Подложка схемы, дисплейная панель и дисплейное устройство

Авторы патента:


Подложка схемы, дисплейная панель и дисплейное устройство
Подложка схемы, дисплейная панель и дисплейное устройство
Подложка схемы, дисплейная панель и дисплейное устройство
Подложка схемы, дисплейная панель и дисплейное устройство
Подложка схемы, дисплейная панель и дисплейное устройство
Подложка схемы, дисплейная панель и дисплейное устройство
Подложка схемы, дисплейная панель и дисплейное устройство
Подложка схемы, дисплейная панель и дисплейное устройство
Подложка схемы, дисплейная панель и дисплейное устройство
Подложка схемы, дисплейная панель и дисплейное устройство
Подложка схемы, дисплейная панель и дисплейное устройство
Подложка схемы, дисплейная панель и дисплейное устройство
Подложка схемы, дисплейная панель и дисплейное устройство
Подложка схемы, дисплейная панель и дисплейное устройство
Подложка схемы, дисплейная панель и дисплейное устройство

 


Владельцы патента RU 2483389:

ШАРП КАБУСИКИ КАЙСЯ (JP)

Изобретение относится к подложке схемы, дисплейной панели и дисплейному устройству. Заявленная подложка схемы имеет подложку, поверх которой располагаются по порядку межсоединение, изолирующая пленка и внешний соединительный контактный вывод. Подложка схемы содержит анизотропную проводящую пленку, имеющую проводящие частицы на внешнем соединительном контактном выводе; и внешний соединительный контактный вывод подключается к межсоединению, по меньшей мере, через одно контактное окно, сформированное в изолирующей пленке, причем длина от одного края до другого края, при виде сверху, области, сформированной с одним или более контактных окон, которые подключаются к конкретному внешнему соединительному контактному выводу, превышает диаметр каждой из проводящих частиц. Причем межсоединение имеет широкую часть, которая выступает поперечно относительно направления прохождения межсоединения при виде сверху, при этом контактное окно предусмотрено в широкой части. Технический результат - создание подложки схемы, которая предоставляет более узкую рамку в дисплейных устройствах при подавлении нарушений соединения между межсоединениями и внешними соединительными контактными выводами. 7 з.п. ф-лы, 15 ил.

 

Область техники

Настоящее изобретение относится к подложке схемы, дисплейной панели и дисплейному устройству. Более конкретно, настоящее изобретение относится к подложке схемы, подходящей для сужения рамки дисплейного устройства, и к дисплейной панели и дисплейному устройству, содержащим такую подложку схемы.

Уровень техники

Непрерывный рост отмечается на рынке плоскопанельных дисплеев, к примеру, жидкокристаллических дисплеев (ЖК-дисплеи), плазменных дисплеев (PDP), неорганических электролюминесцентных (неогранических EL) дисплеев и органических электролюминесцентных (огранических EL) дисплеев, которые активно создаются. Это связано с прогрессом в области информационных технологий в последние годы.

Электронные портативные устройства, к примеру, мобильные телефоны, PDA и т.п., к которым приспосабливаются такие плоскопанельные дисплеи, должны быть еще более компактными и легкими, что в результате означает тенденцию к меньшей внешней границе (области рамки) области отображения, т.е. тенденцию к более узким рамкам.

В одной конфигурации традиционных дисплейных устройств, периферийные схемы, требуемые для возбуждающих схем (схем драйверов) и т.п., смонтированы в области рамки подложки, которая составляет дисплейную панель. В отличие от этого, в последние годы созданы, например, с целью сокращения затрат и достижения более тонких профилей, дисплейные устройства, в которых задается полностью монолитная подложка схемы, в которой периферийные схемы собираются в область рамки подложки.

Примеры традиционных дисплейных устройств включают в себя дисплейное устройство, содержащее: общие межсоединения, которые питают возбуждающие схемы линий сканирования, которые возбуждают линии сканирования, и общие межсоединения, которые питают возбуждающие схемы сигнальных линий, которые возбуждают сигнальные линии; межслойные диэлектрики, которые изолируют соответствующие общие межсоединения; и множество внешних соединительных контактных выводов, размещенных на множестве соответствующих контактных окон, которые предоставляются в межслойных диэлектриках таким образом, что часть каждого общего межсоединения является открытой (например, патентный документ 1). В таком дисплейном устройстве, анизотропная проводящая пленка располагается на внешних соединительных контактных выводах, так что соединение с внешней схемой предоставляется посредством анизотропной проводящей пленки.

