Тройной молибдат рубидия, лютеция и гафния в качестве полупроводника


H01L21 - Способы и устройства для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей (способы и устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки приборов, относящихся к группам H01L 31/00- H01L 49/00, или их частей, см. эти группы; одноступенчатые способы изготовления, содержащиеся в других подклассах, см. соответствующие подклассы, например C23C,C30B; фотомеханическое изготовление текстурированных поверхностей или поверхностей с рисунком, материалы или оригиналы для этой цели; устройства, специально предназначенные для этой цели вообще G03F)[2]

Владельцы патента RU 2367054:

Байкальский институт природопользования Сибирского отделения Российской академии наук (БИП СО РАН) (RU)

Изобретение относится к материаловедению и может широко использоваться в полупроводниковой электронике. Синтезированный тройной молибдат, содержащий в своем составе молибдат лютеция, имеет состав Rb5LuHf(MoО4)6 и обладает полупроводниковой проводимостью. Собственная электронная проводимость тройного молибдата обусловлена наличием атомов лютеция с особой электронной конфигурацией. Изобретение позволит повысить рабочую температуру полупроводниковых приборов на основе предлагаемого полупроводника.

 

Изобретение относится к материаловедению и может широко использоваться на практике. Материалы, классифицируемые как полупроводники в основном обладают проводимостью σ=103-10-9-1·см-1.

Полупроводники имеют важное практическое значение в целом ряде отраслей техники. Их уникальные электрические свойства непосредственно используются в транзисторах, кристаллических выпрямителях и термисторах. В люминесцентных материалах и фотосопротивлениях используются эффекты, связывающие электрические и оптические свойства полупроводников.

Вследствие широкого диапазона значений электропроводности, свойственной полупроводникам, следует ожидать, что к последним относится большое число материалов.

Важнейшей задачей современного материаловедения является создание новых полупроводниковых материалов. Все возрастающие требования современной техники невозможно удовлетворить полупроводниковыми материалами, нашедшими уже практическое применение.

В радиоэлектронике полупроводниковые диоды и триоды изготавливаются в основном из германия и кремния. Однако рабочая температура германиевых приборов не превышает 60-80°С.Кремниевые приборы могут работать при более высокой температуре (200-220°С).

Известен тройной молибдат на основе молибдатов рубидия, лития и гафния с общей формулой Rb5(Li1/3Hf5/3)(MoO4)6, который кристаллизуется в тригональной сингонии с пр.гр. R3c [Солодовников С.Ф., Балсанова Л.В., Базаров Б.Г., Золотова Е.С., Базарова Ж.Г. Фазообразование в системе Rb2MoO4-Li2MoO4-Hf(MoO4)2 и кристаллическая структура Rb5(Li1/3Нf5/3)(МоO4)6 // Журнал неорганической химии. - 2003. - Т.48. - №7. - С.1197-1201]. Измеренная удельная проводимость σ при 450°С равна 1.23·10-6 Ом-1·см-1, и электропроводность обусловлена в основном ионным транспортом. Недостатком указанного тройного молибдата является преимущественно ионный характер электропроводности.

Технический результат изобретения - получение тройного молибдата с полупроводниковым характером проводимости.

Технический результат достигается тем, что тройной молибдат в проводящей матрице содержит вместо молибдата лития молибдат лютеция Rb5LuHf(MoO4)6.

Собственная электронная проводимость Rb5LuHf(MoO4)6 объясняется присутствием в составе этого соединения молибдата лютеция Lu2(МоO4)3, в котором атомы лютеция обладают (5d16s2) электронной конфигурацией. Вместе с тем в [Tripathi А.К., Lal H.V. Electrical Transport in rare-Earth Motybdates: Gd2(MoO4)3 and Tb2(МоO4)3 // J. Phys. Soc. Jap. - 1980. - V.49. - №5. - P.1896-1901] показано, что в кристаллах молибдатов РЗЭ зона проводимости (свободная) отвечает 5d1-уровням Ln3+ и эти электроны участвуют в электропереносе.

Полупроводниковый материал Rb5LuHf(MoO4)6 получен твердофазным синтезом, и его свойства являются следствием кристаллической структуры и химического состава этого соединения.

Тройной молибдат Rb5LuHf(MoO4)6 изоструктурен другому аналогу Rb5ЕrHf(MoO4)6 [Базаров Б.Г., Клевцова Р.Ф., Чимитова О.Д., Федоров К.Н., Глинская Л.А., Тушинова Ю.Л., Базарова Ж.Г. Фазообразование в системе Rb2МоO4-Еr2(МоO4)3-Нf2(МоO4)2 и кристаллическая структура нового тройного молибдата Rb5ЕrHf(МоO4)6 // Журн. неорган. химии. - 2006. - Т.51, №5. - С.866-870].

