Способ образования микрополости в твердом теле
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
383ll8
Свите Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 02Л!.1971 (№ 1622535/26-25) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 23.Ч.1973. Бюллетень № 23
Дата опубликования описания 6.IX.1973
М. Кл. Н 011 1/04
Комитет ло делам изобретеиий и открытий ори Совете Министров
СССР
УДК 621.382.002 (088.8) Лвторы изобретения
Ю. П. Дягилев и В. И. Мурин
Заявитель
СПОСОБ ОБРАЗОВАНИЯ МИКРОПОЛОСТИ В ТВЕРДОМ ТЕЛЕ =р
228) Т1
Изобретение относится к вакуумной микроэлектронике и полупроводниковой технике.
Любой электронный прибор, будь это наипростейший по функции диод или сложная интегральная схема, имеет пространство, в котором происходит взаимодействие электронного потока с электромагнитными волнами. Это пространство несет в себе необходимые функции: ограничение вакуумной области от окружающей среды, размещение металлических электродов и изолирующих их диэлектрических конструкций. Технологические методы получения этих пространственных полостей развиваются в связи с уменьшением габаритов электронных приборов.
Современная вакуумная микроэлектроника основана на субмикронных межэлектродных расстояниях и вакуумных полостях в пересчете на один электронный прибор не более согни кубических микрон при высоте полости в единицы микрон.
Известны способы образования микрополости в твердом теле путем селективного удаления основного материала в местах, незащищенных контактной маской.
Предлагаемый способ позволяет упростить технологию, повысить производительность процесса, повысить точность геометрических размеров и повысить чистоту поверхности микрополости. Для этого контактную маску наносят из материала, скорость испарения которого значительно меньше скорости испарения материала твердого тела, нагревают эту систему в вакууме для сублимации в местах, непокрытых
5 контактной маской.
На подложку 1 (см. чертеж) наносят то»кую пленку материала маски 2. Методом фотолитографии или любым другим способом, 10 имеющим необходимое разрешение, вырезают окна 8 в материале маски. Подложку с маской нагревают в вакууме до температуры, при которой имеет место сублимация материала подложки, и выдерживают при этой температуре для испарения необходимой толщины материала подложки. После удаления материала маски химическим травлением образуется полость 4.
Принципиальным ограничением может быть
20 сублимация материала маски. Проверим это на примере, когда материалом подложки служит лейкосапфир (Alg03), а материалом маски — молибден.
Линейные скорости испарения молибдена
25 известны, для окиси алюминия их можно рассчитать, зная экспериментальное давление пара по формуле
383118
Мо
А1гОз
Р, и/ма
l, мн/мин Р, и/мв
l, мн/мин
10- 3
6.10
6 10
2223
5360
0,57
8,4
10 — 3
6. 10 — 3
46,26
1,013 10
670
0,1
0,6
Составитель М. Сорокина
Техред Т. Ускова Корректор М. Гарцевич
Редактор Т. Фадеева
Заказ 2394!15 Изд. № 603 Тираж 780 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, K-35, Раушская наб., д. 4)5
Типография, пр. Сапунова, 2 где l — линейная скорость испарения, л /сек;
М вЂ” молекулярная масса;
Т вЂ” температура, К; у — плотность, кг/мз;
P — давление пара, н/м .
Расчетные данные сведены в таблицу.
Скорость испарения А1в03 выше скорости испарения Мо на несколько порядков. При одновременной обработке 100 пластин производительность этой операции может составить
5 порядка 1000 штук в час.
Предмет изобретения
Способ образования микрополости в твердом теле путем селективного удаления основ10 ного материала в местах, незащищенных контактной маской, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии, повышения производительности процесса, повышения точности геометрических размеров, повышения чи15 стоты поверхности микрополости, контактну1о маску наносят из материала, скорость испарения которой значительно меньше скорости испарения материала твердого тела, нагревают эту систему в вакууме для сублимации в ме20 стах, непокрытых контактной маской.
