Изготовление или обработка частей, например корпусов, до сборки прибора, с использованием способов, не предусмотренных ни одной из подгрупп H01L21/06-H01L21/326 (H01L21/48)
H01L21/48 Изготовление или обработка частей, например корпусов, до сборки прибора, с использованием способов, не предусмотренных ни одной из подгрупп H01L21/06-H01L21/326 (корпуса, герметизирующие оболочки, заполнение, монтаж как таковые H01L23)(27) Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Целью изобретения является повышение надежности контакта кристалла с основанием корпуса и стабильности процесса присоединения.
Изобретение относится к области приборостроения и может применяться при изготовлении микрогироскопов. Способ изготовления микрогироскопа включает изготовление структурных элементов - крышки с откачной трубкой и газопоглощающим элементом, основания корпуса, и чувствительного элемента, установку чувствительного элемента на основание корпуса.
Изобретение относится к области приборостроения и может применяться при изготовлении кремниевых чувствительных элементов микромеханических датчиков угловой скорости, гироскопов. Изобретение обеспечивает улучшение метрологических характеристик микрогироскопа за счет повышения степени вакуума во внутренней полости прибора.
Предложен способ изготовления гибкой электронной схемы. Способ включает образование формы из позитивного фоторезиста на гибкой полимерной подложке, имеющей множество металлических дорожек, нанесение конформного материального покрытия поверх формы из позитивного фоторезиста, гибкой полимерной подложки и металлических дорожек, удаление излишка конформного материального покрытия путем выполнения прохода ножевого полотна над формой из позитивного фоторезиста, удаление формы из позитивного фоторезиста для открывания полости, заданной конформным материальным покрытием, подачу анизотропной проводящей пасты в полость, вставление кристалла в полость и присоединение кристалла к проводящим дорожкам.
Изобретение относится к области корпусирования интегральных микросхем памяти и предназначено для снижения коробления изготавливаемых корпусных микросхем с расположением нескольких кристаллов NAND-памяти в едином корпусе BGA-типа.
Способ изготовления полупроводникового устройства включает в себя нанесение проводящей пасты, содержащей металлические частицы, на заданную область в электродной пластине, включающей в себя выемку на поверхности электродной пластины, причем заданная область находится рядом с выемкой, размещение полупроводниковой микросхемы на проводящей пасте так, чтобы внешний периферийный край полупроводниковой микросхемы располагался над выемкой, размещение оправки в положении над выемкой и вблизи внешнего периферийного края полупроводниковой микросхемы с обеспечением зазора между оправкой и внешней периферийной частью электродной пластины, которая представляет собой часть, расположенную дальше во внешней периферийной стороне, чем выемка, и затвердевание проводящей пасты путем нагревания проводящей пасты при приложении давления к полупроводниковой микросхеме в направлении электродной пластины.
Изобретение относится к способу изготовления металлизированной подложки (1), при этом подложка (1) по меньшей мере частично, предпочтительно полностью состоит из алюминия и/или алюминиевого сплава, при этом на поверхность (2) подложки (1) наносят по меньшей мере в некоторых зонах проводящую пасту (3), в первой фазе (B1) обжига подвергают проводящую пасту (3) воздействию постоянно повышающейся температуры (Т) обжига.
(57) Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к гироскопии, и может быть использовано в приборостроении, авиакосмической отрасли и машиностроении. Технический результат - повышение качества и обеспечение технологичности изготовления.
Изобретение относится к способу покрытия оболочкой полупроводникового электронного компонента, содержащего выполненные рельефно на поверхности изолирующей керамической пластинки токопроводящие дорожки, боковые края которых образуют вместе с поверхностью указанной пластинки, соответственно, края и дно канавок, разделяющих токопроводящие дорожки.
Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано, например, в микрогирометрах, микроакселерометрах, микродатчиках давления. .
Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и предназначено для производства корпусов мощных биполярных и полевых ВЧ и СВЧ транзисторов. .
Изобретение относится к области радио- и электротехники и может быть использовано при разработке и изготовлении прецизионных высоковакуумных приборов в авиакосмической и радиотехнической отраслях. .
Изобретение относится к способу изготовления керамической многослойной подложки, в частности подложки, получаемой низкотемпературным совместным обжигом керамики, в котором путем печатания на несколько сырых керамических пленок с применением токопроводящей пасты наносят печатные проводники и/или получают металлизированные отверстия для межслойных соединений, а затем сырые керамические пленки набирают в пакет, укладывая их одна на другую, и подвергают обжигу.
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для изготовления гибридных интегральных схем в герметичных корпусах из материалов, вступающих в контактно-реактивное плавление. .
Изобретение относится к изготовлению полупроводниковых приборов, в частности к их сборке в пластмассовых корпусах. .
Изобретение относится к способу производства изделий электронной техники, преимущественно выводных рамок мощных полупроводниковых приборов. .
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для изготовления гибридных интегральных схем из материалов, вступающих в контактно-реактивное плавление. .
Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к конструированию носителей для монтажа интегральных схем. .
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к изготовлению фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии, и может быть использовано для герметизации этих преобразователей и других полупроводниковых приборов в плоских корпусах.