Способ контроля электромагнитной безопасности



Способ контроля электромагнитной безопасности
Способ контроля электромагнитной безопасности

Владельцы патента RU 2476894:

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный технический университет им. И.И. Ползунова" (АлтГТУ) (RU)

Изобретение предназначено для измерений и контроля уровней электромагнитных полей, создаваемых в помещениях источниками электромагнитных излучений. Измеряют значение напряженности электрического поля, создаваемого источниками электромагнитных излучений, кроме ПЭВМ, на частоте 0 Гц, и измеряют значение напряженности электростатического поля, создаваемого ПЭВМ, на частоте 0 Гц, и измеряют значение напряженности электрического поля, создаваемого источниками электромагнитных излучений, кроме ПЭВМ и бытовой техники, на частоте 50 Гц, и измеряют значение напряженности электрического поля, создаваемого ПЭВМ, на частоте 50 Гц, и измеряют значение напряженности электрического поля, создаваемого бытовой техникой, используемой в жилых зданиях и помещениях, на частоте 50 Гц, и измеряют значение напряженности магнитного поля, создаваемого источниками электромагнитных излучений, кроме ПЭВМ, на частоте 50 Гц, и измеряют значение напряженности магнитного поля, создаваемого ПЭВМ, на частоте 50 Гц, и измеряют значение напряженности электромагнитного поля из радиочастотного диапазона 30 кГц-300 МГц. Определяют допустимое время пребывания в точке измерения для каждой внешней поверхности. Из полученных значений этого времени выбирают наименьшее допустимое значение, значения напряженностей электрических или магнитных полей, соответствующие наименьшему допустимому значению времени пребывания в точках измерений, используют для формирования пространственной картины электромагнитных полей в зависимости от напряженности электрического или магнитного полей в исследуемом объекте. Об уровне электромагнитной безопасности судят по полученной пространственной картине опасности электромагнитного излучения. Технический результат - расширение области применения, повышение достоверности результатов контроля электромагнитной безопасности и снижение трудоемкости осуществления способа. 2 ил.

 

Изобретение относится к области измерений и контроля уровней электромагнитных полей, создаваемых в помещениях различными источниками электромагнитных излучений (ЭМИ), и может быть использовано для определения их степени влияния на возможность пребывания в различных зонах этих помещений.

Известен способ измерения напряженности электромагнитного поля, заключающийся в помещении в измеряемое электромагнитное поле К антенн-датчиков и регистрации напряжений на элементе нагрузки К антенн-датчиков U1…UK, пропорциональных напряженности воздействующего электромагнитного поля. При этом все К антенны-датчики имеют отличные друг от друга амплитудно-частотные характеристики, число К антенн-датчиков выбирают равным числу источников излучения N или выше него, а напряженности всех N составляющих электромагнитного поля E1…EN определяют из решения системы линейных уравнений (патент RU 2164028, МПК G01R 29/08, 2001).

Недостатком вышеописанного способа является узкая область применения вследствие ограниченной возможности измерения параметров электромагнитных полей только в радиочастотном диапазоне.

Известен способ измерения уровней электромагнитного излучения, заключающийся в том, что измерения производят с использованием приемной антенны и анализатора спектра электромагнитного излучения, который представляет собой портативную ЭВМ (патент RU 2189605, МПК G01R 29/08, 2002).

Недостатком данного способа является ограниченная область применения вследствие измерения уровней ЭМИ только для низкочастотного электромагнитного излучения.

Известен способ определения уровня низкочастотного электромагнитного излучения средств электронно-вычислительной техники, заключающийся в том, что измерение уровня исследуемых ЭМИ в полосе частот 5 Гц - 2 кГц производят дважды: при отсутствии фильтра и при его наличии, а затем искомый результат определяют аналитически (патент RU 2187825, МПК G01R 29/08, 2002).

Недостатком этого способа является ограниченная область применения, так как он используется лишь для определения уровня низкочастотного ЭМИ средств электронно-вычислительной техники.

Наиболее близким по технической сущности (прототипом) к предлагаемому изобретению по максимальному количеству сходных признаков является способ контроля электромагнитной безопасности, заключающийся в том, что производят измерение напряженностей статических электрических полей, переменных электрических и магнитных полей от источников электромагнитного излучения, в качестве которых использованы ПЭВМ (персональные электронно-вычислительные машины), на расстоянии 0,5 м от экрана (СанПиН 2.2.2/2.4.1340-03. Гигиенические требования к персональным электронно-вычислительным машинам и организации работы. - Введ. 2003-06-30. - М.: Изд-во стандартов, 2003. - С.12).

Недостатками вышеприведенного способа являются узкая область применения, так как этот способ предназначен для определения уровня электромагнитного излучения средств только электронно-вычислительной техники; низкая достоверность результатов контроля вследствие невозможности определения параметров электромагнитного поля во всех точках помещения - для этого требуется бесконечное количество измерений; повышенная трудоемкость осуществления вследствие сложности определения допустимого времени пребывания в различных зонах помещения.

