Способ определения напряжения плоских зон полупроводника в металл-диэлектрик-полупроводник-структурах
Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров полупроводников и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе металл-диэлектрик-полупроводник (МДП)-структур. Способ заключается в том, что на МДП-структуру подают напряжение смещения Uсм и обедняющие импульсы напряжения U1 с амплитудой, равной 4nqN/C20, где n- диэлектрическая постоянная полупроводника, N - уровень легирования полупроводника, q - заряд электрона, С0 - емкость диэлектрика МДП-структуры, а напряжение плоских зон находят по напряжению смещения, при котором сигнал на нагрузочной емкости уменьшается в два раза по сравнению с сигналом на ней при подаче обедняющего импульса на МДП-структуру, находящуюся в состоянии обогащения. Технический результат, обеспечиваемый изобретением, - получение возможности просто при непосредственной регистрации Uсм=UFB, без сложных расчетов определять UFB с высокой точностью (до 1,0%) при уменьшении сигнала на нагрузочной емкости в два раза. Способ может быть выполнен на стандартной радиоизмерительной аппаратуре.
Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров полупроводников и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур.
Напряжение плоских зон UFB является одним из основных и широкоиспользуемых параметров МДП-структур, величина которого определяется суммарной плотностью зарядов (Qф) в диэлектрике и на границе раздела диэлектрик-полупроводник. В свою очередь величина Qф полностью определяется физическими свойствами диэлектрика и полупроводника и особенностями технологического процесса изготовления приборов. В настоящее время для исследования свойств МДП-структур, в частности для определения UFB, широко используется метод вольт-фарадных характеристик (ВФХ) [1]. Однако, в этом случае для определения UFB необходимо сопоставление теоретических (расчетных) и экспериментальных ВФХ, что, во-первых, не обеспечивает экспрессности измерений, и во вторых, не всегда возможно, так как для экспериментальных МДП-структур в ряде случаев не выполняются условия, необходимые для расчета теоретических ВФХ (например, наличие утечек в диэлектрике и большая плотность поверхностных состояний и ловушек на границе диэлектрик-полупроводник не позволяет с достаточной точностью вычислять концентрацию легирующей примеси в полупроводнике и завышает величину емкости структуры в режиме плоских зон). Известен способ определения UFB при освещении МДП-структуры импульсами света из области собственного поглощения полупроводника [2]. Сущность способа заключается в подаче и регистрации на МДП-структуре такого напряжения смещения Uсм, при котором сигнал фотоЭДС при освещении МДП-структуры принимает минимальное значение. Недостатками данного способа являются: необходимость специальной оптической системы и источника света определенной длины волны излучения; невозможность определения UFB для непрозрачных для света МДП-структур (образцы с непрозрачными электродами в закрытых корпусах); искажение минимального сигнала фотоЭДС за счет перезарядки поверхностных состояний (ПС) светом - это затрудняет определение UFB, особенно при концентрации ПС больших N~1011 эВ-1см-2. Известен способ определения UFB путем измерения интегральных емкостей МДП-структуры [3] . UFB определяется по напряжению смещения при выполнении условия: 1/C1+1/C2=1/C3, где C1, С2, С3 - интегральные емкости МДП-структуры на первом, втором и третьем обедняющих импульсах соответственно Недостатком данного способа является необходимость изготовления специального измерительного устройства для его реализации. За прототип выбран способ определения UFB, описанный в [4]. Для определений напряжения плоских зон используется простая мостовая схема измерения емкости, которая балансируется одновременно по двум сигналам - малому высокочастотному тестовому сигналу и большому сигналу обедняющего импульса U1 при подаче на структуру постоянного напряжения смещения Uсм, величина которого может изменяться. При этом определяется соответственно дифференциальная (Сп) и интегральная (C1) емкости МДП-структуры. В режиме плоских зон, как показывают расчеты, должно выполняться соотношение: C1=2Сп. Напряжение смещения, при котором выполняется это соотношение, и будет являться напряжением UFB. Недостатком данного способа является необходимость измерения в нем дифференциальной емкости, которую измеряют на малом тестовом сигнале амплитудой порядка kT/q (30-50 мВ), где k - постоянная Больцмана, Т - температура МДП-структуры, q - заряд электрона). Это накладывает высокие требования к чувствительности применяемой измерительной техники. Кроме того, недостатком данного способа является необходимость применения специального устройства для измерения дифференциальной и интегральной емкости МДП-структуры. Технический результат, обеспечиваемый изобретением, - увеличение точности определения UFB за счет использования только большого сигнала обедняющего импульса напряжения, а также упрощения устройства, реализующего способ. Этот результат достигается тем, что в известном способе выбирают амплитуду обедняющего импульса равной 4nqN/C20, где n - диэлектрическая постоянная полупроводника, N - уровень легирования полупроводника, q - заряд электрона, С0 - емкость диэлектрика МДП-структуры, а напряжение плоских зон находят по напряжению смещения, при котором сигнал на нагрузочной емкости уменьшается в два раза по сравнению с сигналом на ней при подаче обедняющего импульса на МДП-структуру, находящуюся в состоянии обогащения. Покажем, что условие уменьшения сигнала на нагрузочной емкости в два раза выполняется только в режиме плоских зон, т.