Патентный документ 1. Не прошедшая экспертизу патентная публикация (Япония) № H10-282522

В конфигурации традиционных дисплейных устройств, внешние соединительные контактные выводы и общие межсоединения соединяются посредством контактных окон и внешнего элемента, к примеру, гибкая печатная (FPC) плата связывается с внешними соединительными контактными выводами посредством анизотропной проводящей пленки, которая содержит проводящие частицы. В этой конфигурации, тем не менее, проводящая пленка, которая составляет внешние соединительные контактные выводы, может разрушаться посредством проводящих частиц, если последние перекрывают контактные окна. Обнаружено, что это приводит к нарушениям соединения. Как описано выше, конфигурации, в которых общие межсоединения и внешние соединительные контактные выводы перекрываются, задают меньшую площадь рамки по сравнению с конфигурациями, в которых внешние соединительные контактные выводы и общие межсоединения располагаются без перекрывания друг друга. Тем не менее, по-прежнему остается простор для улучшения с точки зрения достижения еще более узких рамок.

Сущность изобретения

В свете вышеуказанного, цель настоящего изобретения заключается в том, чтобы предоставлять подложку схемы, которая предоставляет более узкую рамку в дисплейных устройствах и т.п. при подавлении нарушений соединения между межсоединениями и внешними соединительными контактными выводами.

Авторы изобретения осуществили различные исследования конфигураций подложек схемы, в которых внешний соединительный контактный вывод подключается к межсоединению посредством, по меньшей мере, одного контактного окна, и в которых подложка схемы содержит анизотропную проводящую пленку, которая содержит проводящие частицы на внешнем соединительном контактном выводе, и сфокусировались на взаимосвязи между контактными окнами и анизотропной проводящей пленкой, которая располагается на внешнем соединительном контактном выводе. Авторы изобретения обнаружили, что проводящие частицы в анизотропной проводящей пленке могут приводить к разъединению внешнего соединительного контактного вывода и к нарушениям соединения, помимо других проблем, при подключении внешнего элемента и т.п. к внешнему соединительному контактному выводу. Дополнительно, авторы изобретения обнаружили, что нарушения соединения между межсоединением и внешним соединительным контактным выводом могут предотвращаться без перекрывания проводящих частиц со всей областью контактных окон посредством задания длины от одного края до другого края, при виде сверху, области, в которой формируются одно или более контактных окон, подключенных к конкретному внешнему соединительному контактному выводу, так чтобы она превышала диаметр каждой из проводящих частиц. Авторы изобретения разработали настоящее изобретение после выяснения того, что вышеуказанное обнаружение может давать возможность сдерживания падения выхода годных изделий вследствие нарушений соединения и т.п.

В частности, настоящее изобретение заключается в подложке схемы, имеющей подложку, поверх которой располагаются по порядку межсоединение, изолирующая пленка и внешний соединительный контактный вывод, при этом подложка схемы содержит анизотропную проводящую пленку, имеющую проводящие частицы на внешнем соединительном контактном выводе, и внешний соединительный контактный вывод подключается к межсоединению, по меньшей мере, через одно контактное окно, сформированное в изолирующей пленке, причем длина от одного края до другого края, при виде сверху, области, сформированной с одним или более контактных окон, которые подключаются к конкретному внешнему соединительному контактному выводу, превышает диаметр каждой из проводящих частиц.

Далее подробно поясняется настоящее изобретение.

Подложка схемы настоящего изобретения является подложкой схемы, в которой межсоединение, изолирующая пленка и внешний соединительный контактный вывод последовательно располагаются на подложке. В частности, подложка схемы настоящего изобретения является подложкой схемы, в которой межсоединение и внешний соединительный контактный вывод располагаются на подложке, а изолирующая пленка располагается между ними.

Межсоединение обычно является элементом, который предоставляет пути тока в подложке схемы. Такое межсоединение не ограничено конкретным образом, и в случае межсоединения, предоставленного в дисплейном устройстве, может включать в себя, например, межсоединение питания для подачи мощности извне или сигнальное межсоединение для передачи сигнала извне или для передачи сигнала от подложки схемы во внешние схемы. В случае подложки схемы, используемой в полностью монолитных дисплейных устройствах, сигнальное межсоединение соединяется, например, со схемой драйвера в подложке схемы. Если схема драйвера и т.п. предоставляется внешне, сигнальное межсоединение может предоставляться в форме, например, межсоединения истока, межсоединения затвора и межсоединения для накопительной емкости, которые передают сигналы в пикселы, чтобы они выполняли отображение.