Задача настоящего изобретения заключается в расширении области применения способа путем обеспечения возможности определения уровня ЭМИ от любых источников, повышение достоверности результатов контроля электромагнитной безопасности путем обеспечения возможности определения уровня ЭМИ во всех точках контролируемого пространства, снижение трудоемкости осуществления способа путем уменьшения сложности определения допустимого времени пребывания в различных зонах помещения.

Известно, что в прототипе (СанПиН 2.2.2/2.4.1340-03. Гигиенические требования к персональным электронно-вычислительным машинам и организации работы. - Введ. 2003-06-30. - М.: Изд-во стандартов, 2003. - С.12) расстояние от центра каждой внешней поверхности каждого источника излучения выбирают равным 0,5 м.

В источнике (СанПиН 2.1.2.1002-00. Санитарно-эпидемиологические требования к жилым зданиям и помещениям.- Введ. 2001-07-01. - М.: Изд-во стандартов, 2001. - С.13) расстояние от центра каждой внешней поверхности каждого источника излучения выбирают равным 0,1 м.

Расстояние от центра каждой внешней поверхности каждого источника излучения в нашем случае выбирают равным 0,1 м в связи с тем, что современные источники электромагнитного излучения (блоки питания, манипуляторы «мышь», мобильные телефоны, смартфоны и т.п.)» по габаритам соизмеримы с размером 0,1 м и могут находиться достаточно близко друг к другу. В случае увеличения упомянутого расстояния невозможно получить адекватную информацию о величине поля имеющимися приборами контроля электромагнитных полей (поскольку поля будут накладываться друг на друга и искажать результаты измерений).

Поставленная задача достигается тем, что в способе контроля электромагнитной безопасности, заключающемся в том, что производят измерение напряженностей статических электрических полей, переменных электрических и магнитных полей от источников электромагнитного излучения, согласно изобретению на расстоянии 0,1 м от центра каждой внешней поверхности каждого источника излучения измеряют однократно значение напряженности электростатического поля, создаваемого источниками ЭМИ кроме ПЭВМ, на частоте 0 Гц и определяют допустимое время пребывания в точке измерения по формуле

где Ефакт - значение напряженности электростатического поля, создаваемого источниками ЭМИ, кроме ПЭВМ, на частоте 0 Гц, кВ/м;

и измеряют однократно значение напряженности электростатического поля, создаваемого ПЭВМ, на частоте 0 Гц и определяют допустимое время пребывания в точке измерения по формуле

где Е1факт - значение напряженности электростатического поля, создаваемого ПЭВМ, на частоте 0 Гц, кВ/м;

и измеряют однократно значение напряженности электрического поля, создаваемого источниками ЭМИ, кроме ПЭВМ и бытовой техники, на частоте 50 Гц и определяют допустимое время пребывания в точке измерения по формуле

где Е2факт - значение напряженности электрического поля, создаваемого источниками ЭМИ, кроме ПЭВМ и бытовой техники, на частоте 50 Гц, кВ/м;

и измеряют однократно значение напряженности электрического поля, создаваемого ПЭВМ, на частоте 50 Гц и определяют допустимое время пребывания в точке измерения по формуле

где Е3факт - значение напряженности электрического поля, создаваемого ПЭВМ, на частоте 50 Гц, кВ/м;

и измеряют однократно значение напряженности электрического поля, создаваемого бытовой техникой, используемой в жилых зданиях и помещениях, на частоте 50 Гц и определяют допустимое время пребывания в точке измерения по формуле

где Е4факт - значение напряженности электрического поля, создаваемого бытовой техникой, используемой в жилых зданиях и помещениях, на частоте 50 Гц, кВ/м;

и измеряют однократно значение напряженности магнитного поля, создаваемого источниками ЭМИ, кроме ПЭВМ, на частоте 50 Гц и определяют допустимое время пребывания в точке измерения по формуле

где Н1факт - значение напряженности магнитного поля, создаваемого источниками ЭМИ, кроме ПЭВМ, на частоте 50 Гц, А/м;

и измеряют однократно значение напряженности магнитного поля, создаваемого ПЭВМ, на частоте 50 Гц и определяют допустимое время пребывания в точке измерения по формуле

где Н2факт - значение напряженности магнитного поля, создаваемого ПЭВМ, на частоте 50 Гц, А/м;

и измеряют однократно значение напряженности электромагнитного поля из радиочастотного диапазона 30 кГц-300 МГц и определяют допустимое время пребывания в точке измерения по формуле

где КТ - поправочный временной коэффициент.

Из полученных для каждой внешней поверхности значений допустимого времени пребывания выбирают одно наименьшее допустимое значение, измеренные значения напряженностей электрических или магнитных полей, соответствующие наименьшему допустимому значению времени пребывания в точках измерений, используют для формирования пространственной картины электромагнитных полей в зависимости от напряженности электрического или магнитного полей в исследуемом объекте. Об уровне электромагнитной безопасности судят по полученной пространственной картине опасности электромагнитного излучения, преобразуя узловые значения шкалы напряженности электрического или магнитного полей по приведенным выше формулам в узловые значения допустимого времени пребывания, формируя шкалу допустимого времени и заменяя шкалу напряженностей электрического или магнитного полей на шкалу допустимого времени пребывания в опасных зонах объекта.

