Способ получения ультрадисперсного оксида галлия

Изобретение может быть использовано в химической промышленности. Ультрадисперсный оксид галлия получают методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза. При этом оксид галлия смешивают с металлическим галлием, с введением в смесь порошка гидрооксида галлия в соотношении 1:(0,136-0,148):(0,047-0,059) соответственно. Окисление металлического галлия проводят путем локального нагрева смеси в кислородсодержащем газе. Заявленное изобретение позволяет получить порошок оксида галлия высокого качества с размером частиц менее 1 мкм и с выходом данной фракции не менее 85%, с содержанием металлического галлия менее 10-4. 1 табл.

 

Изобретение относится к способам получения оксида галлия для использования при изготовлении специальной керамики, керамических покрытий и сложных оксидных соединений, используемых в оптике.

Известен способ получения оксида галлия, включающий растворение технического галлия марки Гл-1 в 30% щавелевой кислоте марки ХЧ при нагревании до 100°С. Растворение ведут в течение 6 часов при перемешивании и поддержании постоянным уровня раствора. Затем раствор фильтруют, упаривают досуха и прокаливают в муфельной печи и в течение 3 часов при температуре 800°С. Полученный оксид галлия имел следующий примесный состав, % масс.: Cu 1·10-4, Ni 1·10-4, Fe 5·10-4, Al 5·10-4, SO4 и NO3 не обнаружены.

Такой оксид галлия соответствует марке ОСЧ. (См. а.с. СССР №916404, C01G 15/00, опубл. 30.03.82 г.)

Преимуществом способа является то, что из технического галлия получают оксид галлия марки ОСЧ.

Недостатком способа является многостадийность процесса, высокие энергозатраты.

Известен способ получения оксида галлия путем взаимодействия металлического галлия с водой в автоклаве при температуре свыше 200°С при давлении 200-300 бар с получением гидроокиси галлия и его последующей прокалкой. (См. патент ФРГ №2517292, С01G 15/00, 1976 г.).

Недостатками способа являются сложное аппаратурное оформление процесса, невозможность получения оксида галлия высокой чистоты из-за загрязнения оксида контейнерным материалом автоклава.

Известен автогенный процесс получения оксидных соединений редких, рассеянных металлов, в том числе и оксидов галлия, процесс самораспространяющегося высокотемпературного синтеза, СВС.

Сущность процесса заключается в следующем.

Смешивают металл с его оксидом и в токе кислородсодержащего газа поджигают. В точке поджига образуется высокая температура и за счет экзотермического характера взаимодействия компонентов процесс окисления самораспространяется по объему материала, не требуя подачи энергии извне.

Известен способ получения композиционных оксидных соединений редких, рассеянных металлов, в том числе содержащих оксид галлия, высокотемпературным самораспространяющимся синтезом. («Физико-химические и технологические основы самораспространяющегося высокотемпературного синтеза.» ГРИФ УМО МО РФ. Левашов Е.А., Рогачев А.С., Юхвид В.И., Изд. «Бином», 1999 г.).

Способ заключается в смешивании оксидов лантана, кремния и галлия с металлическим галлием с последующим локальным кратковременным нагревом в кислородсодержащей среде до начала протекания реакции самораспространяющегося высокотемпературного синтеза в режиме горения.

В данном способе в результате реакции СВС происходит окисление металлического галлия до образования оксида галлия, который связывает в сложный композиционный шихтовой материал лангасит, оксид лантана, оксид кремния, оксид галлия в заданном стехиометрическом составе. (См. патент РФ №2126063, С30В 29/34, опубл. 1999 г.).

Недостатком такого способа окисления галлия является неполнота окисления галлия. Для устранения этого недостатка требуется дополнительная термообработка синтезированного материала.

Известен способ получения ультрадисперсного оксида галлия с использованием метода самораспространяющегося высокотемпературного синтеза. (См. Тезисы докладов Всероссийской конференции «Керамика и композиционные материалы.) В источнике информации не приведены параметры процесса. Способ принят за прототип.

Техническим результатом изобретения является снижение остаточного содержания непрореагировавшего галлия, получение порошка оксида галлия с размером частиц менее 1 мкм и с выходом данной фракции не менее 85%.

Технический результат достигается тем, что в способе получения мелкодисперсного оксида галлия методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза, включающем смешение оксида галлия с металлическим галлием и окисление металлического галлия путем локального нагрева смеси в кислородсодержащем газе, согласно изобретению смешение оксида галлия с металлическим галлием проводят с введением порошка гидрооксида галлия в соотношении (1):(0,136-0,148):(0,047-0,059) соответственно.