Внешний соединительный контактный вывод является контактным выводом, используемым для передачи внешней мощности и/или сигналов извне (например, от внешнего элемента, к примеру, FPC) в межсоединение или контактный вывод, используемый для передачи сигналов от подложки схемы наружу. Таким образом, внешний соединительный контактный вывод имеет удельную проводимость. Конфигурация внешнего соединительного контактного вывода не ограничена конкретным образом, и внешний соединительный контактный вывод может быть, например, однослойной пленкой, состоящей из однослойной проводящей пленки, или многослойной пленкой, содержащей многослойный комплект из множества проводящих пленок.

Изолирующая пленка является пленкой, сформированной из изоляционного материала для электрической изоляции (развязки) между межсоединением и внешним соединительным контактным выводом в частях, отличных от частей, в которых вышеприведенное соединяется посредством контактных окон и т.п. Примеры материала, который может использоваться для того, чтобы формировать изолирующую пленку, включают в себя, но не только, например, органические изоляционные материалы или неорганические изоляционные материалы, к примеру, неорганические оксиды, неорганические нитриды и т.п. Изолирующая пленка может быть одним слоем или множеством слоев. В случае, если изолирующая пленка содержит множество слоев, проводящие слои могут быть размещены между соответствующими изолирующими пленками, при условии что проводящие слои размещаются так, чтобы не подключаться электрически между множеством внешних соединительных контактных выводов.

Подложка схемы содержит анизотропную проводящую пленку, содержащую проводящие частицы на внешних соединительных контактных выводах. Анизотропная проводящая пленка является пленкой, которая имеет удельную электропроводность во внеплоскостном направлении (нормальном направлении относительно плоскости подложки), но не имеет удельную электропроводность в направлении в плоскости (направлении в пределах плоскости подложки). Как результат, контактные выводы внешнего элемента и внешние соединительные контактные выводы подложки схемы могут быть электрически подключены друг к другу на основе "один-к-одному". Предпочтительно, анизотропная проводящая пленка имеет адгезивность, чтобы предоставлять физическую адгезию между внешними соединительными контактными выводами и внешним элементом. Предпочтительные примеры такой анизотропной проводящей пленки включают в себя анизотропные проводящие пленки, которые электрически подключают внешние соединительные контактные выводы к внешнему элементу посредством проводящих частиц, содержащихся в изоляционном материале. Форма проводящих частиц не ограничена конкретным образом. Частицы могут быть кубическими, восьмигранными и т.п., но предпочтительно сферическими.

Внешний соединительный контактный вывод подключается к межсоединению посредством, по меньшей мере, одного контактного окна, сформированного в изолирующей пленке, так что длина от одного края до другого края, при виде сверху, области, сформированной с одним или более контактных окон, которые подключаются к конкретному внешнему соединительному контактному выводу, превышает диаметр каждой из проводящих частиц. В подложке схемы настоящего изобретения, таким образом, внешний элемент и внешние соединительные контактные выводы соединяются посредством анизотропной проводящей пленки, а внешние соединительные контактные выводы и межсоединение, расположенное непосредственно под (в области перекрытия, при виде сверху) внешними соединительными контактными выводами, соединяются посредством контактных окон, сформированных в изолирующей пленке.

Два режима могут приблизительно различаться в данном документе, а именно, режим (первый режим), в котором одно контактное окно предоставляется для одного внешнего соединительного контактного вывода, и режим (второй режим), в котором множество контактных окон предоставляется для одного внешнего соединительного контактного вывода, в качестве режимов, в которых длина, от одного края до другого края, области, в которой формируются одно или более контактных окон, которые подключаются к конкретному внешнему соединительному контактному выводу, превышает диаметр каждой из проводящих частиц.

Аналогично подложке схемы, проиллюстрированной в принципиальной схеме в поперечном сечении по фиг.11, в случае, если одно контактное окно формируется в одном внешнем соединительном контактном выводе, и диаметр контактного окна меньше диаметра каждой из проводящих частиц, то проводящая частица 817b может в итоге повреждать проводящую часть контактного окна 818, которая соединяет межсоединение 815 и внешний соединительный контактный вывод 816 на изолирующей пленке 814, сформированной в области, в которой не формируется контактное окно 818. Это может приводить к нарушению соединения. Один фактор, лежащий в основе вышеуказанного случая, состоит в том, что проводящий слой на поверхности стенки контактного окна тоньше проводящего слоя на поверхности контактного вывода. Например, в случае, если проводящая частица в анизотропной проводящей пленке перекрывает контактное окно после термокомпрессионной сварки внешнего соединительного контактного вывода и внешнего элемента посредством анизотропной проводящей пленки, то нарушение соединения может возникать вследствие повреждения поверхности стенки контактного окна и/или проводящего слоя (внешнего соединительного контактного вывода) около контактного окна.

