Способ создания изоляции соединений в интегральных системах

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

234525

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 14Х111.1967 (№ 1177944/26-25) Кл. 210., 11/02 с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 10.1.1969. Бюллетень № 4

Дата опубликования описания 21 V.1969

МПК Н Oll

УДК 621.382.002 (088,8) Ко1аитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР, . а4, В. В, Жуков, В. В. федотова и Т. С. Петракова

Авторы изобретения

Заявитель

СПОСОБ СОЗДАНИЯ ИЗОЛЯЦИИ СОЕДИНЕНИЙ

В ИНТЕГРАЛЬНЫХ СИСТЕМАХ

Настоящее изобретение oTIiocIITcII к микроэлектронике, может быть применено в производстве интегральных систем.

Известен способ создания изоляции соединений в интегральных системах, состоящий в том, что поверх соединений наносят изоляционный слой, в котором при помощи фотолитографии и травления проделывают отверстия дл5! Выхода на конта кTнь!е и. !ощадкll, заTем поверх изоляционного слоя в вакууме наносят слой;IëlÎMllíия, на которох! методох! Литогра фии и травления получают конфигурацию соединений второго слоя. Пр:! гравлении в изоляционном слое окон над контактными площадками возникает ступенька, и для надежного соединения между интегральными схемами необходимо напылить толстый слой алюминия. В качестве изоляцио!шого слоя используют моноокись кремния, получаемую напылением в вакууме.

Получение пленки моноокиси кремния с высокими изоляционными свойствами сопря>кено с большими технологическими трудностями, причем пленка оказывается с большим количеством проколов.

Цель настоящего изобретения заключается в получении изоляционных слоев с улучшенными характеристиками и в упрощении технологии их изготовления. Достигается она тем, что используют пленку окиси алюминия

2 (А1,0,), полученную электрохимическим анодированием пленки алюминия, причем нужные места с проводящими с бластями от анодирования защшцаются фоторезистом на основе 24О/р-ного нафтохинондиазида.

Предложенный спосоо заключается в следующем.

На кремниевую пластинку с готовыми интегральными схемами наиыляют в вакууме

10 пленку алюминия, На этой пленке при помощи фотолитографии выполняют конфигурацию соединений между интегральными схемами, пр1! 1ехl пленка оголена от фоторезиста по конфигурации соединений, в то время как осталь15 ная часть защищена фоторезпстом, Кремниевую пластину помещают в электролит.

Пленку алюминия анодируют в кислом электролите со свинцовыми электрод!!к!и при постоянном напряжении 60 в.

20 Состав электролита:

Щавелевая кислота, г 30

Лимонная кислота, г 100

Дистиллированная вода, л 1

25 После покрытия соединений пленкой фоторезист снимают, а затем наносят снова, но теперь он защищает контактные площадки и внутрисхемные соединения в интегральных схемах. После этого алюминиевую пленку по30 мешают в травитель, который не действует на

234525

Составитель М. Ф. Сорокина

Редактор Б. Б. Федотов Техред Л. Я. Левина Корректор А. П. Васильева

Заказ 645/2 Тираж 465 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совеге Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2 окись алюминия, защищающую конфигурацию соединений интегральных схем.

Состав травителя:

Хлорная медь, г 24

Плавиковая кислота, ил 4,5

Дистиллированная вода, лл 200

В результате травления получают первый слой межсхемных соединений интегральных схем, покрытых пленкой окиси алюминия.

Снова напылив в вакууме слой алюминия, фотолитографией и травлением выполняют конфигурацию второго слоя соединений. Пленка окиси алюминия практически не дает ступеньки, что позволяет многократно чередовать слои с конфигурациями межсхемных соединений с изолирующими. При толщине пленки

0,4 мк удельная емкость пересечений

5000 аф/см-в, пробойное напряжение 40 — 50 в.

Предмет изобретения

5 Способ создания изоляции соединений в интегральных системах, включающий напыление в вакууме алюминия и фотогравировку, отличающийся тем, что, с целью улучшения характеристик изоляции соединений в интегральных

10 системах и упрощения технологии их изготовления, проводят электрохимическое анодирование конфигурации межсхемных соединений пленки алюминия, напыленной в вакууме, затем защищают фоторезистом контактные пло15 щадки и внутрисхемные соединения и травят в травителе, не стравливающем пленку окиси алюминия.