Фотоприемная ячейка

Изобретение относится к области микроэлектроники, а более конкретно к производству интегральных многоэлементных фотоприемников. Технический результат изобретения: расширение динамического диапазона и обеспечение технологической совместимости со стандартной CMOS технологией. Сущность: фотоприемная ячейка содержит в подложке первого типа проводимости, по крайней мере, один р-n переход, залегающий на глубине от поверхности, покрытой слоем двуокиси кремния. По крайней мере, часть поверхности над р-n переходами покрыта слоем поликристаллического кремния толщиной, достаточной для подавления ультрафиолетовой и синей части падающего излучения. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.

 

Изобретение относится к области микроэлектроники, а более конкретно к производству интегральных многоэлементных фотоприемников.

Известны фотоприемные ячейки для интегральных многоэлементных фотоприемников, выполненные в виде фотодиодов [1].

Известны также фотоприемные ячейки с разделением цветов падающего светового потока, содержащие в кремниевой подложке первого типа проводимости, по крайней мере, один p-n переход, расположенный на глубине от поверхности, покрытой слоем двуокиси кремния [2].

Данное техническое решение является наиболее близким к заявляемому по технической сущности и выбирается в качестве прототипа.

Известные фотоприемные ячейки имеют следующие существенные недостатки: сравнительно узкий динамический диапазон и технологическую несовместимость со стандартной CMOS технологией.

Техническим результатом настоящего изобретения является расширение динамического диапазона. Другим техническим результатом настоящего изобетения является обеспечение технологической совместимости со стандартной CMOS технологией.

Эти технические результаты достигнуты в фотоприемной ячейке, содержащей в подложке первого типа проводимости, по крайней мере, один p-n переход, залегающий на глубине от поверхности, маскированной слоем двуокиси кремния, в которой, по крайней мере, часть поверхности над p-n переходами покрыта слоем поликристаллического кремния толщиной, достаточной для подавления ультрафиолетовой и синей части падающего излучения.

Отличие фотоприемной ячейки с разделением цветов согласно настоящему изобретению заключается в том, что, по крайней мере, часть поверхности над p-n переходами покрыта слоем поликристаллического кремния толщиной, достаточной для подавления ультрафиолетовой и синей части падающего излучения.

Отличие второго варианта фотоприемной ячейки согласно настоящему изобретению заключается в том, что слой поликристаллического кремния имеет толщину 0,2 мкм.

Отличие третьего варианта фотоприемной ячейки согласно настоящему изобретению заключается в том, что имеет боковую диэлектрическую изоляцию.

Отличие четвертого варианта фотоприемной ячейки согласно настоящему изобретению заключается в том, что имеет дополнительный омический контакт к приповерхностному инверсионному слою, который образуется под упомянутым слоем поликристаллического кремния при приложении к нему положительной полярности.

Настоящее изобретение поясняется приведенными чертежами.

На фиг.1 приведен схематический разрез фотоприемной ячейки согласно настоящему изобретению.

На фиг.2 приведен схематический разрез фотоприемной ячейки согласно четвертому варианту настоящего изобретения.

Фотоприемная ячейка согласно настоящему изобретению содержит кремниевую подложку 1, в которой сформирован, крайней мере, один p-n переход 2 на глубине от поверхности 3 подложки, покрытой слоем 4 двуокиси кремния, на котором расположен слой 5 поликристаллического кремния толщиной, достаточной для подавления ультрафиолетовой и синей части падающего излучения.

Фотоприемная ячейка согласно второму варианту настоящего изобретения имеет слой поликристаллического кремния толщиной 0,2 мкм.

В третьем варианте фотоприемной ячейки согласно настоящему изобретению она дополнительно имеет боковую диэлектрическую изоляцию 6 p-n переходов от подложки.

Фотоприемная ячейка согласно четвертому варианту имеет дополнительный омический контакт 7 к приповерхностному инверсионному слою 8, который образуется под упомянутым слоем поликристаллического кремния при приложении к нему напряжения положительной полярности.

