Способ определения концентрации ионов свинца в монокристаллических ферритах-гранатах

 

Изобретение относится к физике твердого тела и к физике магнитных явлений, в частности к мессбауэровской спектроскопии. Регистрируется мессбауэровский спектр монокристалла или пленки феррита-граната, а концентрация ионов Pb определяется по определенной формуле. Техническим результатом изобретения является возможность определения концентрации ионов свинца в монокристаллических ферритах-гранатах с минимальной концентрацией ионов свинца. 6 ил.

Изобретение относится к физике твердого тела и физике магнитных явлений, в частности к мессбауэровской спектроскопии, и может использоваться для определения концентрации ионов Рb в монокристаллических феритах-гранатах, а также позволит проводить отбраковку для высокодобротных приборов СВЧ-электроники и магнитооптики ферритов-гранатов с минимальной концентрацией ионов свинца.

Известно, что вводимые в решетку магнитного кристалла даже в мизерных количествах примесные ионы влияют на параметры мессбауэровского спектра (см. 1. Жураковский Е.А., Киричок П.П. Электронные состояния в ферромагнетиках. - Киев, Наукова думка, 1985, 280 с.; 2. Любутин И.С., Макаров Е.Ф., Повицкий Е.А. Эффект Мессбауэра на ядрах Fe57 в соединении Y3-xCaxFe5-xSnxO12. Журнал экспериментальной и теоретической физики, 1967, 53, 7, c. 65-70; 3. Любутин И.С., Макаров Е.Ф., Повицкий Е.А. Эффективные магнитные поля на ядрах Fe57 и Sn119 в ферритах-гранатах с большим содержанием ионов Sn4+. Физика твердого тела, 1968, 10, 2, с. 534-541; 4. Боков В.Л., Попов Г.В., Ющук С.И. Влияние числа обменных связей ионов Fe3+ на эффективные магнитные поля на ядрах Fe57 в гранатах Y3-xCaxV5O12. Физика твердого тела, 1969, 11, 3, с. 593-597; 5. Исследование сверхтонких взаимодействий в ферритах Y3Co0,5xTi0,5xFe5-xО12 / П. П. Киричок, Л.Г. Кустовский, Ю.С. Авраамов и др. Известия вузов. Физика, 1975, 3, с. 141-143).

С увеличением концентрации примеси изменяется форма мессбауэровского спектра и такие его параметры как изомерный сдвиг , квадрупольное расщепление и эффективные магнитные поля Нэфф на ядрах мессбауэровского иона в разных положениях кристаллической решетки. По изменению определенных параметров можно оценить, а во многих случаях и количественно определить концентрацию примеси.

Существуют способы контроля примеси в кристаллах гранатов, в которых пики дополнительного поглощения (центры окраски) связывают с конкретным типом примеси (ростовых дефектов) (см. Н.С. Ковалева и др. Связь образования радиационных центров окраски с ростовыми дефектами в кристаллах ИАГ: Nd, "Квантовая электроника", 1991, т.8, 11, с. 2435-2438). Однако данные способы применимы только для лазерных кристаллов-гранатов на основе Y3Al5O12 и не могут использоваться для контроля ионов Рb в монокристаллических ферритах-гранатах.

Наиболее близким к предлагаемому техническому решению является оптический способ контроля качества монокристаллических ферритов-гранатов (см. Костишин В.Г., Медведь В.В., Летюк Л.М., Шипко М.Н. Патент РФ на изобретение 2157576, зарегистрирован в государственном реестре изобретений 10.10.2000). Однако данный способ не дает возможности количественных измерений концентрации ионов Рb в монокристаллических ферритах-гранатах.

Сущность предлагаемого способа состоит в следующем. При вхождении в решетку магнитного граната свинец входит в состоянии Рb2+ в додекаэдрическую под решетку, а в состоянии Рb4+ - в додекаэдрическую и октаэдрическую подрешетку (см. Рандошкин В.В., Червоненкис А.Я. Прикладная магнитооптика. - М. : Энергоатомиздат, 1990, 320 с.). Поскольку ферримагнетизм ферритов обусловлен косвенным обменным взаимодействием ионов Fe3+ через ионы О2-, то ионы Рb4+, замещая додекаэдрические и октаэдрические позиции, из-за большого количества немагнитных соседей в ближайшей координационной сфере выключают часть ионов Fe3+(d) из обмена (см. Костишин В.Г., Медведь В.В., Летюк Л.М. Влияние температуры роста на структуру и некоторые свойства эпитаксиальных пленок Y3Fe5O12. Неорганические Материалы, 1999, т. 35, 2, с. 222-226 и фиг. 1, 2). Этот факт проявляется на мессбауэровском спектре в виде центрального парамагнитного дублета с изомерным сдвигом = -0,117 мм/с и квадрупольным расщеплением = 0,573 мм/с; площадь дублета растет с ростом концентрации ионов Рb (см. 1). Костишин В.Г., Медведь В.В., Летюк Л.М. Влияние температуры роста на структуру и некоторые свойства эпитаксиальных пленок Y3Fe5O12. Неорганические Материалы, 1999, т. 35, 2, с. 222-226; 2) Костишин В.Г., Медведь В.В., Летюк Л.М. и Шипко М.Н. Мессбауэровская спектроскопия и некоторые оптические свойства эпитаксиальных пленок Y3Fe5O12 с различным содержанием ионов Рb. Известия Вузов. Материалы электронной техники, 1, 2000, с. 42-47 и фиг.3 ).

