Способ управления емкостью электрического конденсатора и полупроводниковый конденсатор на его основе



Способ управления емкостью электрического конденсатора и полупроводниковый конденсатор на его основе
Способ управления емкостью электрического конденсатора и полупроводниковый конденсатор на его основе
Способ управления емкостью электрического конденсатора и полупроводниковый конденсатор на его основе
Способ управления емкостью электрического конденсатора и полупроводниковый конденсатор на его основе

 


Владельцы патента RU 2474903:

Степанец Владимир Андреевич (RU)

Способ управления емкостью электрического конденсатора и полупроводниковый конденсатор на его основе относятся к радиоэлектронной промышленности и могут быть использованы в конденсаторостроении. Согласно изобретению, для управления емкостью электрического конденсатора шунтируют емкость его примесного полупроводникового слоя, расположенного между слоями диэлектрика, для чего к этому слою прикладывают управляющее электрическое поле, направленное поперек основного поля конденсатора, при этом изменением напряженности управляющего поля регулируют емкость конденсатора. Техническим результатом изобретения является повышение эффективности управляющего поля за счет изменения абсолютной емкости конденсатора при гальванической развязке цепей управления емкостью и ее рабочих цепей. Предложен также полупроводниковый конденсатор с электродами управляющего поля. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 4 ил.

 

Изобретение относится к радиоэлектронной промышленности и может быть использовано в конденсаторостроении.

Конденсаторы переменной емкости находят широкое применение в системах автоматики, контроля и управления, генераторах электрической энергии. Принципиально, способы управления емкостью конденсатора основываются на изменении площади его обкладок, расстояния между ними и диэлектрической проницаемости применяемого диэлектрического материала или их комбинации и осуществляются механически (конденсаторы переменные и подстроечные) и электрически для нелинейных емкостей (вариконды, варикапы).

При этом вариконды увеличивают емкость с увеличением напряжения на обкладках. В варикапах и их аналогах на МДП-структурах (металл-диэлектрик-полупроводник) для изменения емкости используется зависимость ширины р-n-зонного перехода от приложенного напряжения: с увеличением напряжения емкость снижается вследствие увеличения ширины гомогенного или гетерогенного перехода. Использование в схемах управления емкостью и варикапов и варикондов требует приложения специального дополнительного напряжения смещения. Варикапы имеют меньшую по сравнению с варикондами добротность, но большую стабильность емкости и меньшие потери при высоких частотах (см. Горшков А.П. «Переменные конденсаторы» // «Радио» №1, 1947; Кочеров А.В. «Конденсатор электрический» // «Большая Советская энциклопедия», М.: Советская энциклопедия, 1969-1978; Жеребцов И.П. «Основы электроники», Л.: Энергоатомиздат, 1985, с.137-138, 150-151).

В том числе известен способ, при котором регулирование емкости в заданном диапазоне производят за счет механического воздействия на подвижную пластину или группу подвижных пластин, путем их перемещения относительно неподвижной или группы неподвижных пластин, при этом достигают одновременного изменения расстояния между пластинами и толщины диэлектрика между пластинами. По достижении требуемого значения емкости положение пластин фиксируют. Этот способ промышленно реализован в подстроечных конденсаторах и конденсаторах переменной емкости (А.П.Горшков «Переменные конденсаторы» // «Радио» №1, 1947).

Основным недостатком способа является необходимость передачи механического воздействия на подвижные пластины, сложность конструкции, использование дорогостоящих материалов и драгоценных металлов при изготовлении. Поэтому устройства, его реализующие, отличаются высокой металлоемкостью, сложностью конструкции и трудно миниатюризуемы.

Известен способ управления емкостью конденсатора, реализованный в конденсаторе переменной емкости, имеющем дополнительные внутренние обкладки, разделенные между собой и с внешними обкладками слоями диэлектрика, с возможностью их соединения через переменные сопротивления и коммутационные элементы. Способ заключается в шунтировании части емкости диэлектрика конденсатора, заключенного между внутренними обкладками, путем их закорачивания между собой (см. «Конденсатор переменной емкости», авт.св. СССР №769650, МПК4 H01G 7/00, 1984 г.).

Недостатком этого способа является выбор разработчиками конструкции технического решения, не позволяющего вернуть емкость конденсатора в исходное состояние после разблокировки закоротки внутренних обкладок, поскольку они при этом останутся заряженными. Кроме того, способ требует использования коммутационной аппаратуры и регулирования переменного сопротивления.

