Способ напуска газа в вакуумную камеру

 

Изобретение относится к области технологической обработки материалов в вакууме, а более конкретно к способам напуска газа в вакуумную камеру. В основу изобретения положена задача обеспечить равномерность подачи газа по всей поверхности обрабатываемого материала при регулировании потоком газа. Эта задача решается тем, что в качестве пористого материала используют материал с эффективными адсорбционными свойствами, например, цеолит, в стенке, из пористого материала располагают систему охлаждения и систему нагрева. 2 з.п. ф-лы. 1 ил.

Изобретение относится к области технологической обработки материалов в вакууме, а более конкретно к способам "мягкого" напуска газа в вакуумную камеру.

Известен способ "мягкого" напуска газа в вакуумную камеру [1] путем использования независимых каналов подачи газа.

Недостатком аналога является невозможность обеспечения равномерности подачи газа по всей поверхности обрабатываемого материала при регулировании потока газа.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату является способ "мягкого" напуска газа в вакуумную камеру [2] путем использования проницаемой для газообразных веществ стенки.

Недостатком прототипа является также невозможность обеспечения равномерности подачи газа по всей поверхности материала при регулировании потока газа.

В основу изобретения положена задача обеспечить равномерность подачи газа по всей поверхности обрабатываемого материала при регулировании потока газа.

Эта задача решается тем, что в качестве проницаемой стенки используют стенку из пористого материала с эффективными адсоpбционными свойствами, выполненную с возможностью регулирования ее температуры; в качестве пористого материала используют цеолит; регулирование температуры осуществляют посредством системы нагрева и/или охлаждения, расположенных в стене.

Введение в способ напуска газа в вакуумную камеру пористого материала с эффективными адсорбционными свойствами и систем нагрева и охлаждения обеспечивает условия, при которых газовый поток, проходящий через стенку из такого материала будет задерживаться или пропускаться в зависимости от режима работы, что и позволяет достичь положенную в основу изобретения задачу - обеспечить равномерность подачи газа по всей поверхности обрабатываемого материала при регулировании потока газа.

Сопоставительный анализ заявляемого способа напуска газа в вакуумную камеру и прототипа показывает, что предлагаемое техническое решение соответствует критерию изобретения "новизна".

Сравнение заявляемого решения не только с прототипом, но и с другими техническими решениями в данной области техники позволило выявить в нем совокупность признаков, отличающих заявляемое техническое решение от прототипа, что позволяет сделать вывод о соответствии критерию "существенные отличия".

Сущность способа и схема реализующего его устройства поясняется фиг. 1.

Устройство, реализующее способ (фиг. 1), содержит стенку 1 из пористого материала 2 с эффективными адсорбционными свойствами, например, цеолита 3. В стенке 1 из пористого материала 2 располагают систему охлаждения 4 и нагрева 5.

Способ реализуется следующим образом.

Поток газа направляют в сторону стенки 1 из пористого материала 2 и осуществляют газоподачу через цеолит 3. Для уменьшения газового потока через стенку 1 цеолит 3 охлаждают с помощью системы охлаждения 4, при этом происходит следующее: 1. Поры в материале 2 уменьшаются в размерах.

2. Эффект адсорбции возрастает.

3. Диффузия уменьшается, за счет заполнения пор молекулами воздуха.

Для увеличения газового потока через стенку 1 цеолит 3 нагревают с помощью системы нагрева 5, при этом происходит следующее: 1. Поры в материале 2 увеличиваются в размерах.

2. Эффект адсорбции снижается.

3. Диффузия возрастает, за счет увеличения диаметра проходных отверстий пор.

Применение предлагаемого способа напуска газа в вакуумную камеру обеспечивает равномерность подачи газа по всей поверхности обрабатываемого материала при регулировании потока газа.

Формула изобретения

1. Способ напуска газа в вакуумную камеру, включающий пропускание газа через проницаемую стенку, отличающийся тем, что в качестве проницаемой стенки используют стенку из пористого материала с эффективными адсорбционными свойствами, выполненную с возможностью регулирования ее температуры.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве пористого материала используют цеолит.

3. Способ по пп.1 и 2, отличающийся тем, что регулирование температуры осуществляют посредством систем нагрева и/или охлаждения, расположенных в стенке.

РИСУНКИ

Рисунок 1



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к устройствам для нанесения многослойных покрытий в вакууме в непрерывном режиме

Изобретение относится к нанесению покрытий в экологически чистых вакуумных средах и может быть использовано в автоматизированных установках для производства интегральных микросхем

Изобретение относится к устройствам для нанесения покрытий на изделия в вакууме и может быть использовано в различных отраслях промышленности для нанесения защитных, упрочняющих, декоративных и прочих покрытий с целью улучшения свойств материалов и внешнего вида изделий

Изобретение относится к вакуумной технике, в частности к элементам вакуумных и чистых технологических систем, и может найти применение для ввода объектов в камеру с чистой технологической средой или извлечения из нее без нарушения среды

Изобретение относится к области нанесения покрытий в вакууме или "чистых" технологических средах, а именно к шлюзовым устройствам

Изобретение относится к нанесению покрытий в вакууме и может быть использовано в технологии получения тонких слоев различных материалов методом термического испарения в вакууме

Изобретение относится к способам вакуумной металлизации поверхности диэлектриков, в частности подложек из гибкой диэлектрической пленки

Изобретение относится к устройствам, предназначенным для автоматического шлюзования изделий, преимущественно плоской формы

Изобретение относится к системам ультравысокого вакуума для обработки полупроводникового изделия, к геттерным насосам, используемым в них, и к способу обработки полупроводникового изделия

Изобретение относится к области нанесения покрытий, различных по назначению и составу, и может быть использовано в машиностроении, электронной, электротехнической, медицинской и других отраслях промышленности

Изобретение относится к технологии вакуумно-дуговой обработки металлов, в частности к производству многослойных лент
Изобретение относится к изготовлению приборов оптоэлектроники и может быть использовано при изготовлении дисплеев, светоизлучающих диодов и затворов полупроводниковых структур типа металл-диэлектрик-полупроводник

Изобретение относится к области изготовления самонесущих тонких пленок, в частности, к способам и устройствам для получения бериллиевой и бериллийсодержащей фольги, используемых для окон при регистрации низкоэнергетических излучений, и может найти применение в прикладной физике, машиностроении, при обработке металлов и в других отраслях промышленности

Изобретение относится к промышленному транспорту, в частности к устройству для непрерывной загрузки емкостей, например пластиковых бутылок

Изобретение относится к области нанесения покрытий и может быть использовано в машиностроении, электронной, электротехнической, медицинской и других отраслях промышленности

Изобретение относится к геттерной системе для очистки газовой рабочей атмосферы в процессах физического осаждения из паровой фазы
Наверх