Мессбауэровская спектроскопия выбрана как метод исследования из соображений высокой чувствительности.

Таким образом, признаками предлагаемого изобретения являются: 1) В качестве метода исследования используется мессбауэровская спектроскопия; 2) О наличии в кристаллической решетке феррита-граната ионов свинца концентрации СPb0,005 ф. е. судят по появлению в мессбауэровском спектре парамагнитного дублета с изомерном сдвигом =-0,117 мм/с и квадрупольным расщеплением =0,573 мм/с; 3) Концентрацию ионов свинца определяют по формуле где СPb - концентрация ионов свинца в формульных единицах; Sдубл - площадь соответствующего ионам свинца дублета в мессбауэровском спектре исследуемого феррита-граната (%).

На фиг. 1, 2 представлено схематическое изображение ближайших соседей-катионов, связанных с ионом Fe3+ в структуре стехиометрического Y3Fe5O12 через ионы О2-: фиг.1: для Fe3+ (d)-иона; фиг.2: для Fe3+ (а)-иона; на фиг. 3 - характерный мессбауэровский спектр эпитаксиальной монокристаллической пленки Y3Fe5O12 с концентрацией ионов свинца СPb=0,015 ф.е. (Tg= 985oС, Vg=1,20 мкм/мин, h=31,5 мкм); на фиг.4 - графическая зависимость относительной площади парамагнитного дублета мессбауэровских спектров Y3Fe5O12 от концентрации ионов свинца; на фиг.5 - мессбауэровский спектр пленки ЖИГ (Tg=930oС, Vg=0,64 мкм/мин, h=29,0 мкм;
на фиг.6 - мессбауэровский спектр монокристаллической пластинки, полученной из кристалла, выращенного методом БЗП (с использованием высокочистого сырья).

Как видно из фиг.4, эта зависимость имеет вид прямой линии у=kx+b. Обработка экспериментальных точек методом наименьших квадратов показала, что прямая имеет вид Sдубл=508,61 СPb - 3,632, где Sдубл - относительная площадь парамагнитного дублета в мессбауэровском спектре, %; СPb - концентрация ионов Рb в кристаллической решетке магнитного граната.

Разработанный способ был реализован следующим образом. Образцами служили эпитаксиальные пленки Y3Fe5O12 толщиной h=(10-50) мкм и монокристаллические пластинки Y3Fe5O12, Y3(FeGa)5O12 толщиной ~ 100 мкм. Пленки были выращены при разных температурах роста на подложках Gd3Ga5O12 кристаллографической ориентации <111> с 5%-ным обогащением изотопом Fe57. Использовался как свинцовый растворитель РbО-В2О3, так и не содержащий свинца Li2O-В2O3.

Подложка с нерабочей стороны структуры сошлифовывалась до толщины ~100 мкм; после этого образец для придания механической прочности и сохранения при этом хорошей пропускной способности к излучению мессбауэровского источника наклеивался на тонкие пластинки Be.

Мессбауэровские спектры регистрировали на спектрометре МС 1101Е фирмы "МОСТЕК" при нормальных атмосферных условиях в режиме пропускания.

Пример 1. В качестве образца использовалась монокристаллическая пленка Y3Fe5O12, выращенная методом жидкофазной эпитаксии из раствора в расплаве на основе PbO-B2O3 на подложке гадолиний-галлиевого граната кристаллографической ориентации (111). Для увеличения вероятности эффекта Мессбауэра в шихту добавлялся оксид Fe2 57О3. Было получено 5%-ное обогащение объектов исследования изотопом Fе57. Для реализации геометрии пропускания в мессбауэровском эксперименте нерабочая часть структуры (нерабочая пленка и большая часть подложки) сошлифовывалась и сполировывалась до толщины, достаточной для прохождения -квантов, а полученный образец для придания ему механической прочности наклеивался на тонкую бериллиевую пластинку. Температура роста пленки Tg=985oС, скорость роста Vg=1,20 мкм/мин, толщина пленки h=31,5 мкм. На фиг. 4 изображен мессбауэровский спектр образца, полученный в геометрии пропускания с 256 каналами измерения. На чертеже наряду с традиционным для феррит-гранатов наложением секстетов от а- и d-подрешеток, в центре спектра отчетливо виден симметричный дублет. Площадь дублета равна дубл=3,29% от площади всего спектра. По формуле СРb=(Sдубл+3,632)/508,61 находим концентрацию ионов свинца: СPb=(3,29+3,632)/508,610,014 (формульных единиц).