е. при Uсм=UFB. При этом обедняющий импульс напряжения U1 делится пополам между емкостью диэлектрика С0 и емкостью полупроводника С МДП-структуры. Рассмотрим распределение напряжения на МДП-структуре при подаче на нее обедняющего импульса напряжения U1. На основании условия электронейтральности МДП-структуры для момента времени, соответствующему скачку напряжения (t=0), можно записать следующие соотношения для приращения заряда на металлическом электроде (QM), заряда области пространственного заряда (ОПЗ) полупроводника (QSC) и заряда в диэлектрике (Q0) с пренебрежением изменением заряда в инверсионном слое, на ловушках в диэлектрике и на границе раздела: QM=QSC=Q0. (1) В свою очередь QSC=qNW, (2) где W - приращение ширины ОПЗ полупроводникаQ0=С0U0, (3)
где U0 - падение напряжения в диэлектрике
С0U0=qNW. (4)
Для приращения ширины ОПЗ (W) в момент подачи на структуру импульса напряжения U1
где и S - изгибы зон в полупроводнике до и после приложения к структуре импульса напряжения U1 соответственно. Для S справедливо следующее выражение:
Используя выражения (4), (5), (6) и учитывая, что в точке плоских зон , можно получить следующее выражение для распределения обедняющего импульса напряжения U1 в МДП-структуре:
U0 = 2nqN/C2o(U1/U0-1) (7)
Анализ выражения (7) позволяет сделать вывод о том, что именно при U1/U0= 2 приложенный к МДП-структуре обедняющий импульс напряжения поделится в ней пополам, т.к. U1=2U0=U0+S, следовательно U0=S, это будет выполняться при U0 = 2nqN/C2o и U1 = 4nqN/C2o, при Uсм=UFB, т.к. выражение (7) действительно при =0. Как видно из выражения (7), для реализации предложенного способа определения UFB необходимо измерять U0 МДП-структуры. Падение напряжения в диэлектрике U0 может быть легко определено по сигналу на нагрузочной емкости Сн, включенной последовательно с МДП-структурой. Для того чтобы уменьшить погрешность измерения U0, выбирают Сн100 С0, тогда U0=Сн/СоUн. Сигнал на нагрузочной емкости может быть измерен любым прибором, например осциллографом или импульсным вольтметром. При приложении обедняющего импульса напряжения U1 к МДП-структуре, находящейся в состоянии сильного обогащения, все приложенное напряжение будет падать на емкости диэлектрика С0 МДП-структуры, т.к. в этом случае следовательно U0=U1. Сигнал на нагрузочной емкости при этом будет равен Uн=U1C0/Сн. По мере изменения Uсм и приближению МДП-структуры к состоянию плоских зон в полупроводнике Uн уменьшится в два раза в соответствии с уменьшением U0 в два раза. Отметим, что длительность tимп обедняющего импульса U1, подаваемого на МДП-структуру, так же как и в прототипе, выбирают исходя из условия сохранения обеднения в структуре, при подаче обедняющего импульса. Постоянная времени релаксации tpeл состояния обеднения для большинства исследуемых структур определяется генерационно-рекомбинационными параметрами полупроводника, и находится в диапазоне 0,1-10 с. Можно использовать соотношения для tимпtрел/20. Предлагается использовать tимп = 1-10 мкс, при частоте следования f=10-50 кГц. Поэтому tpел можно пренебречь. Для МДП-структуры, изготовленной на кремнии КДБ-1 с диоксидом кремния толщиной 0,1 мкМ, площадью металлического электрода 1 мм2, было определено напряжение плоских зон. Для расчета величины U1 = 4nqN/C2o использовались следующие значения постоянных: n = 1,041012 ф/см2, q = 1,610-19 К, N = 21016 см-3, С0 = 340 нФ, Сн = 3,4104 нФ. Для вышеприведенных значений постоянных U1=11,51 В. Для МДП-структуры в состоянии сильного обогащения н= 11510-3 В. При достижении сигнала Uн=57,510-3. В напряжение Uсм=UFB=2,45 В, причем при изменении Uсм от состояния плоских зон на 2kT/q (~50 мВ) сигнал на нагрузке Uн изменяется на ~20%. Это позволяет с высокой точностью (~ 1%) регистрировать напряжения плоских зон в МДП-структурах. Существенным достоинством предложенного способа является простота определения UFB при регистрации Uсм=UFB непосредственно при уменьшении сигнала на нагрузочной емкости в два раза. Способ может быть реализован на стандартной радиоизмерительной аппаратуре. По сравнению с прототипом в нем отсутствует малосигнальный тестовый импульс, и это позволяет значительно повысить точность определения UFB (в 2-3 раза) и уменьшить требования к чувствительности измерительной регистрирующей аппаратуры и значительно упростить устройство, реализующее способ. Источники информации
1. Zaininger K. H. Heiman F.P. The Technique as an Analytical Tool // Solid State Technology, v.13, 1973, 6, p.47-55. 2. Yun В.Н. Direct measurement of flat-bend voltage in MOS by infrared exception // Applied Physics letters, v. 21, 1972, 5, р.194-195. 3. Патент РФ 2133999, H 01 L 21/66, 1999. 4. Бородзюля В.Ф., Голубев В.В. Методы электрического тестирования заряда в диэлектрике и на поверхностных состояниях в МДП-структурах. Тезисы докладов Российской научно-технической конференции по физике диэлектриков с международным участием. "Диэлектрики-93", С.-Пб., 22-24 июня 1993, ч. 2, с. 100.
Формула изобретения