Фотоприемная ячейка с разделением цветов согласно настоящему изобретению работает следующим образом. Световой поток от элемента изображения определенной цветности, содержащий сочетание излучений в синем, зеленом и красном поддиапазонах оптического спектра, проецируется на поверхность фотоприемной ячейки. Часть излучения, соответствующая ультрафиолетовому и синему поддиапазонам оптического спектра, полностью поглощается слоем 5 поликристаллического кремния толщиной не менее 0,2 мкм. Остальные части излучения в световом потке, соответствующие упомянутым поддиапазонам спектра, поглощаются в подложке 1 с образованием электронно-дырочных пар. При этом зеленая часть спектра генерирует электронно-дырочные пары в (до 1,5-2) мкм. Наиболее глубоко в подложку (до 7 мкм) проникает красная и инфракрасная составляющие излучения, и, соответственно, эти составляющие генерируют электронно-дырочные пары в более протяженном слое. Определение в световом потоке долей излучений, соответствующих зеленому и красному поддиапазонам оптического спектра, производится путем определения количества генерированных ими электронно-дырочных пар. Для этой цели в приповерхностном слое подложки создан p-n переход 2 и создан p-n переход, образованный приповерхностным инверсионным слоем 8, который образуется под упомянутым слоем поликристаллического кремния 5 при приложении к нему напряжения положительной полярности. Электрические поля в этих переходах разделяют электроны и дырки. В результате разделения носителей заряда формируются токи через омические контакты, величины которых пропорциональны количеству генерированных электронно-дырочных пар и, следовательно, зависят от интенсивности долей излучений, соответствующих зеленому и красному поддиапазонам оптического спектра. Блокирование носителей заряда, генерированных в областях подложки, расположенных вокруг ячейки, осуществляется посредством диэлектрической изоляции 6. Эта конструктивная деталь вносит дополнительный вклад в эффективность цветоразделения.

Фотоприемная ячейка с разделением цветов согласно настоящему изобретению может быть изготовлена по широко известной технологии CMOS типа [4] и найти широкое применение при создании СБИС матричных фотоприемников, например, для видеокамер и цифровой фотографии.

ЛИТЕРАТУРА

1. USA Patent №5668596, September, 1997.

2. USA Patent №5965875, October, 1999.

3. High Speed CMOS Logic Data Book. Texas Instruments Ltd, 1991.

4. LVT Low Voltage Technology. Texas Instruments Ltd, 1992.

1. Фотоприемная ячейка, содержащая в подложке первого типа проводимости, по крайней мере, один р-n-переход, залегающий на глубине от поверхности, покрытой слоем двуокиси кремния, отличающаяся тем, что, по крайней мере, часть поверхности над p-n-переходами покрыта слоем поликристаллического кремния с толщиной, достаточной для подавления ультрафиолетовой и синей частей падающего излучения.

2. Фотоприемная ячейка по п.1, отличающаяся тем, что слой поликристаллического кремния имеет толщину 0,2 мкм.

3. Фотоприемная ячейка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что имеет боковую диэлектрическую изоляцию р-n-переходов от подложки.

4. Фотоприемная ячейка по п.1, или 2, или 3, отличающаяся тем, что имеет дополнительный омический контакт к приповерхностному инверсионному слою, который образуется под упомянутым слоем поликристаллического кремния при приложении к нему напряжения положительной полярности.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к детекторам с высокой эффективностью регистрации светового излучения, в том числе видимой части спектра, и может быть использовано в ядерной и лазерной технике, а также в технической и медицинской томографии и т.п.

Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к полупроводниковым приемникам, и может быть использовано для регистрации излучения различных диапазонов спектра и заряженных частиц.

Изобретение относится к области микроэлектроники, а более конкретно к производству интегральных многоэлементных фотоприемников, например, для видеокамер и цифровой фотографии.
Изобретение относится к области полупроводниковой фотоэлектроники и предназначено для регистрации светового излучения коротких световых сигналов малой интенсивности.

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для регистрации излучений различных диапазонов спектра и заряженных частиц. .

Изобретение относится к полупроводниковым структурам для обнаружения излучения видимого диапазона. .

Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями. .

Изобретение относится к микроэлектронике и используется для регистрации излучения различных диапазонов спектра и заряженных частиц. .

Изобретение относится к способу и устройству для изготовления фотогальванических (фотовольтаических) приборов, а также касается получающегося в результате изделия для преобразования света в электричество.