Пример 2. В качестве образца использовалась монокристаллическая пленка Y3Fe5O12, полученная в аналогичных предыдущему примеру условиям, но при другой температуре роста с целью добиться иного содержания свинца. Температура роста пленки Tg=930oС, скорость роста Vg=0,64 мкм/мин, толщина пленки h=29,0 мкм. На фиг. 5 изображен мессбауэровский спектр образца, полученный в геометрии пропускания с 256 каналами измерения. На чертеже наряду с традиционным для феррит-гранатов наложением секстетов от а- и d-подрешеток в центре спектра отчетливо виден симметричный дублет. Площадь дублета равна дубл= 0,69% от площади всего спектра. По формуле СPb=(Sдубл+3,632)/508,61 находим концентрацию ионов свинца: СPb=(0,69+3,632)/508,610,009 (формульмых единиц).

Пример 3. В качестве образца использовалась монокристаллическая пластинка, полученная из кристалла, выращенного методом бестигельной зонной плавки (БЗП) с использованием высокочистого сырья. На фиг.6 изображен мессбауэровский спектр, полученный в геометрии пропускания с 256 каналами измерения. В отличие от предыдущих примеров в центре спектра нет дублета. Это связано с тем, что в этом случае не используются флюсы и растворители, поэтому в кристалл не попадает свинец и дублета нет.


Формула изобретения

Способ определения концентрации ионов свинца в монокристаллических ферритах-гранатах, включающий их спектроскопическое исследование, отличающийся тем, что в качестве метода исследования используется мессбауэровская спектроскопия, о наличии в кристаллической решетке феррита-граната ионов свинца концентрации CPb 0,005 формульных единиц судят по появлению в мессбауэровском спектре парамагнитного дублета с изомерным сдвигом = -0,117 мм/с и квадрупольным расщеплением = 0,573 мм/с, а концентрацию ионов свинца определяют по формуле

где CPb - концентрация ионов свинца, формульные единицы;
Sдубл - площадь соответствующего ионам свинца дублета в мессбауэровском спектре исследуемого феррита-граната, ед.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3, Рисунок 4, Рисунок 5, Рисунок 6



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области анализа материалов с помощью физических средств и может быть использовано в технологии изготовления микроэлектронных полупроводниковых приборов

Изобретение относится к устройствам для климатических испытаний готовых полупроводниковых приборов

Изобретение относится к устройствам внутренней дефектоскопии, а именно к средствам неразрушающего контроля, в частности к средствам контроля при производстве полупроводниковых и гибридных структур

Изобретение относится к неразрушающим способам диагностики структурного совершенства эпитаксиальных слоев кремния, выращенных на диэлектрических монокристаллических подложках, и может использоваться в технологии микроэлектроники для контроля дефектности приборных слоев интегральных схем или дискретных приборов, изготавливаемых на структурах типа "кремний на сапфире" (КНС)

Изобретение относится к устройствам, используемым в полупроводниковом производстве, и может быть применено для климатических испытаний готовых полупроводниковых приборов при одновременном измерении их электрических параметров

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к неразрушающим способам диагностики структурного совершенства диэлектрических слоев, осажденных на проводящую или полупроводниковую подложку, и может использоваться в технологии микроэлектроники для контроля качества подзатворных диэлектриков, маскирующих, защитных или изолирующих слоев

Изобретение относится к области метрологии, а именно к метрологическому сопровождению технологии получения слитков полупроводникового кремния
Изобретение относится к способам испытаний полупроводниковых приборов, в частности фотодиодов, применяемых в системах управления и ориентации, на стойкость к воздействию дестабилизирующих факторов внешней среды

Изобретение относится к способам испытаний полупроводниковых приборов на стойкость к воздействию нейтронного излучения с энергией 14 МэВ по результатам испытаний на стойкость к гамма-нейтронному излучению реактора со средней энергией нейтронов (1,0-3,0) МэВ с использованием коэффициентов перерасчета, в частности фотодиодов, применяемых в системах управления и ориентации

Изобретение относится к области радиационных испытаний полупроводниковых приборов

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров полупроводников и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе металл-диэлектрик-полупроводник (МДП)-структур

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к определению высоты потенциального барьера диода с барьером Шоттки

Изобретение относится к области производства и эксплуатации интегральных схем и может быть использовано для их отбраковки с наличием загрязнений кристаллов в загерметизированных ИС, приводящих со временем к коррозии алюминиевой металлизации на кристалле

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению качества и надежности полупроводниковых приборов за счет определения потенциально нестабильных полупроводниковых приборов, и может быть использовано как на этапе производства, так и применения

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению надежности партий транзисторов за счет определения потенциально ненадежных приборов и может быть использовано как на этапе производства, так и применения

Изобретение относится к области полупроводниковой техники и электроники

Изобретение относится к производству изделий микроэлектроники с применением субмикронной литографии, в частности для получения элементов структур субмикронных размеров на полупроводниковых и других подложках
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению качества и надежности транзисторов за счет определения потенциально нестабильных транзисторов

Изобретение относится к электрофизическим методам контроля параметров тонких подзатворных диэлектриков, в частности к методам контроля электрической прочности и долговечности подзатворного оксида МОП-транзистора
Наверх