Сущность изобретения заключается в проведении процесса СВС для получения мелкодисперсного оксида галлия с использованием в качестве исходных материалов смеси компонентов: оксид галлия, металлический галлий и порошкообразный гидрооксид галлия формулы GaO2H в определенном соотношении 1:(0,136-0,148):(0,047-0,059) соответственно.

Процесс СВС проходит в режиме горения за счет экзотермического эффекта реакции окисления галлия. Введение в исходную шихту для осуществления процесса СВС согласно изобретению нового компонента - гидрооксида галлия, обеспечивает новые термические условия взаимодействия компонентов шихты.

В процессе горения и окисления галлия одновременно происходит разложение гидрооксида галлия, а это процесс в отличие от процесса горения и окисления галлия является эндотермическим процессом. В этих условиях за счет выделения в газовую фазу воды осуществляется теплоотвод из зоны горения и при равномерном распределении компонентов в исходной смеси по объему достигается выравнивание температуры также во всем объеме реагируемых компонентов шихты с одновременным разрыхлением материала. Это приводит к двум положительным результатам - полному взаимодействию галлия с кислородом и к подавляющему образованию мелкодисперсного оксида галлия во всей зоне реакции.

В результате получают оксид галлия с содержанием металлического галлия <0,0001% и выход фракции с размером частиц менее 1 мкм более 85%.

Обоснование параметров.

При уменьшении нижнего предела 0,136 содержания расплавленного галлия снижается температура процесса и скорость окисления галлия, окисление осуществляется не полностью. При увеличении верхнего предела содержания расплавленного галлия более 0,148 диспергирование галлия ухудшается за счет уменьшения поверхности оксида галлия по отношению к объему металлического галлия, что приводит к увеличению металлического галлия в оксиде галлия.

При уменьшении нижнего предела 0,047 содержания гидрооксида галлия возрастает температурный градиент в объеме материала, возрастает локальная температура процесса СВС, что приводит к укрупнению фракционного состава оксида галлия и неполноте окисления галлия за счет ухудшения газопроницаемости смеси. При увеличении верхнего предела содержания гидрооксида галлия более 0,059 снижается температура процесса и скорость окисления галлия, окисление осуществляется не полностью, что приводит к увеличению металлического галлия в оксиде галлия.

Заявленное соотношение оксида галлия, галлия и гидрооксида галлия (1):(0,136-0,148):(0,047-0,059) соответственно позволяет получить ультрадисперсный порошок оксида галлия с высоким выходом фракции с размером частиц порошка менее 1 мкм и с остаточным содержанием галлия в получаемом оксиде галлия менее 1·10-4% масс.

Пример осуществления способа

В качестве исходных компонентов использовали оксид галлия и гидрооксид галлия (GaO2H) с содержанием основных компонентов не менее 99,99% по массе и размером фракций <1 мкм не менее 85% и металлический галлий чистотой 99,999% по массе.

Металлический галлий в количестве 272,2 г (0,136 частей) расплавляли и смешивали с 2000 г (1 частью) оксида галлия и 94,7 г (0,047 частями) гидрооксида галлия (GaO2H) на электромагнитном вибросмесителе в контейнере из органического стекла в течение 60 минут. Смесь засыпали слоем 6-8 сантиметров на кварцевую лодочку и загружали в реактор проточного типа. После подачи кислорода осуществляли локальный нагрев смеси с помощью нагревателя сопротивления до начала самопроизвольного распространения процесса горения в объеме смеси. Процесс заканчивали после прохождения горения по всему объему смеси и ее охлаждению до комнатной температуры. По окончании процесса готовый оксид галлия анализировали на содержание металлического галлия и дисперсный состав.

Результаты осуществления способа при различных значениях заявленных параметров представлены в таблице.

Соотношение компонентов исходной смеси, (в частях)Количество фракции оксида галлия менее 1 мкмСодержание металлического галлия, % по весу
Оксид галлияМеталлический галлийГидрооксид галлия GaO2H
10,1360,047>85<0,0001
10,1480,059>85<0,0001
10,140,053>85<0,0001
10,1590,053750,008
10,120,053840,007
10,140,03760,0006
10,140,07850,006

Таким образом, заявленное изобретение позволяет получить ультрадисперсный порошок оксида галлия высокого качества с содержанием металлического галлия менее 10-4%

Способ получения ультрадисперсного оксида галлия методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза, включающий смешение оксида галлия с металлическим галлием и окисление металлического галлия путем локального нагрева смеси в кислородсодержащем газе, отличающийся тем, что смешение оксида галлия с металлическим галлием проводят с введением порошка гидрооксида галлия в соотношении 1:(0,136-0,148):(0,047-0,059) соответственно.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способам синтеза полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения GaN. .