Предложенное изобретение поясняется фиг.1, на которой изображена пространственная картина электрического поля в координатах В/м, фиг.2, на которой показана пространственная картина опасности электрического поля от различного электрооборудования, размещенного в исследуемом объекте в координатах времени.

Пример осуществления способа контроля электромагнитной безопасности приведен ниже.

Производят измерение напряженностей статических электрических полей, переменных электрических и магнитных полей от источников электромагнитного излучения на частотах: 0 Гц, т.е. постоянное поле, 50 Гц, т.е. поле промышленной частоты, 30 кГц, 3 МГц, 30 МГц, 50 МГц, 300 МГц, т.е. поля радиочастотного диапазона, на расстоянии 0,1 м от центра каждой внешней поверхности каждого источника излучения.

Измеряют однократно значение напряженности электростатического поля, создаваемого источниками ЭМИ, кроме ПЭВМ, на частоте 0 Гц и определяют допустимое время пребывания в точке измерения по формуле (1). При этом учитывают, что предельно допустимый уровень напряженности электростатического поля на частоте 0 Гц при воздействии менее 1 часа за смену, т.е. 8 часов, равен 60 кВ/м (СанПиН 2.1.8/2.2.4.2490-09. Электромагнитные поля в производственных условиях. - Введ. 2009-05-15. - М.: Изд-во стандартов, 2009. - С.3).

При воздействии электростатического поля на частоте 0 Гц более 1 часа за смену предельно допустимый уровень напряженности электростатического поля ЕПДУ определяют по формуле (СанПиН 2.1.8/2.2.4.2490-09. Электромагнитные поля в производственных условиях. - Введ. 2009-05-15. - М.: Изд-во стандартов, 2009. - С.3):

где t - время воздействия, ч.

Аналогично определяют допустимое время пребывания в зонах действия источников ЭМИ в жилых зданиях и помещениях, например, с ПЭВМ.

И измеряют однократно значение напряженности электростатического поля, создаваемого ПЭВМ, на частоте 0 Гц и определяют допустимое время пребывания в точке измерения по формуле (2). При этом учитывают, что нормированный в (СанПиН 2.2.2/2.4.1340-03. Гигиенические требования к персональным электронно-вычислительным машинам и организации работы. - Введ. 2003-06-30. - М.: Изд-во стандартов, 2003. - С.10) предельно допустимый уровень напряженности электростатического поля, создаваемого ПЭВМ, на частоте 0 Гц равен 15 кВ/м при его воздействии в течение 8-часового рабочего дня. В соответствии с формулой (9) предельно допустимый уровень напряженности электростатического поля, создаваемого ПЭВМ, на частоте 0 Гц при его воздействии в течение 1 часа за 8 часов, не нормированное в (СанПиН 2.2.2/2.4.1340-03. Гигиенические требования к персональным электронно-вычислительным машинам и организации работы. - Введ. 2003-06-30. - М.: Изд-во стандартов, 2003. - С.10), составляет 43 кВ/м.

При определении предельно допустимого уровня напряженности электрического поля на частоте 50 Гц руководствуются следующим.

И измеряют однократно значение напряженности электрического поля, создаваемого источниками ЭМИ, кроме ПЭВМ и бытовой техники, на частоте 50 Гц и определяют допустимое время пребывания в точке измерения по формуле (3). При этом учитывают, что предельно допустимый уровень напряженности электрического поля на частоте 50 Гц при воздействии в течение 8 часов составляет 5 кВ/м (СанПиН 2.1.8/2.2.4.2490-09. Электромагнитные поля в производственных условиях. - Введ. 2009-05-15. - М.: Изд-во стандартов, 2009. - С.4).

И измеряют однократно значение напряженности электрического поля, создаваемого ПЭВМ, на частоте 50 Гц и определяют допустимое время пребывания в точке измерения по формуле (4), используя формулу (3). При этом учитывают, что нормированное значение предельно допустимого уровня напряженности электрического поля на частоте 50 Гц, создаваемого ПЭВМ на рабочих местах, составляет 0,025 кВ/м для 8-часового рабочего дня (СанПиН 2.2.2/2.4.1340-03. Гигиенические требования к персональным электронно-вычислительным машинам и организации работы. - Введ. 2003-06-30. - М.: Изд-во стандартов, 2003. - С.10).

И измеряют однократно значение напряженности электрического поля, создаваемого бытовой техникой, используемой в жилых зданиях и помещениях, на частоте 50 Гц и определяют допустимое время пребывания в точке измерения по формуле (5). При этом учитывают, что для всех изделий бытовой техники, кроме ПЭВМ, используемых в жилых зданиях и помещениях, предельно допустимый уровень напряженности электрического поля на частоте 50 Гц при воздействии в течение 8 часов составляет 0,5 кВ/м (СанПиН 2.1.2.1002-00. Санитарно-эпидемиологические требования к жилым зданиям и помещениям. - Введ. 2001-07-01. - М.: Изд-во стандартов, 2001. - С.13).

