Способ выявления эпитаксиальных дефектов дислокаций


 


Владельцы патента RU 2403648:

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ДГТУ) (RU)

Изобретение относится к процессам обработки поверхности кремниевых пластин для выявления эпитаксиальных дефектов дислокаций. Сущность изобретения: способ выявления эпитаксиальных дефектов дислокаций включает травление поверхности кремниевых пластин в селективном травителе, состоящем из следующих компонентов: азотной кислоты (HNO3), плавиковой кислоты (HF) и уксусной кислоты (СН3СООН), в соотношении 5:1:15, при температуре 293 К и времени травления 145±5 минут, при этом количество светящихся точек составляет 5 шт., а суммарное количество дефектов дислокаций 550±50 шт./см2. Изобретение обеспечивает получение ровной и ненарушенной поверхности кремниевых пластин, а также уменьшение длительности процесса.

 

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к процессам обработки поверхности кремниевых пластин для выявления эпитаксиальных дефектов дислокации.

Известен метод выявления дефектов дислокации на поверхности кремниевых пластин: травители, растворы, кислоты и др. [1].

Недостатками этого способа являются высокие температуры, длительность процесса, при которых нарушается поверхность полупроводниковых пластин.

Известен следующий способ выявления дефектов дислокации на поверхности кремниевых пластин в кипящем водном растворе 30%-ного едкого натра.

Основными недостатками этого способа являются получение неровной поверхности кремниевых пластин и длительность процесса.

Целью изобретения является получение ровной и ненарушенной поверхности кремниевых пластин, а также уменьшение длительности процесса.

Поставленная цель достигается тем, что выявление дислокации проводится погружением кремниевых пластин в селективный травитель «Дэша», состоящий из следующих компонентов: азотной кислоты (HNO3), плавиковой кислоты (HF) и уксусной кислоты (CH3COOH) в соотношении 5:1:15.

Сущность способа заключается в том, что кремниевые пластины загружают в селективный травитель «Дэша», состоящий из следующих компонентов: азотной кислоты (HNO3), плавиковой кислоты (HF) и уксусной кислоты (CH3COOH) в соотношении 5:1:15, при температуре 293 K, время травления - 145±5 минут. Далее отмывку ведут в стоп-ванне, с последующей отмывкой в двух ваннах с переливом на четыре стороны, при расходе деионизованной воды 500 л/ч, длительность отмывки - по 5 минут в каждой из ванн. Контроль качества очистки пластин осуществляется под лучом сфокусированного света на наличие количества светящихся точек, а для подсчета дефектов дислокаций выбирают рабочее увеличение микроскопа в диапазоне 100-400х и подсчитывают количество дефектов.

Предлагаемый способ отличается от известных тем, что выявление дефектов дислокации в селективном травителе «Дэша» позволяет потравить поверхность кремниевых пластин и выявить дефекты дислокации. Состояние поверхности кремниевых пластин влияет на качество последующих технологических операций и процент выхода годных транзисторов.

Количество светящихся точек составило 5 шт. Суммарное количество дефектов дислокации - 550±50 шт./см2.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.

ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке химической обработки. Фторопластовые кассеты с кремниевыми пластинами загружают в селективный травитель «Дэша», состоящий из следующих компонентов: азотной кислоты (HNO3), плавиковой кислоты (HF) и уксусной кислоты (CH3COOH) в соотношении компонентов 3:1:15. Травление проводится при температуре 298 K, время травления составляет - 185±5 минут. Затем фторопластовые кассеты с кремниевыми пластинами перекладывают в стоп-ванну для отмывки в деионизованной воде. После чего отмывку ведут в двух ваннах с переливом на четыре стороны, при расходе деионизованной воды 500 л/ч. Длительность отмывки - по 5 минут в каждой из ванн.

Количество светящихся точек составило 8 шт. Суммарное количество дефектов дислокации - 950±50 шт./см2.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в селективном травителе «Дэша», состоящем из следующих компонентов:

HNO3:HF:CH3COOH

4:1:15,

при температуре - 295 K время травления составляет - 165±5 минут.

Количество светящихся точек составило 6 шт. Суммарное количество дефектов дислокации - 750±50 шт./см2.

ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в селективном травителе «Дэша», состоящем из следующих компонентов:

HNO3:HF:CH3COOH

5:1:15,

при температуре - 293 K, время травления составляет - 145±5 минут.

Количество светящихся точек составило 5 шт. Суммарное количество дефектов дислокации - 550±50 шт./см2.

Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипом позволяет выявить дефекты дислокации и дает возможность получения ровной, ненарушенной поверхности кремниевых пластин, что позволяет улучшить качество поверхности эпитаксиальных структур.

Источники информации

1. З.Ю. Готра. Технология микроэлектронных устройств. - М.: Радио и связь, 1991, с.128.

Способ выявления эпитаксиальных дефектов дислокаций, включающий травление поверхности кремниевых пластин, отличающийся тем, что обработку ведут в селективном травителе «Дэша», состоящем из следующих компонентов: азотной кислоты (HNO3), плавиковой кислоты (HF) и уксусной кислоты (СН3СООН) в соотношении 5:1:15 при температуре 293 К и времени травления 145±5 мин, при этом количество светящихся точек составляет 5 шт., а суммарное количество дефектов дислокации 550±50 шт./см2.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к испытаниям сохраняемости инфракрасного (ИК) многоэлементного фотоприемного устройства (МФПУ), содержащего клеевые соединения в вакуумированной полости, с рабочей температурой фоточувствительных элементов ниже температуры окружающей среды, предназначенного для регистрации ИК-излучения.

Изобретение относится к измерительной технике, к способам оптико-физических измерений, базирующихся на эллипсометрии, и предназначено для контроля состава материала по толщине выращиваемых слоев с градиентом состава.

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля профиля легирования в полупроводниках. .

Изобретение относится к области тестирования МОП мультиплексоров. .

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в производстве оптоэлектронных и оптических компонентов на этапах проектирования изделий и тестирования заготовок.

Изобретение относится к микроэлектронике и служит для контроля качества металлизации электронных приборов в процессе их производства. .

Изобретение относится к микро- и нанотехнологии и может быть использовано при нанесении и исследовании тонкопленочных структур, в особенности в производстве и контроле полупроводниковых микросхем методом сухого травления.

Изобретение относится к способам неразрушающего контроля параметров полупроводников и низкоразмерных полупроводниковых наноструктур. .

Изобретение относится к устройствам, используемым в полупроводниковом производстве для кинематических испытаний готовых полупроводниковых приборов. .

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в автоматизированных системах контроля, анализа и управления групповыми технологическими процессами изготовления резистивных компонентов интегральных схем микроэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к методам определения коэффициента диффузии примесных атомов в полупроводнике и позволяет по данным вольт-фарадной характеристики p-n перехода и математической модели процесса диффузии, в результате которого создан p-n переход, определять концентрационные профили введенной в полупроводник примеси

Изобретение относится к устройствам, используемым в полупроводниковом производстве, и может быть применено для климатических испытаний готовых полупроводниковых приборов при одновременном измерении их электрических параметров

Изобретение относится к технологии изготовления и способам тестирования МОП мультиплексоров

Изобретение относится к области металлургии, в частности к иридиевым сплавам для проволочной заготовки для штырей зонда

Изобретение относится к технологии изготовления и способам тестирования МОП мультиплексоров

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при исследовании как полупроводниковых материалов, так и полупроводниковых приборов, созданных на их основе

Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для бесконтактного определения времени жизни неравновесных носителей заряда в тонких полупроводниковых пластинках
Наверх