Изобретение относится к области микроэлектроники, а более конкретно к производству интегральных многоэлементных фотоприемников, например для видеокамер и цифровой фотографии

Изобретение относится к полупроводниковым фоточувствительным приборам с внутренним усилием сигнала

Изобретение относится к области микроэлектроники, а более конкретно к производству интегральных многоэлементных фотоприемников, например, для однокристальных цифровых видеокамер и цифровой фотографии

Изобретение относится к области микроэлектроники, а более конкретно к производству интегральных многоэлементных фотоприемников, например, для видеокамер и цифровой фотографии

Изобретение относится к полупроводниковым фоточувствительным приборам, конкретно к полупроводниковым лавинным фотодиодам с внутренним усилием сигнала

Изобретение относится к технике машинного зрения и может быть использовано в высокочувствительных видеокамерах и фотоаппаратах, в частности для регистрации трехмерных изображений

Изобретение относится к области светоизлучающих устройств, в частности к высокоэффективным светоизлучающим диодам на основе нитридов элементов третьей группы Периодической системы химических элементов Д.И.Менделеева и их твердых растворов (далее - III-нитриды)

Способ изготовления солнечного элемента содержит этапы формирования pn-перехода в полупроводниковой подложке, формирования пассивирующего слоя на светопринимающей поверхности и/или не принимающей свет поверхности полупроводниковой подложки и формирования электродов отбора мощности на светопринимающей поверхности и не принимающей свет поверхности. В качестве пассивирующего слоя формируют пленку оксида алюминия, имеющую толщину до 40 нм, при этом электрод формируют обжигом проводящей пасты при 500-900°C в течение от 1 секунды до 30 минут с образованием спеченного продукта, который проникает через пассивирующий слой, устанавливая электрический контакт между электродом и подложкой. В результате формирования пленки оксида алюминия с заданной толщиной на поверхности подложки можно добиться превосходных характеристик пассивации и превосходного электрического контакта между кремнием и электродом лишь путем обжига проводящей пасты, что является обычной технологией. Кроме того, этап отжига, который был необходим для достижения эффектов пассивации пленки оксида алюминия в прошлом, может быть устранен, резко снижая расходы. 5 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к способам изготовления фотовольтаических ячеек и может быть использовано в солнечных батареях. Предложенный способ основан на поэтапном изготовлении сенсибилизирующего слоя на основе нанокомпозитной гибридной структуры, содержащей мезопористый TiO2, полупроводниковые квантовые точки и органический краситель, и заключается в том, что для уменьшения толщины слоя КТ, адсорбированных на поверхность TiO2, вводится технологический этап предварительного удаления избыточного количества молекул солюбилизатора полупроводниковых квантовых точек из раствора и частично с поверхности квантовых точек. Это позволяет избежать самообразования дендритных структур на поверхности мезопористого TiO2 и приводит к формированию тонких слоев квантовых точек на поверхности мезопористого TiO2, обеспечивающих условия для высокоэффективного переноса заряда. Соответственно увеличивается эффективность преобразования энергии в фотовольтаической ячейке. 6 ил.

Изобретение может быть использовано для создания устройств, различного назначения, например, датчиков пламени; датчиков электрической искры; оптической локации в УФ-спектре; оптической связи в УФ-диапазоне; дозиметрии УФ-излучения, быстродействующих УФ-фотоприемников для эксимерных лазеров; приборов контроля люминесценции в УФ-спектре; флуоресцентной спектрометрии; приборов ночного видения и т.п. Приемник электромагнитного излучения включает полупроводниковую структуру с электронно-дырочным переходом на основе арсенида галлия и внешние электроды, упомянутый электронно-дырочный переход выполнен компенсирующей глубокой примесью хрома с неоднородным по толщине слоя арсенида галлия распределением примеси, причем в приповерхностной области полупроводниковой структуры сформирована область с концентрацией хрома, превышающей концентрацию доноров в исходном арсениде галлия, а во внутреннем объеме полупроводниковой структуры сформирована область с концентрацией хрома меньше, чем концентрация доноров в исходном арсениде галлия. Изобретение обеспечивает расширение спектрального диапазона работы фотоприемного устройства от инфракрасного излучения до вакуумного ультрафиолета. 1 з.п. ф-лы, 1 табл., 3 ил.
Наверх