И измеряют однократно значение напряженности магнитного поля, создаваемого источниками ЭМИ, кроме ПЭВМ, на частоте 50 Гц и определяют допустимое время пребывания в точке измерения по формуле (6). При этом учитывают, что предельно допустимые уровни напряженности магнитного поля на частоте 50 Гц установлены в (СанПиН 2.1.8/2.2.4.2490-09. Электромагнитные поля в производственных условиях. - Введ. 2009-05-15. - М.: Изд-во стандартов, 2009. - С.5).

И измеряют однократно значение напряженности магнитного поля, создаваемого ПЭВМ, на частоте 50 Гц и определяют допустимое время пребывания в точке измерения по формуле (7) с помощью таблично заданных в (СанПиН 2.1.8/2.2.4.2490-09. Электромагнитные поля в производственных условиях. - Введ. 2009-05-15. - М.: Изд-во стандартов, 2009. - С.5) нормированных значений этих показателей для производственных условий. При этом учитывают, что предельно допустимое значение плотности магнитного потока равно 250 нТл, предельно допустимое значение напряженности магнитного поля равно 0,2 А/м на частоте 50 Гц, создаваемые ПЭВМ нормированы для 8-часового рабочего дня (СанПиН 2.2.2/2.4.1340-03. Гигиенические требования к персональным электронно-вычислительным машинам и организации работы. - Введ. 2003-06-30. - М.: Изд-во стандартов, 2003. - С.10).

И измеряют однократно значение напряженности электромагнитного поля из радиочастотного диапазона 30 кГц - 300 МГц и определяют допустимое время пребывания в точке измерения по формуле (8) при облучении в течение 8 часов от нескольких источников, работающих в радиочастотных диапазонах, для которых установлены разные предельно допустимые уровни.

Поправочный временной коэффициент КТ определяют следующим образом.

Для электрического поля частоты до 300 МГц и магнитного поля частоты до 50 МГц:

Здесь ЭЭЕ1 - энергетическая экспозиция по напряженности электрического поля в диапазоне частот 30 кГц-3 МГц, определяемая по формуле

где Е1 - напряженность электрического поля диапазона частот 30 кГц-3 МГц в контролируемой зоне, В/м,

Т - время воздействия, ч;

ЭЭЕ2 - энергетическая экспозиция по напряженности электрического поля в диапазоне частот 3-30 МГц, определяемая по формуле

где Е2 - напряженность электрического поля диапазона частот 3-30 МГц в контролируемой зоне, В/м;

ЭЭЕ3 - энергетическая экспозиция по напряженности электрического поля в диапазоне частот 30-50 МГц, определяемая по формуле

где Е3 - напряженность электрического поля диапазона частот 30-50 МГц в контролируемой зоне, В/м;

ЭЭЕ4 - энергетическая экспозиция по напряженности электрического поля в диапазоне частот 50-300 МГц, определяемая по формуле

где Е4 - напряженность электрического поля диапазона частот 50-300 МГц в контролируемой зоне, В/м;

ЭЭЕ.ПДУ1 - предельно допустимый уровень энергетической экспозиции по напряженности электрического поля диапазона частот 30 кГц-3 МГц, (В/м)2·ч;

ЭЭЕ.ПДУ2 - предельно допустимый уровень энергетической экспозиции по напряженности электрического поля диапазона частот 3-30 МГц, (В/м)2·ч;

ЭЭЕ.ПДУ3 - предельно допустимый уровень энергетической экспозиции по напряженности электрического поля диапазона частот 30-50 МГц, (В/м)2·ч;

ЭЭЕ.ПДУ4 - предельно допустимый уровень энергетической экспозиции по напряженности электрического поля диапазона частот 50-300 МГц, (В/м)2·ч;

ЭЭН1 - энергетическая экспозиция по напряженности магнитного поля в диапазоне частот 30 кГц-3 МГц, определяемая по формуле

где Н1 - напряженность магнитного поля в диапазоне частот 30 кГц-3 МГц в контролируемой зоне, А/м;

ЭЭН2 - энергетическая экспозиция по напряженности магнитного поля в диапазоне частот 30-50 МГц, определяемая по формуле

где Н2 - напряженность магнитного поля в диапазоне частот 30-50 МГц в контролируемой зоне, А/м;

ЭЭН.ПДУ1 - предельно допустимый уровень энергетической экспозиции по напряженности магнитного поля в диапазоне частот 30 кГц-3 МГц, (А/м)2·ч;

ЭЭН.ПДУ2 - предельно допустимый уровень энергетической экспозиции по напряженности магнитного поля в диапазоне частот 30-50 МГц, (А/м)2·ч.

Для электрического поля частоты до 300 МГц:

Для ультравысоких, сверхвысоких или крайне высоких частот:

где ЭЭППЭ- энергетическая экспозиция по плотности потока энергии, определяемая по формуле

где ППЭ - плотность потока энергии, Вт/м2;

ЭЭППЭ.ПДУ - предельно допустимый уровень энергетической экспозиции по плотности потока энергии, (Вт/м2)·ч.