Наиболее близким по технической сути к предлагаемому изобретению является способ и устройство, реализованное в виде четырехэлектродного полупроводникового конденсатора, в котором полупроводниковый слой расположен между металлическими слоями, разделенными диэлектриком, а выводы подсоединены к полупроводниковому слою. На полупроводниковый слой, выполненный из собственного полупроводника, подается постоянный ток. Насыщение полупроводникового слоя электронами тока позволяет частично шунтировать емкость полупроводникового слоя, а следовательно, и емкость конденсатора в целом. Степень изменения емкости конденсатора регулируют силой тока, подаваемого в полупроводниковый слой через омические выводы, осуществляя таким образом развязку цепи управления и функциональной цепи емкости, что важно для ряда приложений (см. «Полупроводниковый конденсатор», авт.св. СССР №535608, МПК5 H01G 7/00, 1971 г.).

Недостатком данного, выбранного в качестве прототипа, способа и реализующего его устройства является незначительный диапазон изменения емкости, вследствие низкой проводящей способности собственного полупроводника, и недостаточно высокий КПД, обусловленный необходимостью поддержания тока управления при зафиксированной величине емкости конденсатора.

Задачей изобретения является расширение диапазона изменения абсолютной, а не только дифференциальной емкости конденсатора, повышение экономичности управления емкостью и эффективности действия управляющего поля при гальванической развязке цепей управляющего и управляемого сигнала.

Решение поставленной задачи достигается тем, что емкостью электрического конденсатора управляют путем шунтирования емкости его примесного полупроводникового слоя, расположенного между слоями диэлектрика или сегнетоэлектрика. При этом изменяют концентрацию находящихся в зоне действия основного поля конденсатора подвижных носителей заряда примесного полупроводникового слоя, для чего к этому слою, через слой диэлектрика или сегнетоэлектрика, прикладывают управляющее электрическое поле, ориентированное поперек основного поля конденсатора, а изменение емкости конденсатора осуществляют увеличением или уменьшением напряженности управляющего электрического поля. Эффективность действия управляющего поля повышают, облегчая перемещение подвижных носителей заряда слоя примесного полупроводника под действием управляющего поля, для чего в указанном слое формируют токопроводящий канал, ориентированный по направлению действия управляющего поля.

Сущность изобретения состоит в том, что управляют емкостью составного электрического конденсатора, состоящего из последовательно включенных двух емкостей слоев диэлектрика или сегнетоэлектрика с общим значением Сд и емкости Спп слоя примесного полупроводника, шунтируемой переменным сопротивлением Rш (см. фиг.4). Минимальная общая емкость С конденсатора при этом (Rш=∞) составит (например, методику расчета см. Бессонов Л.А. Теоретические основы электротехники. М.: Высшая школа, 1967, с.621-623):

Если теперь полностью зашунтировать (Rш=0) емкость Спп примесного полупроводникового слоя, то максимальная общая емкость Сш конденсатора составит:

Таким образом, меняя степень шунтирования емкости примесного полупроводникового слоя, получаем изменение общей емкости конденсатора в интервале от С до Сд, согласно выражениям (1, 2). Подбором диэлектрической проницаемости материала внутренних слоев конденсатора и их толщины, получаем любой нужный диапазон изменения значения (перекрытия) емкости конденсатора, т.е. соотношения С и Сд.

Степень шунтирования емкости примесного полупроводникового слоя определяется изменением концентрации находящихся в зоне действия основного поля конденсатора подвижных носителей заряда примесного полупроводникового слоя, которая изначально, в отсутствии управляющего напряжения, выбирается достаточной для полного шунтирования его емкости.

Адсорбцией из зоны действия основного поля конденсатора подвижных носителей заряда примесного полупроводника достигается превращение примесного полупроводникового слоя в этой зоне в диэлектрик с собственным коэффициентом диэлектрической проницаемости основного материала. Для этого к примесному полупроводниковому слою прикладывается, вызывающее перемещение подвижных носителей заряда за пределы зоны действия основного поля конденсатора, поперечно к нему направленное управляющее поле. При этом, согласно принципу суперпозиции действия электрических полей (см. Яворский Б.М., Детлаф А.А. Справочник по физике. М.: Наука, 1974. с.344), на элементарные подвижные носители заряда будут одновременно действовать силы, перемещающие их по направлению и основного и управляющего поля. Отсюда очевидно, что если напряженность Еу управляющего поля в примесном полупроводниковом слое будет превосходить напряженность Ер основного рабочего поля:

то подвижные носители будут перемещаться по направлению управляющего поля и выйдут из зоны действия основного поля.

