Способ обработки кварцевой оснастки

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, к способам обработки кварцевой оснастки, в частности кварцевой трубы, применяемой при проведении высокотемпературных процессов в диффузионных печах. Сущность изобретения: в способе обработки кварцевой оснастки, включающем обработку кварцевой трубы после высокотемпературных операций в растворе, состоящем из фтористоводородной кислоты и деионизованной воды, обработку кварцевой трубы проводят при комнатной температуре в течение 30±10 минут в растворе при следующем соотношении компонентов HF:H2O=1:4, после обработки в растворе кварцевую трубу промывают в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 30±10 минут. Техническим результатом изобретения является полное удаление различных загрязнений с кварцевой трубы после высокотемпературных операций, уменьшение температуры и качества обработки кварцевых труб.

 

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, к способам обработки кварцевой оснастки, в частности кварцевой трубы, применяемой при проведении высокотемпературных процессов в диффузионных печах.

Известны способы обработки изделий из кварца. Обработку кварца проводят при более высоких температурах, чем обработку стекла (см. А.И.Курносов. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. - М.: Высшая школа. 1980. Стр. 272-273; Панфилов Ю.В., Рябов В.Т., Цветков Ю.Б. Оборудование производства интегральных микросхем и промышленные роботы. М.: Радио и связь. - 1988. Стр.48-50).

Основным недостатком этих способов является неполное удаление примесей с кварцевой трубы после ряда диффузионных операций - диффузия бора, диффузия фосфора.

Техническим результатом изобретения является полное удаление различных загрязнений с кварцевой трубы после высокотемпературных операций, уменьшение температуры и качества обработки кварцевых труб.

Технический результат достигается тем, что удаление загрязнений с кварцевой трубы происходит за счет использования раствора, в состав которого входят фтористоводородная кислота - HF и деионизованная вода - H2O в соотношении 1:4. Длительность обработки составляет 30±10 минут. После обработки в растворе кварцевую трубу промывают в деионизованной воде в течение 30±10 минут.

Сущность способа заключается в том, что кварцевая труба подвергается обработке в растворе, состоящем из фтористоводородной кислоты и деионизованной воды при определенном соотношении, температура раствора комнатная. Процесс удаления различных загрязнений и примесей считается законченным в том случае, когда цвет индикаторной бумаги не изменяется. Обработку проводят при длительности процесса 30±10 минут.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.

ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке обработки кварцевой трубы в растворе, состоящем из фтористоводородной кислоты и деионизованной воды при соотношении компонентов:

HF:H2O=1:4

Температура раствора комнатная. Длительность обработки составляет 35 минут.

После обработки в растворе кварцевую трубу промывают в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 35 минут.

Контроль осуществляется с помощью индикаторной бумаги.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке обработки кварцевой трубы в растворе, состоящем из фтористоводородной кислоты и деионизованной воды при соотношении компонентов: HF:H2O=1:4.

Температура раствора комнатная. Длительность обработки составляет 30 минут.

После обработки в растворе кварцевую трубу промывают в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 30 минут.

Контроль осуществляется с помощью индикаторной бумаги.

ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке обработки кварцевой трубы в растворе, состоящем из фтористоводородной кислоты и деионизованной воды при соотношении компонентов: HF:H2O=1:4.

Температура раствора комнатная. Длительность обработки составляет 25 минут.

После обработки в растворе кварцевую трубу промывают в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 25 минут.

Контроль осуществляется с помощью индикаторной бумаги.

Таким образом, предлагаемый способ обеспечивает полное удаление различных загрязнений с кварцевой трубы после высокотемпературных операций, уменьшение температуры и качества обработки кварцевых труб.

Способ обработки кварцевой оснастки, включающий обработку кварцевой трубы после высокотемпературных операций в растворе, состоящем из фтористоводородной кислоты и деионизованной воды, отличающийся тем, что обработку кварцевой трубы проводят при комнатной температуре в течение 30±10 мин в растворе при следующем соотношении компонентов HF:H2O=1:4, после обработки в растворе кварцевую трубу промывают в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 30±10 мин.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к процессам химической обработки полупроводниковых пластин и может быть использовано для создания кремниевых подложек с наноразмерной структурой, применимых в качестве эмиттеров ионов в аналитических приборах и для создания светоизлучающих устройств.
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов. .
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС, в частности к способам травления пленочных диэлектриков, из которых наиболее широко используемым является нитрид кремния.
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС, в частности к подготовке поверхности кремниевых пластин перед нанесением полиимида.
Изобретение относится к технологии изготовления мощных транзисторов, в частности к обработке поверхности кремниевых пластин от загрязнений после операции шлифовки, полировки и пескоструйной обработки.

Изобретение относится к технологии изготовления мощных транзисторов, в частности к снятию фоторезиста в процессе формирования защитной пленки из полиимида структуры мощного транзистора.

Изобретение относится к очистке и сушке подложек для полупроводниковых приборов. .

Изобретение относится к области изготовления селективных мембран для молекулярной фильтрации газовых смесей и может найти применение в компактных топливных элементах.
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к способам подготовки поверхности полупроводниковых подложек к операциям фотолитографии

Изобретение относится к устройствам генерации технологической плазмы и может быть использовано для проведения процессов осаждения, травления, окисления, имплантации (неглубоких слоев), сжигания органических масок на различных подложках в области электроники, наноэлектроники, при производстве медицинских инструментов, сенсорных устройств т.п
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам обработки фторопластовых изделий после технологических операций

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки кристаллов кремния
Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки карбид-кремниевой трубы, применяемой для проведения высокотемпературных процессов в диффузионных печах
Изобретение относится к способам обработки оснастки, применяемой для проведения окислительных и диффузионных процессов полупроводникового производства

Изобретение относится к технике индивидуальной обработки подложек и может быть использовано при производстве изделий электронной техники, в частности при отмывке и сушке стеклянных подложек для жидкокристаллических экранов, полупроводниковых пластин и фотошаблонов
Изобретение относится к химической очистке поверхности кварцевой оснастки, используемой в полупроводниковой технологии для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем
Изобретение относится к химической очистке поверхности кварцевой оснастки, используемой в полупроводниковой технологии для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области мембранных технологий и индустрии наносистем и может быть использовано в производстве микро- и нанофлюидных фильтров, биосенсорных устройств, приборов медицинской диагностики
Наверх