Динамический инвертор

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

2358l7

Сс1оз Советских

Сокмзлмстмческмх

Рссг;,блин

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 2lat, 36/18

Заявлено 08.XI I.1967 (¹ 1201749j18-24) с присоединением заявки <¹

ЧПК Н 03k

УДК 681.325.65(088.8) Приоритет

Опубликовано 24.1.1969. Бюллетень ¹ 6

Дата опубликования описания 10Л 1.1969

Комитет ло делам изобретений и открытий ори Совете Министров

СССР

Автор изобретения

О. А. Ханджян

Заявитель

ДИНАМИЧЕСКИЙ ИНВЕРТОР

Известен динамический инвертор с двумя элементами памяти, так называемый инвертор на туннельном диоде и диоде с накоплением заряда, в котором первым элементом памяти является диод с накоплением заряда, à IITQрым — T) ííåëüíûé диод.

Предложенный динамичеокий инвертор отличается тем, что выход диодной схемы «ИЛИ» через запоминающий конденсатор соединен с эмиттером инвертирующего транзистора, включенного по схеме с общей базой, параллельно эмиттерно-базовому переходу которого включен диод, а коллектор транзистора соединен с анодом запоминающего туннельного диода.

Это позволяет упростить схему и создать режим источника тока для питающих импульсов.

I1a фиг. 1 приведена схема предложенного динамического инвертора; на фиг. 2 — временная диаграмма главных питающих импульсов (ГИ1 и Гов).

Динамический инвертор состоит из входной диодной схемы «ИЛИ» на диодах 1 и резисторе 2, с импульсным питанием главнь1ми импульсам и ГИ1 и ГИ, поданными на вход 8.

Выход диодной схемы «ИЛИ», т. е. катоды диодов 1 через запоминающий кондечсатор 4 соединены с эмиттером инвертирующего транзистора 5, включенного по схеме с общей базой, параллельно эмиттерно-базовому переходу которого включен диод б. Цепочка 1з диода 7 и резистора 0, Вклlо сии а я между эм иттсром тра1зистора 5 и входом 8 главных импульсов

1 111 (I Лз), служи 1 для подачи T0ltti 311пирани51 транзистора 5. Потенциал левой и правой обкладок конденсатора фиксируется соотвстcTBcIIflo диодами 0 и б. Коллектор инвертирующсго транзистора 5 соединен с катодом туннельного диода 10 и чер 3 цепочку из резистора ll и диода 12 — со входом 8 главных им1р пульсов ГИ1 (Гйз) .

Г1итающие импульсы ГИ1 и Г11в находятся в противофазе и дслят временной;1нтерваl Т на две равные tacTII. Импульсы ГИ1 it ГИв несимметричны относительно мровня нтля, Ток смещения, протекающий чсрсз туннсльный диод 10, создается 1сто 1ником OTplIIIBTC, ного смещения L;I IIOCTyiIacT tepee резистор

1> . Beëlëtltià тока смещения в1.1браиа минимальной, достаточной для обеспечения двух устойч Ii:t ix состояний.

Цепочка из диода 12 и резистора 11 служит для подачи тока установки туннельного диода

10 и устой ьивос состояние с высоким потенциалом на диффузионной ветви.

Если на всех задсйствованны.. входах инвертора установлены входные сигналы, соответствующие высокому уровню туннельного диода 10, то отрицательный импульс генератора импульсов 1111 заряжает конденсатор 4 по

Зр llc110 IIic: pc3ttcToI I 1! IIIO I б..т111тяд кОндсис 1235817 тора закан швастся к концу полупериода отр:(цатсльного импульса, а уровень напряжения иа конденсаторе фиксируется вы:оким уровне» туннельного диода 10 иа входе.

Одновременно с этим отрицательный импульс ГИ(током через цепочку; резистор 11 и диод 12 переключает туннельный диод !О в состояние с высоким потенциалом. Этот ток, складываясь с током смещения, протекающего через резистор И, превышает значение пикового тока туннельного диода 10.

Приходящий вслед за этим положите7ьный импу 7ьс генератора импульсов ГР! Создает ток разряда конденсатора 4, превышающий ток заряда, поскольку амплитуда положительной полуволны превышает амплитуду отрицательной.

ТоК разряда протекает по цепочке, состоящей из диода Г2 и входного сопротивления эмиттср — база открытого транзистора 5. Г1очти без ocëBoëå;IHÿ этот ток передается в цепь коллектора транзистора и обеспечивает переключение туннельного диода 10 в cocтоянис с низким потенциалом на выходе.

Процесс разряда конденсатора 4 закаичиВястся, кяк толь(0 Откдывястс5! .(!(од 9 (1)иксяЦI I H.

Если с приходом отрицательной части импульса генератора главных импульсов I И(хотя бы на одном из входов ннв pTopB будет низкий потенциал туннельного диода, т. с. близкий к нулю, то заряда конденсатора 4 практически происходить не будет, а весь ток будет протекать (ерез входной диод и через управляющий T) HHåëüíûй диод.

HpHxo:,ящий вслед за этим положительный импульс генератора импульсов ие вызовет разРЯДНЫЙ TOK KOiH3OHCBTiOPB 4, (7OOKOЛЬКУ CPB33 открывается диод 9 фиксации, и туннельн!.(й диод 10 инвертора останется в cocTo(111H(i высоKoI о потенциала.

Предлагаемая схс»а динамического инвертора с двумя элементами памяти обладает следующими дополнительными преимуществами.

Передача перепада туннельного диода 10 пре5 дыдущего каскада на левую обкладку конденсатора происходит практически без потерь, и, как следствие этого, схема ме-Iee критична к разбросу параметров. В отличие от схемы с д;(одом с накоплением заряда отсутствует па10 разитное накопление, которое имеет место в диоде с накоплением заряда. В предлагаемом ииверторе наблюдается пониженная мощность рассс((вания и повышенная нагрузочная cnocooHocT(поскольку от источника смещения

15 потребляется через резистор 13 небольшой ток.

Предложенный динамический инвертор с двумя элемента»и памяти может быть испо7bзован для создания любой радиоаппаратуры

20 иа дискретных двоичных элементах, а также в качестве типовых элементов быстродействующих цифровых вычислительных машин.

Предмет изоб ре ген:(я

Дипами(еский,инвертор с двумя элементами памяти. содержащий HB вхОде д(IОдн ю схему «ИЛИ» с и»пульсным питанием, инверти30 рующий траизистор, диоды, резисторы и запоминающие туиисльный диод и конденсатор, ol.(ича(Ощииа<(тем, (то, с целью упрощения схемы и создания рс>кима источника тока для питающих импульсов, выход диодной схемы

35 «И (1И» через запомина(ощий конденсатор соединен с эмиттером инвертирующего транзистора, включенного по схеме с общей базой, параллельно э»и(терно-базовому переходу которого включен диод, а коллектор транзистора

40 с cgHHcH с анодом запоминающего тунисл(:HO го (иода.

235817

Составитель Г. С. Колотова

Редактор Б. С. Нанкина Техред Т. П. Курилко Корректор Г. И. Плешаковй

Заказ 798!14 Тираж 480 Подписное

ЦНКППИ Комитета по делам изобретений и открытий прп Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2