрические, фотоэлсктриче. скис и физико-механи IecKHe (пара!1!стры слоев

Окиси цинка, изготовленных,по предпо7агасмому изобретению, приведены в таблице.

Из таблицы видно, что параметры: глад35 кость, предельный потенциал зарядки, свето1увствительность и др. — таких слоев намного выше параметров из вестных слоев окиси цинка. Как видно из данных, представленных в таблице, параметры после стократного прояв40 леиия изменились незначительно. Необходимо отметить, что после промывки слоя спиртом те параметры, которые в результате многократного проя,вле!Иия несколько ухудшились, г!ринимают первоначальное значение, 45 Следует также отметить, что полученные электрофотографические копии после многократного проявления на цинкоксидных слоях, 201916

Составитель Э. Рамзова редактор М. Ибрагимова Техред Л. Я. Бриккер Корректоры: Н. И. Быстрова и Л. В. Наделяева

Заказ 3450)12 Тираж 515 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров CCCP

Мо"ква, Центр, пр. Серова, д, 4

Типография, пр. Сапунова, 2 изготовленных предлагаемым способом, по своему качеству нисколько не уступают копиям, изготовленным при помощи селеновых слоев.

Предмет изобретения

Спо "oo изготовления элсктрофотографичсских слоев для многократного лроявления путем нансссния на металлическую подложку слоя полупроводника, отличающийся тем, что, с целью повышения светочувствительностн, улучшения электрической прочности и физико-механических свойств, в качестве полупроводникового слоя применяют окрашенную сенсибилизатором суспензию окиси цинка и связующего, например, силиконовой смолы, в растворителе, например толуоле, подложку помещают в герметическую камеру с небольшим .парциальным давлением паров растворителя и по окончании седнментации частиц полупроводника пластинку высушивают и подвергают шлифовке.