Состав Удельная проводимость σ, Oм-1·см-1(450°C) Характер проводимости
Прототип Rb5(Li1/3Hf5/3)(MoO4)6 1.23·10-6 Ионный
Заявляемое соединение Rb5LuHf(MoO4)6 9.0·10-5 Электронный (полупроводниковый)

Отличительной особенностью предлагаемого полупроводникового материала является наличие в проводящей матрице вместо молибдата лития молибдата лютеция, обуславливающего электронный (полупроводниковый) характер проводимости.

Синтез тройного молибдата Rb5LuHf(MoO4)6 проводили следующим способом.

Пример: смесь 5 моль молибдата рубидия Rb2MoO4, 1 моль молибдата лютеция Ln2(МоO4)3 и 2 моль молибдата гафния Hf(MoO4)2 растирали в ступке в течение 30 мин и отжигали при ступенчатом подъеме температуры от 450°С до 600°С в течение 100 ч.

Из таблицы следует, что предлагаемый состав Rb5LuHf(MoO4)6 обладает значительной электронной проводимостью, что позволяет использовать его в качестве полупроводникового материала. Формула изобретения: тройной молибдат в качестве полупроводника, отличающийся тем, что проводящая матрица содержит молибдат лютеция и имеет состав Rb5LuHf(MoO4)6.

Использование заявляемого изобретения позволит повысить рабочую температуру полупроводниковых приборов на его основе.

Тройной молибдат в качестве полупроводника, отличающийся тем, что проводящая матрица содержит молибдат лютеция и имеет состав Rb5LuHf(MoO4)6.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой СВЧ электронике и может быть использовано при создании волноводных СВЧ модулей повышенной прочности и устойчивости к внешним воздействиям на основе монолитных интегральных схем (МИС).
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, к способам обработки кварцевой оснастки, в частности кварцевой трубы, применяемой при проведении высокотемпературных процессов в диффузионных печах.
Изобретение относится к квантовой электронике, полупроводниковой и оптоэлектронной технологии, в частности технологии изготовления когерентных излучателей для систем накачки мощных твердотельных лазеров, создания медицинской аппаратуры, лазерного технологического оборудования и других целей.

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике. .

Изобретение относится к процессам химической обработки полупроводниковых пластин и может быть использовано для создания кремниевых подложек с наноразмерной структурой, применимых в качестве эмиттеров ионов в аналитических приборах и для создания светоизлучающих устройств.

Изобретение относится к вариантам прозрачного состава, применяемого, например, в качестве заполнителя под кристаллом, к твердотельному устройству и к способу производства прозрачного состава.
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов. .
Изобретение относится к методам создания объемных композиционных структур путем изменения по заданному рисунку свойств вещества исходной заготовки и может найти применение в микроэлектронике при изготовлении интегральных схем различного назначения, средств хранения информации.

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано при создании полупроводниковых приборов. .

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления многоэлементных ИК-фотоприемников
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к способам подготовки поверхности полупроводниковых подложек к операциям фотолитографии

Изобретение относится к технологиям изготовления микроструктурных устройств и полупроводниковых приборов и может быть использовано для формирования висящих конструкций, таких как мембраны, консоли, кантилеверы и других, на базе которых изготавливают многоэлементные микромеханические преобразователи (ММП)

Изобретение относится к полупроводниковым структурам, полученным на полупроводниковой подложке с пониженной плотностью пронизывающих дислокаций

Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении таких приборов как, например, гетеропереходные полевые транзисторы (НЕМТ), биполярные транзисторы (BJT), гетеробиполярные транзисторы (НВТ), p-i-n диоды, диоды с барьером Шотки и многие другие

Изобретение относится к устройствам генерации технологической плазмы и может быть использовано для проведения процессов осаждения, травления, окисления, имплантации (неглубоких слоев), сжигания органических масок на различных подложках в области электроники, наноэлектроники, при производстве медицинских инструментов, сенсорных устройств т.п

Изобретение относится к области технологии полупроводников и может быть использовано для осуществления электронной и химической пассивации поверхности полупроводникового соединения GaSb и приборов на его основе

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления приборных структур

Изобретение относится к устройствам, используемым в полупроводниковом производстве для кинематических испытаний готовых полупроводниковых приборов
Наверх