Способ выделения из партии варикапов группы приборов повышенной надежности

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности варикапов, и может быть использовано для отбраковки потенциально ненадежных приборов, а также для выделения приборов повышенной надежности как на этапе производства, так и на этапе применения. Сущность: измерение максимальной емкости варикапов проводится до воздействия электростатического заряда (ЭСР), после воздействия ЭСР и после температурного отжига. Воздействию ЭСР подвергаются приборы напряжением допустимым потенциалом, указанным в технических условиях на данный прибор. По отношению максимальной емкости варикапов после температурного отжига к начальному значению судят об их потенциальной надежности. Технический результат: повышение достоверности. 1 табл.

 

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых приборов, и может быть использовано для отбраковки потенциально ненадежных приборов, а также для выделения приборов повышенной надежности как на этапе производства, так и на этапе применения.

Известен способ определения потенциально ненадежных полупроводниковых приборов [1], состоящий в том, что после измерения интенсивности шумов пропускают через испытуемый прибор импульс тока, в 1.5-5 раз превышающий по амплитуде предельно допустимое значение, затем измеряют интенсивность шумов и по отношению результатов двух измерений судят о потенциальной ненадежности приборов.

Недостатком метода является подача импульса тока, в 1.5-5 раз превышающего по амплитуде предельно допустимое значение по техническим условиям (ТУ) на прибор, что может вызвать необратимые процессы в структуре приборов, которые могут привести в эксплуатации к преждевременным отказам, например, по дефекту "прокол базы".

Изобретение направлено на повышение достоверности и расширение функциональных возможностей. Это достигается тем, что измерения максимальной емкости p-n-перехода осуществляют до, после воздействия ЭСР и после температурного отжига, а выделение приборов с повышенной надежностью проводят по критерию М=1, где

где Смакс.нач, Смакс.отж - емкость p-n-перехода варикапа начальная и после термического отжига.

Способ осуществляется следующим образом. Измеряются емкости полупроводниковых приборов: до воздействия электростатического заряда (ЭСР), после воздействия ЭСР и после температурного отжига. Воздействию ЭСР подвергаются приборы напряжением, соответствующим допустимому значению, указанному в ТУ на данный прибор. Воздействие ЭСР может привести к некоторому изменению электрических параметров приборов, в том числе емкости, которые в зависимости от идеальности структуры прибора в той или иной степени отжигаются при температурном воздействии.

Измерение емкости варикапов проводилось с помощью установки для измерения параметров полупроводниковых приборов. Воздействие ЭСР осуществлялось по модели "тела человека".

Разделение приборов по надежности проводят по критерию М:

где Смакс.нач, Смакс.отж - емкость p-n-перехода начальная и после температурного отжига соответственно.

При этом для приборов повышенно-надежных значение М=1.

Пример осуществления способа:

Варикапы типа KB107 имеют значение емкости Смакс=40 пФ при U=0 В. Варикапы подвергались воздействию ЭСР величиной 1000 В, после чего проводился температурный отжиг в течение 6 ч при температуре 100°С. Значения Смакс до, после ЭСР и после отжига приведены в таблице.

Анализируя таблицу, можно сказать, что ЭСР снижает значение Смакс на величину от 6 до 25%, а значение коэффициента М показывает, что отжиг в течение 6 ч восстанавливает Смакс в пределах от 0.955 до 1.

Полное восстановление параметра Смакс после отжига говорит о повышенной надежности варикапа, поэтому для повышенно-надежных варикапов М=1, т.е. варикап №2 будет иметь повышенную надежность.

Таблица

Значение емкости Смакс варикапов KB107
N п/пЗначение Смакс, пФМ
начальноепосле ЭСРпосле отжига
13326320.970
23634361
34433430.977
44538430.955
54336420.976

Источники информации

1. Авторское свидетельство СССР № 490047, G01R 31/26.

Способ выделения из партии варикапов группы приборов повышенной надежности путем измерения максимальной емкости р-n-перехода, отличающийся тем, что измерение емкости осуществляют до, после воздействия ЭСР и последующего температурного отжига, а выделение приборов с повышенной надежностью проводят по критерию М=1, где

Смакс.нач, Смакс.отж - емкость р-n-перехода варикапа начальная и после термического отжига.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к методам диагностики шумовых и динамических параметров сверхбыстродействующих полевых СВЧ- и КВЧ-транзисторов. .

Изобретение относится к технике измерения тепловых параметров силовых полупроводниковых приборов в корпусном исполнении и может быть использовано для контроля их качества.

Изобретение относится к контролю изоляции блока питания. .

Изобретение относится к измерению шумов полупроводниковых изделий. .

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению качества и надежности полупроводниковых изделий (ППИ), и может быть использовано как на этапе производства, так и на этапе применения.
Изобретение относится к электротехнике, а именно к способам определения потенциально ненадежных интегральных схем (ИС), в том числе по стойкости к электростатическим разрядам (ЭСР), и может быть использовано на этапе серийного производства ИС, а также на входном контроле при производстве радиоаппаратуры.

Изобретение относится к области испытаний и контроля полупроводниковых изделий (диодов, транзисторов, интегральных схем) и может быть использовано для разбраковки по критерию потенциальной надежности как в процессе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам определения потенциально ненадежных интегральных схем (ИС) в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам определения в партии потенциально ненадежных интегральных схем (ИС). .
Изобретение относится к электротехнике, в частности к способам определения потенциально ненадежных интегральных схем (ИС). .

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению качества и надежности полупроводниковых приборов

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых изделий (ППИ) (диодов, транзисторов, интегральных схем), а также для анализа изделий, отказавших у потребителя

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению надежности партий биполярных транзисторов за счет определения потенциально ненадежных приборов, и может быть использовано как на этапе производства, так и применения

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению качества и надежности полупроводниковых изделий (ППИ), и может быть использовано как на этапе производства, так и на этапе применения

Изобретение относится к тестированию функциональной способности электронного переключателя

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам определения потенциально ненадежных аналоговых интегральных схем (ИС) в процессе производства, а также при изготовлении радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления интегральных схем оперативно запоминающих устройств (ИС ОЗУ), а также для причин их отказов
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к контролю полупроводниковых приборов
Наверх