Силовые линии оставшихся неподвижных заряженных ионов кристаллической решетки примесного полупроводника при этом, в силу общей электрической нейтральности устройства, замкнутся на управляющие электроды и накопленные ими подвижные носители заряда и на величину основной рабочей емкости конденсатора не повлияют.

Сопоставительный анализ с наиболее близкими аналогами и прототипом показывает, что предлагаемый способ управления емкостью конденсатора и устройство на его основе отличаются иной, более универсальной и более эффективной технологией изменения емкости конденсатора.

В отличие от переменных конденсаторов на МДП-структурах и варикапов, предлагаемый способ не имеет ограничений по напряжению пробоя барьера Шотки или обратного р-n перехода, не имеет несимметрии для рабочих напряжений и не требует поддержания постоянного управляющего тока, управление в нем осуществляется абсолютной емкостью конденсатора, а не только дифференциальной емкостью по переменному напряжению. Также, принципиально важным отличием является гальваническая развязка цепей управления с основными рабочими цепями емкости.

В отличие от способа, реализованного в устройстве «Полупроводниковый конденсатор» (прототипе), в котором эффект изменения емкости четырехэлектродного конденсатора достигается пропусканием тока через слой полупроводника в направлении, поперечном к основному полю конденсатора, и который имеет ограниченный коэффициент перекрытия и требует постоянного поддержания управляющего тока, в предлагаемом техническом решении управляющее воздействие прикладывается к слою примесного полупроводника через слой диэлектрика или сегнетоэлектрика, с осуществлением процесса насыщения - обеднения за счет примесной проводимости и примесных подвижных носителей заряда, что устраняет недостатки прототипа, расширяет диапазон изменения емкости, повышает экономичность устройства и эффективность применения управляющего поля конденсатора.

Таким образом, предлагаемое изобретение соответствует критерию "новизна" и "изобретательский уровень".

На рисунках фиг.1-4 показаны варианты конструкции полупроводникового конденсатора, реализующие предлагаемый способ управления емкостью конденсатора и его эквивалентную электрическую схему.

Устройство содержит токопроводящие обкладки 1, предназначенные для создания основного поля конденсатора, разделенные слоями 2 диэлектрика или сегнетоэлектрика, между которыми размещен слой 3 примесного полупроводника, частично выступающий за габариты обкладок 1 конденсатора. Электроды 4 управляющего поля, предназначенные для создания управляющего поля, поперечного основному полю конденсатора, через слой 5 диэлектрика или сегнетоэлектрика подведены к противоположным выступающим за габариты обкладок 1 конденсатора частям слоя 3 примесного полупроводника. Создание выступающей за габариты обкладок 1 конденсатора части слоя 3 примесного полупроводника необходимо для исключения взаимовлияния обкладок 1 и электродов 4 управляющего поля, а также для накопления в этой области подвижных носителей заряда примесного полупроводника.

Выбором толщины и диэлектрической проницаемости материала слоев 2 и 5 диэлектрика или сегнетоэлектрика обеспечивают требуемое соотношение величин управляющего и управляемого сигналов, определяющее эффективность управления емкостью конденсатора.

Управление емкостью конденсатора осуществляется следующим образом.

Прикладывая к обкладкам конденсатора, в общем случае, переменное рабочее напряжение Up(t), в примесном полупроводниковом слое конденсатора получают основное рабочее поле напряженностью, в общем случае, Ep(t). Управляющее поле напряженностью Еу в примесном полупроводниковом слое создают приложением к электродам управляющего напряжения Uy от источника регулируемого напряжения (на рисунке не показан). Направление перемещения каждого элементарного подвижного носителя заряда (электрона е-, дырки е+) примесного полупроводникового слоя при этом будет определяться векторной суммой сил (fp, fy) и, соответственно, напряженностей, приложенных к нему со стороны всех действующих полей, а в данном случае основного и управляющего поля.

Образование управляющего поля вызывает перемещение подвижных носителей заряда примесного полупроводника к управляющим электродам, за пределы основного поля конденсатора, вызывая обеднение слоя примесного полупроводника в зоне основного поля конденсатора и, тем самым, расшунтирование емкости слоя примесного полупроводника с уменьшением общей емкости конденсатора. Снятие управляющего поля (напряжения с управляющих электродов) приводит к обратным последствиям.

