Способ охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме
Авторы патента:
Использование: изобретение относится к области технологической обработки полупроводниковых пластин в вакууме, а более конкретно к способам охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме. Сущность: в качестве теплопроводящего вещества используют легкоплавкий металл галлий, который в жидком виде располагают в поддоне, без дополнительного крепления, а между пластинами и поддоном располагают тонкую теплопроводящую резиновую прокладку. 2 ил.
Изобретение относится к области технологической обработки полупроводниковых пластин в вакууме, а более конкретно к способам охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме.
Известен способ охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме путем использования теплопроводящего вещества, взаимодействующего с полупроводниковой пластиной и подложкодержателем [1] В качестве теплопроводящего вещества используется газообразный гелий. Недостатком аналога является малая эффективность охлаждения. Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату является способ охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме путем использования теплопроводящего вещества, взаимодействующего с полупроводниковой пластиной и подложкодержателем [2] В качестве теплопроводящего вещества используется серебряная паста. Недостатком прототипа является также малая эффективность охлаждения ввиду того, что фактическая площадь контакта меньше номинальной. В основу изобретения положена задача повысить эффективность охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме. Эта задача решается тем, что в качестве теплопроводящего вещества используют легкоплавкий металл, галлий, который в жидком виде располагают в поддоне, без дополнительного крепления, а между пластинами и поддоном располагают тонкую теплопроводящую резиновую прокладку. Введение в способ охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме легкоплавкого металла галлия, поддона и теплопроводящей резиновой прокладки обеспечивает условия, при которых фактическая площадь контакта становится равной номинальной, что и позволяет повысить эффективность охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме. Сопоставительный анализ заявляемого способа охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме и прототипа показывает, что предлагаемое техническое решение соответствует критерию изобретения "новизна". Сравнение заявляемого решения не только с прототипом, но и с другими техническими решениями в данной области техники, позволило выявить в нем совокупность признаков, отличающих заявляемое техническое решение от прототипа, что позволяет сделать вывод о соответствии критерию "существенные отличия". На фиг.1 представлена схема устройства охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме с легкоплавким металлом галлием и поддоном; на фиг.2 схема устройства охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме с легкоплавким металлом галлием, поддоном и тонкой теплопроводящей резиновой прокладкой. Устройство, реализующее способ (фиг. 1), содержит полупроводниковую пластину 1, подложкодержатель 2. Между пластиной 1 и подложкодержателем 2 располагается поддон 3 с легкоплавким металлом, галлием 4. Между пластиной 1 и поддоном 3 расположена тонкая теплопроводящая резиновая прокладка 5 (фиг. 2). Диаметр поддона 3 выполнен больше, чем диаметр пластины 1. Способ реализуется следующим образом. Полупроводниковую пластину 1 (фиг.1) помещают на поддон 3 с галлием 4 и осуществляют теплопередачу от подложкодержателя 2 к пластине 1. Так как жидкий галлий покрыт сверху окисной пленкой то смачивания материала пластины 1 с галлием 4 не происходит. Для полного устранения вероятности смачивания между пластиной 1 и жидким галлием 4 помещают теплопроводящую резиновую прокладку 5 (фиг.2). Процесс осуществляют при температуре не менее, чем температура плавления галлия, т. е. 29,8oС. Применение предлагаемого способа охлаждения повышает эффективность охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме за счет того, что фактическая площадь контакта становится равной номинальной, а сам галлий обладает высокой теплопроводностью.Формула изобретения
Способ охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме, включающий размещение между подложкодержателем и полупроводниковой пластиной теплопроводящего вещества, отличающийся тем, что теплопроводящее вещество размещают в поддоне, расположенном между пластиной и подложкодержателем, диаметр поддона выбирают больше диаметра пластины, а в качестве теплопроводящего вещества используют галлий в жидком виде.РИСУНКИ
Рисунок 1, Рисунок 2
Похожие патенты:
Изобретение относится к термохимической обработке материалов
Изобретение относится к области плазменной технологии и может быть использовано в электронной и электротехнической промышленности при обработке плоских изделий, например полупроводниковых пластин, подложек печатных плат, компакт-дисков и других изделий
Источник плазмы эцр-разряда // 2070357
Изобретение относится к устройствам для формирования низкотемпературной плазмы СВЧ-разряда в магнитном поле в режиме электронного циклотронного резонанса (ЭЦР) при низком давлении газов, в частности, для обработки подложек большой площади потоком ЭЦР-плазмы с целью осаждения тонких пленок, модификации поверхности, очистки или травления
Изобретение относится к планарной технологии интегральных микросхем (ИМС); более узко- к устройствам, используемым для формирования многоуровневой разводки, тренчерной изоляции в операциях литографии, осаждения защитных и изолирующих слоев и т.п
Травитель для арсенида галлия // 2063095
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано для создания матированной (шероховатой) поверхности арсенида галлия, позволяющей увеличить внешнюю квантовую эффективность излучения светодиодов и адгезию металлических контактных слоев
Изобретение относится к технологии приборостроения, а именно к способам изготовления анизотропным травлением упругих элементов приборов (балок, мембран, струн и так далее) из пластины монокристаллического кремния с ориентацией плоскости (100)
Способ изготовления i-области // 2054746
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно технологии изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных транзисторах, изготовленных по самосовмещенной технологии (ССТ) с двумя слоями поликремния
Изобретение относится к технологии жидкостной химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, и может быть использовано в электронной промышленности
Устройство для шлюзования // 2133521
Изобретение относится к электронной технике, а именно к процессам электрохимической обработки полупроводниковых пластин, в частности к операциям электрополировки и утонения пластин, формирования анодных окисных пленок и слоев пористого кремния (формирование пористого кремния включает в себя несколько одновременно протекающих процессов - электрохимического травления и полирования, а также анодного окисления)
Способ просушивания кремния // 2141700
Изобретение относится к способу просушивания с соблюдением чистоты поверхностей таких материалов, как полупроводники, керамика, металлы, стекло, пластмассы и, в частности, кремниевые пластины и лазерные диски, у которых подложка погружена в жидкую ванну, а поверхности просушиваются по мере отделения от жидкости, например, путем продувки газа над поверхностью жидкости, причем газ может растворяться в жидкости и снижает поверхностное натяжение жидкости