Изобретение относится к получению порошка нитрида галлия, который может быть использован в качестве компонента керамики при изготовлении полупроводниковых элементов конструкций.

Изобретение относится к квантовой электронике и лазерной технологии и может быть использовано в ядерной физике для разделения изотопов. .
Изобретение относится к области материаловедения. .

Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к тройным теллуридам железа и индия, которые могут найти применение как ферромагнитные материалы при создании постоянных магнитов, а также в многофункциональных приборах и интегральных схемах.
Изобретение относится к неорганической химии. .
Изобретение относится к области технологии получения и легирования неорганических веществ и может быть использовано в микроэлектронике, полупроводниковом приборостроении.

Изобретение относится к химической технологии композиционных материалов на основе оксидов для выращивания монокристаллов, в частности лантангаллиевого силиката (ЛГС).
Изобретение относится к способам получения окиси галлия, которая может быть использована для изготовления специальных оптических стекол и сложных оксидных соединений

Изобретение относится к области выделения и очистки таллия, в том числе изотопно-обогащенного, полученного методом электромагнитной сепарации

Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к четверному соединению меди, галлия, хрома и селена, которое может найти применение в многофункциональных приборах и схемах, работающих на взаимосвязи магнитного и электрического полей

Изобретение относится к области химической технологии неорганических материалов

Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к легированным марганцем и цинком антимонидам индия, которые могут найти применение в спинтронике, где электронный спин используется в качестве активного элемента для хранения и передачи информации, формирования интегральных и функциональных микросхем, конструирования новых магнито-оптоэлектронных приборов

Изобретение относится к области получения нано- и микрочастиц оксидов металлов в сверхкритической воде и может найти применение в получении материалов и соединений высокой чистоты и с уникальными свойствами
Изобретение относится к неорганической химии, а именно к получению сульфидов р-элементов III группы Периодической системы, являющихся перспективными материалами для полупроводниковой оптоэлектронной техники и инфракрасной оптики. Сульфиды р-элементов III группы Периодической системы получают взаимодействием серы и соответствующего р-элемента в вакуумированной кварцевой ампуле, при этом р-элемент используют в виде соответствующего йодида, синтез ведут в 2х-секционной ампуле, исходные компоненты помещают в нижнюю секцию, которую нагревают до температуры 250-400°С, после чего полученный сульфид прокаливают при температуре не выше 700°С. За счет проведения синтеза при достаточно низкой температуре способ позволяет существенно снизить загрязняющее действие материала аппаратуры. Изобретение позволяет получать особо чистые сульфиды р-элементов III группы Периодической системы, в которых содержание примесей переходных металлов, по данным масс-спектрального анализа, не превышает 0.5 ppm wt. Максимально возможный выход продукта составляет 82-97%. 1 з.п. ф-лы, 1 табл., 3 пр.

Изобретение относится к повышающим теплопроводность или электропроводность частицам оксида цинка. Частицы представлены следующей формулой (1): ZnMn+ xO1+nx/2 · aH2O (1) где Mn+ означает трехвалентный или четырехвалентный металл, x и a удовлетворяют соотношению 0,002<x<0,05 и 0≤a<0,5, соответственно, n означает валентность металла. Частицы характеризуются содержанием столбчатых частиц 80% или более. Также предложены способ получения частиц оксида цинка, обожженные частицы (А) и (В), смоляные композиции (А) и (В). Изобретение позволяет получить частицы оксида цинка, используемые для улучшения электропроводности или теплопроводности смол. 6 н. и 7 з.п. ф-лы, 12 ил., 5 табл., 3 пр.

Изобретение относится к технологии получения изделий оптоэлектроники и солнечной энергетики, а именно к раствору для гидрохимического осаждения полупроводниковых пленок сульфида индия(III). Раствор содержит соль индия(III), винную кислоту, тиоацетамид, гидроксиламин солянокислый при следующих концентрациях реагентов, моль/л: соль индия(III) - 0,01-0,2; тиоацетамид - 0,01-0,5; винная кислота - 0,005-0,2; гидроксиламин солянокислый - 0,005-0,15. Изобретение позволяет получить пленки сульфида индия(III), характеризующиеся более высокими величинами толщин при одновременном сохранении высокого качества поверхности пленок. 1 табл., 2 пр.
Наверх