Таким образом, управление емкостью конденсатора осуществляют увеличением или уменьшением напряженности управляющего поля, путем изменения значения управляющего напряжения Uy, подводимого от источника регулируемого напряжения. По достижении заданной величины емкости конденсатора, напряженность и напряжение управляющего поля сохраняют неизменной.

С целью повышения эффективности действия управляющего поля, слой 5 диэлектрика (сегнетоэлектрика) конденсатора может изготавливаться из материала со значительно более высокой диэлектрической проницаемостью, чем у диэлектрика (сегнетоэлектрика) слоя 2. В этом случае управление будет осуществляться меньшими значениями управляющего напряжения.

Для облегчения перемещения подвижных носителей заряда слоя примесного полупроводника под действием управляющего поля и уменьшения влияния поверхностных ловушек и дефектов, всегда имеющих место в реальном полупроводнике, возможно формирование в нем токопроводящего канала, ориентированного по направлению действия управляющего поля.

Технологически возможна реализация предлагаемого способа также и в планарном варианте, как это представлено на фиг.2, 3.

Нужное значение общей емкости конденсатора получают параллельным соединением необходимого количества элементарных емкостей.

Использование предлагаемого способа управления емкостью конденсатора и устройства на его основе дает, по сравнению с существующими способами электрического управления емкостью, следующий технический результат:

значительно расширяет диапазон изменения абсолютной, а не только дифференциальной, емкости конденсатора,

обеспечивает гальваническую развязку управляющих и управляемых цепей конденсатора переменной емкости,

повышает экономичность управления емкостью конденсатора за счет исключения необходимости постоянного поддержания управляющего тока и большей эффективности действия управляющего поля.

Перспективы промышленного применения изобретения не вызывают трудностей, поскольку предполагается использование существующих, освоенных технологий конденсаторостроения и микроэлектроники, а также не требуется применение каких-либо неизвестных современной промышленности, средств, материалов или элементов. В том числе, формирование токопроводящих каналов, например, путем модулированного легирования или использования гетеропереходов на быстрых электронах широко применяется в производстве полевых транзисторов и приборов с зарядовой связью (см., например, Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн.1. - М.: Мир, 1984. с.437-445, 446-450; Гуртов В.А. Твердотельная электроника. Учебное пособие. - Петрозаводск: ПГУ, 2004. с.27-30; Бочаров Л.Н. Полевые транзисторы. - М.: Радио и связь, 1984. с.37).

1. Способ управления емкостью электрического конденсатора путем шунтирования емкости его полупроводникового слоя, расположенного между слоями диэлектрика, отличающийся тем, что указанное шунтирование проводят в слое из примесного полупроводника, в котором изменяют концентрацию его подвижных носителей заряда, находящихся в зоне действия основного поля конденсатора, для чего к указанному слою примесного полупроводника прикладывают управляющее электрическое поле, ориентированное поперек основного поля конденсатора, а изменение емкости конденсатора осуществляют увеличением или уменьшением напряженности управляющего электрического поля.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что облегчают перемещение подвижных носителей заряда слоя примесного полупроводника под действием управляющего поля, для чего в указанном слое формируют токопроводящий канал, ориентированный по направлению действия управляющего поля.

3. Полупроводниковый конденсатор, содержащий слои диэлектрика и полупроводника, обкладки, предназначенные для создания основного поля конденсатора, и электроды, служащие для формирования в полупроводниковом слое управляющего поля, отличающийся тем, что обкладки конденсатора разделены слоями диэлектрика или сегнетоэлектрика с расположенным между ними, частично выступающим за габариты обкладок слоем примесного полупроводника, к противоположным выступающим частям которого через слои диэлектрика или сегнетоэлектрика подведены электроды управляющего поля.

4. Конденсатор по п.3, отличающийся тем, что в слое примесного полупроводника сформирован токопроводящий канал, ориентированный по направлению действия управляющего поля.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к усовершенствованию электрета и устройству для преобразования энергии посредством электростатической индукции, содержащему такой электрет.

Изобретение относится к способам, химическим составам и устройству для генерации электричества. .

Изобретение относится к радиоэлектронной промышленности, а именно к способу управления емкостью электрического конденсатора и конденсатору переменной емкости на основе этого способа, и может быть использовано в конденсаторостроении.