При расчете допустимого времени пребывания в электромагнитном поле в диапазоне частот 30 кГц-300 ГГц выбирают наибольший поправочный временной коэффициент Кт.

Предельно допустимый уровень энергетических экспозиций электромагнитного поля для людей, профессионально не связанных с эксплуатацией и обслуживанием источников ЭМИ, определяют следующим образом.

Предельно допустимый уровень энергетической экспозиции по плотности потока энергии:

где ППЭПДУ - предельно допустимый уровень плотности потока энергии, Вт/м2.

Предельно допустимый уровень энергетической экспозиции по напряженности электрического поля:

где ЕПДУ - предельно допустимый уровень напряженности электрического поля, В/м.

Предельно допустимый уровень энергетической экспозиции по напряженности магнитного поля:

где НПДУ - предельно допустимый уровень напряженности магнитного поля, А/м.

Из полученных для каждой внешней поверхности значений допустимого времени пребывания Тдоп выбирают одно наименьшее допустимое значение, которое определяют путем сопоставления допустимого времени пребывания в электростатическом поле Тдоп(ЭСП), в электрическом поле промышленной частоты Тдоп (ЭП 50), в магнитном поле промышленной частоты Тдоп (МП 50) и в электромагнитном поле радиочастотного диапазона Тдоп (ЭМП РЧ).

Измеренные значения напряженностей электрических или магнитных полей, соответствующие наименьшему допустимому значению времени пребывания в точках измерений, используют для формирования пространственной картины электромагнитных полей в зависимости от напряженности электрического или магнитного полей в исследуемом объекте, например, с помощью компьютерного моделирования, которое можно осуществить в программе Femlab (Воробьев Н.П. Использование компьютерного моделирования для оценки электромагнитных загрязнений / Н.П.Воробьев, А.А.Сошников, Е.В.Титов // Ползуновский вестник. - 2009. - №4. - С.31-33). На фиг.1 справа приведена шкала напряженности электрического поля в В/м, каждому значению которой соответствует определенная цветовая гамма, а цифровые значения, проставленные рядом с этой шкалой, являются узловыми значениями шкалы напряженности электрического или магнитного полей.

Об уровне электромагнитной безопасности судят по полученной пространственной картине опасности электромагнитного излучения, преобразуя узловые значения шкалы напряженности электрического или магнитного полей по приведенным выше формулам в узловые значения допустимого времени пребывания, формируя шкалу допустимого времени и заменяя шкалу напряженностей электрического или магнитного полей на шкалу допустимого времени пребывания в опасных зонах объекта. На фиг.2 показаны зоны допустимого времени пребывания в исследуемом объекте в виде изоповерхностей, окрашенных в различные тона, в зависимости от числового значения допустимого времени. Справа от картины указана шкала допустимого времени пребывания в различных зонах объекта, с помощью которой можно визуально определить потенциально опасные зоны в зависимости от цветовой гаммы характеристики поля в любой области моделируемого пространства, а цифровые значения, проставленные возле этой шкалы, являются узловыми значениями допустимого времени пребывания.

Полученную пространственную картину опасности ЭМИ используют в качестве карты допустимого времени пребывания в различных зонах исследуемого объекта, а также для обоснования организационно-технических мероприятий по нормализации электромагнитной обстановки.

Таким образом, предложенный способ контроля электромагнитной безопасности предназначен для определения уровней электромагнитных излучений во всех точках пространства помещения от любых источников, выявления зон с превышенными значениями предельно допустимых уровней ЭМИ, определения допустимого времени нахождения в различных зонах исследуемых объектов и организации на этой основе условий безопасного пребывания в помещениях, а также для снижения трудоемкости путем уменьшения сложности определения допустимого времени пребывания в различных зонах помещения.

Способ контроля электромагнитной безопасности, заключающийся в том, что производят измерение напряженностей статических электрических полей, переменных электрических и магнитных полей от источников электромагнитного излучения, отличающийся тем, что на расстоянии 0,1 м от центра каждой внешней поверхности каждого источника излучения измеряют однократно значение напряженности электростатического поля, создаваемого источниками электромагнитного излучения, кроме ПЭВМ, на частоте 0 Гц и определяют допустимое время пребывания в точке измерения по формуле:

где Ефакт - значение напряженности электростатического поля, создаваемого источниками электромагнитного излучения, кроме ПЭВМ, на частоте 0 Гц, кВ/м;
и измеряют однократно значение напряженности электростатического поля, создаваемого ПЭВМ, на частоте 0 Гц и определяют допустимое время пребывания в точке измерения по формуле:

где Е1факт - значение напряженности электростатического поля, создаваемого ПЭВМ, на частоте 0 Гц, кВ/м;
и измеряют однократно значение напряженности электрического поля, создаваемого источниками электромагнитного излучения, кроме ПЭВМ и бытовой техники, на частоте 50 Гц и определяют допустимое время пребывания в точке измерения по формуле:

где Е2факт - значение напряженности электрического поля, создаваемого источниками электромагнитного излучения, кроме ПЭВМ и бытовой техники, на частоте 50 Гц, кВ/м;
и измеряют однократно значение напряженности электрического поля, создаваемого ПЭВМ, на частоте 50 Гц и определяют допустимое время пребывания в точке измерения по формуле:

где Е3факт - значение напряженности электрического поля, создаваемого ПЭВМ, на частоте 50 Гц, кВ/м;
и измеряют однократно значение напряженности электрического поля, создаваемого бытовой техникой, используемой в жилых зданиях и помещениях, на частоте 50 Гц и определяют допустимое время пребывания в точке измерения по формуле:

где Е4факт - значение напряженности электрического поля, создаваемого бытовой техникой, используемой в жилых зданиях и помещениях, на частоте 50 Гц, кВ/м;
и измеряют однократно значение напряженности магнитного поля, создаваемого источниками электромагнитного излучения, кроме ПЭВМ, на частоте 50 Гц и определяют допустимое время пребывания в точке измерения по формуле:

где Н1факт - значение напряженности магнитного поля, создаваемого источниками электромагнитного излучения, кроме ПЭВМ, на частоте 50 Гц, А/м;
и измеряют однократно значение напряженности магнитного поля, создаваемого ПЭВМ, на частоте 50 Гц и определяют допустимое время пребывания в точке измерения по формуле:

где Н2факт - значение напряженности магнитного поля, создаваемого ПЭВМ, на частоте 50 Гц, А/м;
и измеряют однократно значение напряженности электромагнитного поля из радиочастотного диапазона 30 кГц - 300 МГц и определяют допустимое время пребывания в точке измерения по формуле:

где КТ - поправочный временной коэффициент;
из полученных для каждой внешней поверхности значений допустимого времени пребывания выбирают одно наименьшее допустимое значение, измеренные значения напряженностей электрических или магнитных полей, соответствующие наименьшему допустимому значению времени пребывания в точках измерений, используют для формирования пространственной картины электромагнитных полей в зависимости от напряженности электрического или магнитного полей в исследуемом объекте, а об уровне электромагнитной безопасности судят по полученной пространственной картине опасности электромагнитного излучения, преобразуя узловые значения шкалы напряженности электрического или магнитного полей по приведенным выше формулам в узловые значения допустимого времени пребывания, формируя шкалу допустимого времени и заменяя шкалу напряженностей электрического или магнитного полей на шкалу допустимого времени пребывания в опасных зонах объекта.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электромагнитным испытаниям транспортных средств на уровень излучаемой ими напряженности электромагнитного поля. .

Изобретение относится к электротехнике, в частности к контролю облучения электромагнитными полями. .

Изобретение относится к микроволновой технике. .

Изобретение относится к области антенных измерений и может быть использовано для высокоточного определения местоположения и мощностей источников излучения однопозиционной активной или пассивной локационной системой.

Изобретение относится к индикации и измерениям напряженности электрического и магнитного полей промышленной частоты. .

Изобретение относится к устройствам для измерения или индикации электрических величин. .

Изобретение относится к микроволновой радиометрии. .

Изобретение относится к микроволновой радиометрии. .

Изобретение относится к микроволновой радиометрии. .

Изобретение относится к микроволновой радиометрии и может использоваться в радиотермографии для измерения глубинных (профильных) температур объектов по их собственному радиоизлучению

Изобретение относится к радиотехнике и предназначены для поиска и обнаружения источников излучения, определения его местоположения, а также для мониторинга уровня основного и побочных радиоизлучений разного рода бытовых, медицинских и промышленных установок, в том числе наземных РЛС различного назначения в диапазонах дециметровых и сантиметровых радиоволн

