Динамический элел\ент

 

О П """" Е

399065

Союз Советских

Социалистических

Респ13бпик

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

It АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зав3ис3гмое от авт. свидетельст33а №.Ч.Кг!. Н 03k 19/08

Заявлено 25.11.1972 {№ 1751622/26-9) с присоединением заявк:! ¹â€”

Государственный коми-ет

Соеата Министров СССР по делам изобретений и открытий

Прпоритет—

Опубликовано 27.1Х.1973. Ь)оллетспь ¹ 38

Дата опубликования описания 5.II.1974

УДК Г)81.142.Г)7 (088.8) Авторы изооретеш3я

В. В. Прушинский, С. А. Пронин и А. Г. Филиппов

Зая3333тес3ь Московский ордена Трудового Красного Знамени инженерно-физический институт

ДИНАМИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ

Предлагаемый универсальный дилл)!и:3еокгий элемент от333осит ся к обла3сти вычислительной техниии и предназначен для и епос3ьзования в качеспве логичеакого элемента в цифpo I3bIx выч ислите;lbHblx устройст 33ах.

Извест)3ы д3ииам33ческ33е элементы, содержлщие входную логическую цепь, два инвертирующих транзистора, переключл3ощнй транзистор.

Предложенный динамический элемент отличается от известных тем, что в него введены

H l3H;Ill oäÿ с 1!я коплея333е . Заря .тя, нр ичек! Oл за первого 33нвертирующего траиз33стора соединена с одноив3е33ными вьпводами диода H перлого gHoaa с накоплением заряда, д3руг33е вывоДЫ КОтOiPbIX ПОДКЛЗО 3ЕНЫ COOTIIBTCTIIKliHO К КОЛлекторам переключающего и второго HHI3epTHрующего транзисторов, а база второго инвгртирующего транзистора соединена с эмиттсром переключающего т рят3зистора и через второй !иод с накоплением заряда — с коллектором перьвого инвертирующего т)ранзистора, что значительно снижает потребляев3у3о мопц3ость л увеличивает быстродействие эле|мента.

На чертеже дана принципилльт3яя схема предлагаемого элемента.

Универсальный диназ3ичеак ий элемент содержит вхо3дную лопичеокую цепь на диодах 1, 2 и резисто3ре 3, переключающий транзистор 4, включающий диод 5, первый ин33ертирующ33й транзист >р 6, первый диод 7 с HHKîï,lpHHå)I заряда, второй 3гнвертирующий грт)нзиcToip 8, второй диод 9 с нлскоплением зарядя, резисторы 10, 11 и 12, входы «И» элементов 18 и 14, вход расширения по «И» 15, входы расширения по «ИЛИ» 16 и 17, прямой Выход 18, инвер еныЙ 3!в!ход 1. ), IIIHHv 20 TB IiTGBblx H)I3Hv1bсов и шагну 21 коллекторного питания.

Элемент рлботлет следующим образом.

30 На прямом выходе 18 I3 исходном сосгоян33и находится низкий уровень потенциала, принятый за «О», l на инверсном выходе — вьпсокий уровень, яр I II IITI»il 3H «1». Тогда при илло!чин на входах 18 и И высокого уровня поте33ц иалт)

I,> с приходо)! очеред!lolo тл.ктового импульса ток от .источникл тактовых импульсов через резистор 3 течет в олзу транзисторов 4 и 8, которые насыщаются, транзистор 6 быстро злкры-!

)ается коллекторным током транзистора 8 че2(3 рез расса с!»33л3огций диод 7 с накоплением. На инверсном выходе 19 устлнавлоиваепся «0», на прямом выходе 18 — — «1». Напряжение ня коллекторе транзистора 1 меньше на пряжена3я открывания последовательно соединенных дио25 дл 5 и трлнзисторл 6, поэтому транж стор 6 остается в заыр33тов! состоянии.

По окончании прохождения тактового импульса состояние на;выхс)дах 18 и 19 сохраняется нк3з)3енныз! независимо от состояния на входах элемента за счет насыщения тран399065

П р с 1. и е т и з о б р с т е i Ii ii к гз

IE 17

Составитель А. Федорова

Корректор Л. Новожилова

Техрсд А. Камышникова

1 сдактор Т. Морозова

Заказ 7075 Изд. ¹ 1962 Тираж 780 Г1одписпое

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, К 35, Раушскан наб., д. 4/5

Обл. тпп. Костромского управлении издательств, полиграфии и книжной торговли зистора 8 током, протекавшим через диод 9:i резистор 11 от источника коллекторного питания Е;.

При наличии хотя бы на одном входе «И» низкого уровня потенциала к моменту пр ихода тактового имлульса граязистар 4 закрыт, ток от источн ика тактовыx им|пулысов через резистор 10 и включающий,д1иод 5 течет в базу первого ин вврг11рующего транз1встора б (трансзистор 4 п ри этом закрыт). Транзистор б насыщаегся, траíзи сто р 8 быст1ро за1ерываPTcii коллекторны1м тжом транзистора б через рассасы вающий диод 9 с накоплением. На прямом выходе 18 ycxaiIIaiiл1ивает ся «О», на инверсном выходе 19 — «1»

По окончаниии прохождения тактового симпульса состояние на выходах 18 и 19 сохраняется спеизмвнным незавиоимо от состояспия на входах элвмвпта за счет насыщения транзистора б токам, протекающем через диод 7 и реза; т«р 1 о «т неTO IHII>VII IIO, i. II."I THp H iii o

iI1iЯ.

3,.:впамичеок нй элемент, содержащий входную логическую цепь, дева IIImepn»pyioHIIIIz транзистора, переключа1опсий транзистор и

;риод, отличаюиийся тем, что, с целью уменьшения потребляемой мощности и увеличения бьастродейотвия элемента, в пего введены два диода с накоплением заряда, Iip,ii÷àì база первого и,.пертирующвго транзистора соединена с олспопмепными выводами диода и первого д иода с накоплением заряда, другие выводы кото15 рых подключены соответственно,к коллекторам переключающего и второго пнвертируюшего транзисторов, а оаза второго,инвертиру1опсего гранз1исгора соединеспа с эмггттвром

IBppKлючаю1цего транзистора и через второй

20 дсиод с накоплением заряда — с коллектором перво; о инввртпрующего транзистора.