Изобретение относится к области электроники и может быть использовано при конструировании датчиков оптического излучения видимой области спектра и преобразователей солнечной энергии.

Изобретение относится к области электротехники, в частности к получению полимерных электретов, которые используются в герметизирующих системах, в триботехнике, в различных приборах и аппаратах, таких как электретные дозиметры, электретные фильтры, а также в звуковоспроизводящей аппаратуре.

Изобретение относится к области электротехники и электроники, в частности к устройствам, накапливающим электрические заряды - конденсаторам, и может быть использовано при создании конденсаторов с существенно повышенной электроемкостью.

Изобретение относится к способам изготовления диэлектрических изделий, длительно сохраняющих статический заряд. .

Изобретение относится к фильтрующим средам электретного эффекта с улучшенной, фильтрующей способностью (так называемые "электретные фильтры"). .

Изобретение относится к технике изготовления электретов на основе анодного оксида алюминия, которые могут быть использованы в различных электрофизических устройствах: микрофонах, датчиках, фильтрах для очистки воздуха.

Изобретение относится к физике диэлектриков и может быть использовано в материаловедении, радиотехнике, конденсатостроении. .

Изобретение относится к области технологий изготовления пленочных электретов и может быть использовано, например, при производстве биполярных электретных микрофонов и нового класса пьезодатчиков на основе ламинированных электретных пленок, обладающих гигантским пьезомодулем (до 1000 нКл/Н)

Изобретение относится к области электротехники, в частности к области резонансных высокочастотных электрических конденсаторов для преобразования и передачи электрической энергии. Технический результат заключается в снижении энергетических затрат на генерирование электромагнитных волн и потерь при передаче электрической энергии. Технический результат достигается тем, что в электрическом конденсаторе, содержащем обкладки в виде лент из проводящего материала, слой пленочного диэлектрика, расположенного между обкладками, и электроды, соединенные с обкладками и внешними выводами конденсатора, электрический конденсатор содержит две обкладки с тремя электродами, причем первый электрод присоединен к середине первой обкладки, а вторая обкладка имеет два электрода, присоединенных к концам обкладки.4 н.и 7 з.п. ф-лы, 8 ил.

(57) Изобретение относится к области электротехники, в частности к способу изготовления электретов, и может быть использовано в медицине для изготовления костных имплантатов, применяемых в хирургии для лечения переломов костей и артрозов суставов. Предложенный способ изготовления электретов обеспечивает зарядку наружной поверхности изделия-электрета сложной конфигурации, основа которого изготовлена из тантала, со всех сторон покрытого тонким слоем оксида тантала, путем создания разности потенциалов между проводящей основой и наружной поверхностью изделия через жидкостной контакт, для чего указанное изделие при разности потенциалов погружают в емкость с жидкостью и затем извлекают из нее. Также в заявленном способе предусмотрено изменение величины разности потенциалов при извлечении изделия из жидкости и изменение уровня жидкости относительно изделия, при этом указанная жидкость представляет собой смесь воды и этилового спирта. Предложенный способ позволяет получать на поверхности имплантата сложной формы электретный слой при заданном распределении потенциала по всей поверхности изделия за один проход, т.е. при одном извлечении изделия из жидкости, что является техническим результатом предложенного изобретения. 4 з.п. ф-лы, 1 ил.

Заявленное изобретение относится к области электротехники и направлено на предотвращение изменения емкости при смещении электродов, расположенных один напротив другого через слой диэлектрика. Емкостный прибор согласно изобретению содержит слой (10) диэлектрика, первый электрод (11), выполненный на заданной поверхности (10а) слоя (10) диэлектрика, и второй электрод (12), выполненный на противоположной поверхности (10b) слоя (10) диэлектрика. Первый и второй электроды (11, 12) выполнены такой формы, чтобы даже в случае смещения первого электрода (11) в заданном направлении относительно второго электрода (12) площадь перекрывающейся области противоположных электродов между первым электродом (11) и вторым электродом (12) оставалась неизменной. Повышение стабильности работы емкостных приборов с переменной емкостью является техническим результатом заявленного изобретения. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 61 ил.

