Силовой диффузионный лавинный вентиль

 

2I3I95

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Goes Советских

-Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 08.Ч!!.1966(№ 1088461/26-25) с присоединением заявки №

Кл. 21g, 11/02

МПК Н 01l

УД К 621.382,002.621.314. .632 (088.8) Приоритет

Опубликовано 12Л11.1968. Бюллетень № 10

Дата опубликования описания 7Х.1968

Комитет по делам ивобретеиий и открытий при Совете тлииистров

СССР

Авторы изобретения

А. Д. Булкин и В. П. Михайлов

Заявитель

СИЛОВОЙ ДИФФУЗИОННЫЙ ЛАВИННЫЙ ВЕНТИЛЬ

Область использования настоящего изобретения — силовая полупроводниковая техника.

Известна конструкция диффузионных лавинных вентилей, например, на основе и-кремния. в которых для повышения напряжения поверхностного пробоя создается кольцевая низкоомная область на периферии полупроводниковой пластины, так называемое «защитное кольцо». В этих вентилях «ступенчатый» р — и — переход выводится на боковую поверхность полупроводниковой пластины посредством снятия фаски.

Предлагаемая диффузионная р — и — структура отличается от известной тем, что р — и —— переход выходит на поверхность эмиттерной стороны пластины и может быть вскрыт, например, травлением кольцевой периферийной области пластины кислотными травителями типа CP-4.

Кроме того, предлагаемая конструкция р — п — структуры позволяет осуществить вскрытие р и — переходов непосредственно на пластинах, до пайки их на компенсирующие электродные диски; использовать для защиты р — n — переходов термостойкие кремний-органические лаки; вести контроль р — и— переходов по вольтамперной характеристике на пластинах, применить одновременную пайку кристалла на оба электродных диска.

Высокая эффективность применения предлагаемой р — и — структуры в силовых полупроводниковых лавинных вентилях обусловлена тем, что в этой структуре, в отличие от известной, «защитное кольцо» расположено не на периферии полупроводниковой пластины, а на некотором расстоянии от ее края. Вследствие этого «ступенчатый» р — и — переход имеет дополнительную (внешнюю) область, выходящую на «эмиттерную» сторону пластины.

Вентили. исполненные на основе предлагаемой р — и — структуры, по электрическим параметрам надежности и проценту выхода годных изделий превосходят известные лавинные вентили с «защитным кольцом».

20 Предмет изобретения

Силовой диффузионный лавинный вентиль, содержащий кольцевую низкоомную область эмиттера, отличающийся тем. что, с целью улучшения электрических параметров и на25 дежности, вышеуказанная область эмиттера окружена базовой областью.

Силовой диффузионный лавинный вентиль 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к силовой полупроводниковой технике

Изобретение относится к запоминающим устройствам высокой степени интеграции и способу их изготовления

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано для изготовления сверхмощных и высокоточных транзисторов

Изобретение относится к электротехнике, в частности к катушкам индуктивности, используемым при создании различных электронных схем

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к технологии изготовления эпитаксиальных структур для производства полупроводниковых приборов

Изобретение относится к твердотельным приборам СВЧ и КВЧ диапазонов, предназначенным для защиты входных цепей чувствительных радиоэлектронных приемных устройств
Наверх