Изобретение относится к области приборостроения, а именно к сканирующим радиометрам для зондирования земной поверхности и мирового океана. Радиометр содержит подвижную антенну, генератор опорного сигнала, смеситель, гетеродин, УНЧ с прямым и инверсным выходами, N синхронных детекторов и квадратичный детектор, вход которого подключен к выходу смесителя с усилителем промежуточной частоты, подсоединенного одним входом к выходу гетеродина, два источника опорного излучения, вычитатель, управляемый делитель, N интеграторов, N-1 сумматоров и N-1 умножителей, синхронные детекторы. При этом выход квадратичного детектора соединен со входом УНЧ, N-1 умножителей подключены одними входами через соответствующие интеграторы к выходам соответствующих синхронных детекторов, другими входами - к выходу управляемого делителя и выходами к одним входам соответствующих сумматоров, управляемый делитель подключен управляющим входом к выходу N-го синхронного детектора через N-й интегратор и информационным входом к выходу вычитателя. Кроме того, дополнительно введены датчик скорости носителя, датчик высоты носителя, второй управляемый делитель, усилитель, вход которого соединен с выходом второго управляемого делителя, а выход с управляющим входом интеграторов, N-1 аналоговых ключей, выходы которых соединены с выходами N-1 сумматоров, а управляющие входы соединены с выходами дешифратора, АЦП, блок вторичной обработки, вход которого соединен с выходом АЦП, вход прерывания которого соединен с выходом задающего генератора, а его выход является выходом устройства. Технический результат заключается в улучшении детальности обзора и повышения точности измерения радиояркостной температуры. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Предлагаемый способ позволяет определять местоположения и мощности источников излучения по измеренной пространственной корреляционной матрице принимаемых сигналов на апертуре приемной антенной решетки (AP). Достигаемый технический результат - упрощение измерений и сокращение времени измерений за счет исключения операции формирования диаграммы направленности антенны в заданных направлениях, а также повышение информативности получаемых данных за счет оценивания взаимно-корреляционных характеристик сигналов источников. Способ заключается в разбиении контролируемой области пространства на элементы разрешения по местоположению, определении коэффициентов ослабления сигналов за счет распространения от каждого элемента разрешения до приемной AP α ( r → k ) и временных интервалов распространения сигналов от каждого элемента разрешения до каждого элемента AP τkn, где k - номер элемента разрешения, n - номер элемента AP, определении коэффициентов пространственного преобразования сигналов w k n = α ( r → k ) e − j ω τ k n , где ω - несущая частота сигналов источников, j - комплексная единица, измерении пространственной корреляционной матрицы принимаемых сигналов Rxx, составлении для всех компонент zim этой матрицы уравнений вида ς μ = z m i = η → μ T ξ → , где µ=(m-1)N+1, m - номер строки, i - номер столбца, η → μ = [ w m 1 w i 1 * w m 1 w i 2 * … w m 1 w i K * w m 2 w i 1 * w m 2 w i 2 * … w m K w i K * ] T , N - число элементов AP, K - число элементов разрешения, ξ → = [ ξ 1     ξ 2 … ξ K 2 ] T - вектор, компонентами которого являются компоненты корреляционной матрицы излучений элементов разрешения, формировании из составленных уравнений векторно-матричного уравнения измерений, определении из него оценки вектора ξ → , формировании из компонент оценки вектора ξ → оценки корреляционной матрицы излучений элементов разрешения, определении по диагональным компонентам полученной матрицы мощностей и местоположений источников излучения. 1 ил.

Изобретение относится к средствам выявления и устранения технических каналов утечки конфиденциальной информации. Способ динамического обнаружения малогабаритных электронных устройств, несанкционированно установленных на подвижном объекте, заключающийся в том, что формируют базу данных о спектрах известных санкционировано установленных на объекте электронных устройств, принимают электромагнитные сигналы в заданном диапазоне частот на одно радиоприемное устройство, усиливают их, выделяют спектральные составляющие принятых сигналов, сравнивают выделенные спектры с ранее сформированными спектрами в базе данных санкционировано установленных на объекте электронных устройств, используемых на объекте контроля, принимают решение о наличии специальных электронных устройств. При этом задают расстояние, за пределами которого исключен прием сигналов, задают количество вспомогательных средств для обнаружения электромагнитных сигналов других электронных устройств, устанавливают основное средство обнаружения несанкционированно установленных электронных устройств, перемещают объект, измеряют расстояние между вспомогательным средством обнаружения и подвижным объектом, сравнивают измеренное расстояние с заданным. Образуют канал дистанционного управления и синхронизации между основным и вспомогательным средством обнаружения, измеряют одновременно электромагнитные сигналы основным и вспомогательным средствами обнаружения, передают сигналы, принятые вспомогательным средством обнаружения, на основное средство обнаружения по образованному каналу дистанционного управления и синхронизации. Технический результат заключается в повышении достоверности обнаружения несанкционированно установленных устройств и расширении области применения. 4 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к измерительной технике, в частности для определения характеристик электромагнитного излучения исследуемого объекта. Устройство (10) для определения характеристик электромагнитного излучения исследуемого объекта, содержащее сеть (100) зондов, приводные средства (200), обеспечивающие скользящее перемещение сети (100) зондов вдоль своего контура с перемещением относительно исследуемого объекта на расстояние, превышающее шаг сети (100) зондов, для осуществления измерений в различных положениях сети (100) зондов относительно исследуемого объекта. Способ определения характеристик электромагнитного излучения исследуемого объекта с использованием устройства (10), содержащего приводные средства (200), обеспечивающие скользящее перемещение сети (100) зондов, включающий позиционирование, ориентирование и настройку положения сети (100) зондов относительно исследуемого объекта (400) и последующее проведение, посредством сети (100) зондов, серии измерений, соответствующих различным положениям сети (100) зондов относительного исследуемого объекта. Причем способ включает операцию скользящего перемещения сети (100) зондов вдоль своего контура относительно исследуемого объекта на расстояние, превышающее шаг сети (100) зондов. Технический результат заключается в возможности измерения излучения от объектов больших размеров на более высоких частотах и с меньшим количеством зондов. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к средствам относительного позиционирования сети электромагнитных датчиков и тестируемого объекта. Средство (300) относительного позиционирования сети (100) электромагнитных датчиков и тестируемого объекта (200), характеризующееся тем, что содержит средства (301) относительного перемещения тестируемого объекта (200) и сети (100) электромагнитных датчиков с по меньшей мере двумя степенями свободы, при этом указанные средства (301) включают в себя средства (301) перемещения со скольжением, выполненные с возможностью перемещения либо объекта (200), либо сети (100) датчиков, причем указанные средства (301) перемещения со скольжением содержат первый направляющий узел, расположенный в первом направлении скольжения, на котором установлена первая перемещаемая площадка (314), и второй направляющий узел, расположенный во втором направлении скольжения, перпендикулярном к первому направлению, на котором установлена вторая перемещаемая площадка (334), причем это относительное перемещение позволяет увеличить число точек измерения по этим двум степеням свободы, чтобы осуществить дополнительную пространственную дискретизацию при помощи сети (100) датчиков во время измерения излучаемого поля вокруг или перед объектом (200). Технический результат заключается в увеличении числа дискретных точек измерения. 2 н. и 14 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к области приборостроения, а именно к СВЧ-радиометрическим приемникам. Радиометр с трехопорной модуляцией содержит последовательно соединенные приемную антенну, трехвходовый СВЧ-переключатель, усилитель высокой частоты, квадратичный детектор, усилитель низкой частоты, синхронный фильтр, синхронный детектор, блок вычисления множительно-делительной операции и регистратор, у которого на управляющие входы СВЧ-переключателя, синхронного фильтра и синхронного детектора подаются сигналы управления модуляцией от прибора управления модуляцией. Также устройство содержит «горячую» и «холодную» эталонные согласованные нагрузки и конструктивно связанные с ними термодатчики «горячей» и «холодной» эталонных согласованных нагрузок, выходы которых соединены с входами блока вычисления множительно-делительной операции, и нагревательный элемент. В устройство введены твердотельный источник «холодного» шума, выход которого подключен к входу СВЧ-переключателя, термодатчик твердотельного источника «холодного» шума, конструктивно связанный с твердотельным источником «холодного» шума, выход которого подключен к входу прибора управления модуляцией, СВЧ-циркулятор, первый вход которого подключен к выходу СВЧ-переключателя, ко второму входу СВЧ-циркулятора подключена «холодная» эталонная согласованная нагрузка, выход СВЧ-циркулятора подключен к входу усилителя высокой частоты. Направление циркуляции СВЧ-циркулятора выбрано от второго входа к первому входу и от первого входа к выходу. Технический результат - повышение точности измерений. 3 ил.