Изобретение относится к области электротехники, а именно к способу изготовления полимерных пленочных электретов, которые могут быть использованы при производстве биполярных электретных микрофонов и пьезодатчиков на основе ламинированных электретных пленок, обладающих стабильным зарядом. Заявленный способ включает нанесение на металлический электрод слоя фторполимера, нанесение на поверхность фторполимера дискретного слоя, состоящего из изолированных друг от друга наноразмерных агрегатов из титансодержащих наноструктур, и последующее электретирование в положительном коронном разряде, при этом перед нанесением титансодержащих наноструктур поверхность фторполимера трибоэлектризуют диэлектрическим контртелом, сообщая поверхности отрицательный заряд. Повышение величины и стабильности поверхностной плотности положительного заряда пленочного фторполимерного электрета является техническим результатом заявленного изобретения. 2 ил., 2 пр.

Изобретение относится к области технологий изготовления пленочных электретов и может быть использовано, например, при производстве биполярных электретных микрофонов и нового класса пьезодатчиков на основе ламинированных электретных пленок, обладающих гигантским пьезомодулем (до 1000 пКл/Н). Целью изобретения является повышение величины и стабильности поверхностной плотности положительного заряда в пленочных фторполимерах. Это достигается тем, что в способе изготовления пленочного электрета, включающем нанесение на металлический электрод слоя фторполимера, нанесение на поверхность фторполимера дискретного слоя, состоящего из изолированных друг от друга наноразмерных агрегатов титансодержащих наноструктур, и последующее электретирование в положительном коронном разряде, перед нанесением титансодержащих наноструктур поверхность фторполимера обрабатывают плазмой высокочастотного емкостного разряда в атмосфере насыщенного водяного пара. Использование данного технического решения позволяет не менее чем в 1.45 раза увеличить поверхностную плотность положительного заряда во фторполимерах, а также повысить временную и термостабильность заряда. 2 ил., 5 пр.

Изобретение относится к области СВЧ радиоэлектроники и предназначено для работы в СВЧ устройствах при повышенном уровне мощности СВЧ сигнала в качестве нелинейного элемента в виде сегнетоэлектрического конденсатора с электрическим управлением номинала емкости. Сегнетоэлектрический (СЭ) конденсатор состоит из диэлектрической подложки (1), на которой из электропроводящей пленки сформированы электроды планарного конденсатора (2) и (3), электроды (6) и (7) для подачи управляющего напряжения и полосковые линии (4) и (5), соединяющие электроды (2),(6) и электроды (3), (7), СЭ пленки (8), покрывающей диэлектрическую подложку с электродами, на которой из электропроводящей пленки сформированы электроды (9) и (10) над электродами (2) и (3) с частичным перекрытием площадей для подключения к внешней СВЧ цепи и электроды (11) и (12) над электродами (6) и (7) для подключения к внешней цепи управления. Конденсаторы с электродами (2) и (9) и с электродами (3) и (10) блокируют протекание постоянного тока от источника управляющего напряжения через СВЧ цепи. Индуктивное сопротивление полосковых линий (4) и (5) предотвращает утечку мощности СВЧ сигнала во внешние цепи управления СЭ конденсатором. Техническим результатом заявленного изобретения является снижение уровня управляющего напряжения при повышенных уровнях мощности СВЧ сигнала. 2 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение может быть использовано в микроэлектронике при изготовлении широкого класса управляемых электрическим полем элементов, в частности для производства энергонезависимых сегнетоэлектрических запоминающих устройств. Для изготовления сегнетоэлектрического конденсатора на подложку (1) напыляют нижний электрод (2), на который послойно наносят пленкообразующий раствор на основе цирконата-титаната свинца с послойными сушкой и пиролизом для формирования нескольких слоев твердого раствора (3-1)…(3-n). Сформированные несколько слоев твердого раствора (3-1)…(3-n) подвергают кристаллизации (4) для получения сегнетоэлектрической пленки (5). На сегнетоэлектрическую пленку (5) напыляют верхний электрод (6). В пленкообразующий раствор на основе цирконата-титаната свинца для формирования слоя твердого раствора (3-1), примыкающего к нижнему электроду, вводят 0÷7%-ный избыток свинца сверх стехиометрии, а в пленкообразующий раствор на основе цирконата-титаната свинца для формирования остальных слоев твердого раствора (3-2)…3-n вводят 8÷30%-ный избыток свинца сверх стехиометрии. Изобретение обеспечивает улучшение электрических свойств сегнетоэлектрической пленки (5) на основе цирконата-титаната свинца: повышает остаточную поляризацию, увеличивает диэлектрическую нелинейность и снижает токи утечки. 8 з.п. ф-лы, 6 ил., 2 пр.
Наверх