Группа изобретений относится к способу и системе мониторинга электромагнитных помех. Способ мониторинга электромагнитных помех, характеризующийся тем, что регистрируют и генерируют множество форм колебаний во временной области и множество диаграмм разброса; сохраняют множество зарегистрированных и генерированных форм колебаний во временной области и диаграмм разброса; применяют быстрое преобразование Фурье (БПФ) к каждой из сохраненных форм колебаний во временной области с целью получения тем самым результатов БПФ; сохраняют результаты БПФ в базе данных; генерируют статистически репрезентативную спектрограмму в частотной области на основании сохраненных результатов БПФ и диаграмм разброса или данных, связанных с диаграммами разброса; объединяют БПФ, составляющие статистически репрезентативную спектрограмму, таким образом, чтобы эмулировать результат, который был бы получен с использованием приемника электромагнитных помех (ЭМП) или анализатора спектра; и объединяют полученные результаты нескольких итераций этого процесса с целью получения спектра ЭМП, статистически эквивалентного действительному спектру ЭМП, относящемуся к исследуемому источнику сигнала. Также заявлена система, реализующая указанный способ. Технический результат заключается в расширении диапазона частот. 2 н. и 15 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к исследованию параметров вторичного излучения различных сред. Устройство содержит генератор тактовых импульсов, формирователь спектра излучения, коммутатор антенн, приемо-передающую антенную систему, формирователь информации излучения вторичных излучателей, преобразователь частотного спектра, блок фильтров, блок анализа спектра излучения, блок индикаторов спектра вторичного излучения. При этом выход генератора тактовых импульсов соединен с входом формирователя спектра излучения. Четырнадцать выходов формирователя спектра излучения соединены с четырнадцатью входами коммутатора антенн. Четырнадцать выходов-входов коммутатора антенн, с первого по четырнадцатый, соединены параллельно с четырнадцатью входами-выходами четырех приемо-передающих антенных систем. Четырнадцать выходов коммутатора антенн, с пятнадцатого по двадцать восьмой, соединены с четырнадцатью входами формирователя информации излучения вторичных излучателей. Выход формирователя информации соединен через преобразователь частотного спектра, через десять выходов блока фильтров с десятью входами блока анализа спектра вторичного излучения. Десять выходов блока анализа соединены с десятью входами блока индикаторов спектра излучения. Технический результат заключается в возможности автоматизации анализа частотных свойств поля вторичного излучения исследуемых объектов. 10 з.п. ф-лы, 16 ил.
© Патентный поиск, поиск патентов на изобретения - FindPatent.RU 2012-2024
Политика конфиденциальности 2013-02-27 2013-03-19T03:59:04
Наверх