В первом режиме настоящего изобретения, в отличие от этого, внешний соединительный контактный вывод подключается к межсоединению только через одно контактное окно. При виде сверху, по меньшей мере, часть контактного окна имеет больший диаметр, чем диаметр каждой из проводящих частиц. Таким образом, в случае, если одно контактное окно предоставляется в конкретном внешнем соединительном контактном выводе, должна быть только такая часть, что длина, от одного края до другого края, области, в которой контактное окно формируется, которая в данном документе является длиной диаметра контактного окна непосредственно, превышает диаметр каждой из проводящих частиц, по меньшей мере, в одном направлении. В частности, самый большой диаметр контактного окна должен превышать только диаметр каждой из проводящих частиц. Например, длина большой оси контактного окна (в квадратных или идеально круговых контактных окнах, можно считать, что большая ось равна малой оси) может превышать диаметр каждой из проводящих частиц. Режим 1 (первый режим) дает возможность эффективного подавления разъединения между межсоединением и внешними соединительными контактными выводами, вызываемого посредством повреждения контактного окна вследствие проталкивания посредством проводящих частиц. Режим является эффективным для предотвращения нарушений соединения.

В настоящем описании, диаметр проводящих частиц обозначает диаметр проводящих частиц в случае сферических проводящих частиц и обозначает самый большой диаметр проводящих частиц, когда вторые являются несферическими, например эллипсоидальными и т.п. Диаметр проводящих частиц может измеряться, например, посредством оптической микроскопии. Проводящая частица, используемая для измерений, может быть, например, одной произвольно выбранной частицей из числа множества проводящих частиц, которые перекрывают конкретный внешний соединительный контактный вывод.

Во втором режиме настоящего изобретения, внешний соединительный контактный вывод подключается к межсоединению посредством множества контактных окон, так что длина, от одного края до другого края при виде сверху, области, в которой формируется множество контактных окон, превышает диаметр каждой из проводящих частиц. Таким образом, в случае, если множество контактных окон (одна группа контактных окон) предоставляется в одном внешнем соединительном контактном выводе, расстояние между одним местом на внешнем крае одного контактного окна до места на внешнем крае другого контактного окна (расстояние между внешними краями группы контактных окон) превышает диаметр каждой из проводящих частиц. Как проиллюстрировано на фиг.15, например, достаточно, чтобы расстояние L от одного края до другого края множества контактных окон 8 превышало диаметр проводящей частицы 17b. В режиме, в котором межсоединение подключается к одному внешнему соединительному контактному выводу посредством двух или более контактных окон, тем самым соединение между внешним соединительным контактным выводом и одним из контактных окон обеспечивается, даже в случае нарушения соединения вследствие другого контактного окна. В результате разъединение между межсоединением и внешним соединительным контактным выводом может предотвращаться.

Во втором режиме, длина от одного конца до другого двух или более контактных окон, подключенных к одному внешнему соединительному контактному выводу, т.е. наибольшая длина от одного произвольного места на внешнем крае контактного окна, предоставленного в одном внешнем соединительном контактном выводе, до другого места (может быть одно место на внешнем крае идентичного контактного окна или одно место на внешнем крае другого контактного окна), должна превышать только диаметр каждой из проводящих частиц. В частности, соединение между межсоединением и внешними соединительными контактными выводами может обеспечиваться конкретно надежным способом в режиме, в котором каждое контактное окно имеет диаметр, превышающий диаметр каждой из проводящих частиц.

В настоящем изобретении, наибольшая длина, от одного края до другого края, области, в которой формируются одно или более контактных окон, которые подключаются к конкретному внешнему соединительному контактному выводу, предпочтительно, в 1,5 или более раз превышает диаметр каждой из проводящих частиц с точки зрения обеспечения допустимого запаса для деформации, которая является результатом повышения давления, с целью более надежного предотвращения нарушений соединения.

В настоящем изобретении, размеры контактных окон, предоставленных в подложке, могут быть неодинаковыми. Например, диаметр контактных окон может отличаться для каждого внешнего соединительного контактного вывода, с которым соединяется контактное окно. В таком случае, анизотропная проводящая пленка должна содержать только проводящие частицы, имеющие диаметр меньше длины, от одного края до другого края, одного контактного окна или одной группы контактных окон, сформированных с наименьшим размером из числа множества контактных окон в подложке (случай, когда одно контактное окно формируется в одном внешнем соединительном контактном выводе) и множества групп контактных окон (случай, когда множество контактных окон формируется в одном внешнем соединительном контактном выводе).

Контактные окна, сформированные в изолирующей пленке, обычно формируются посредством сухого травления, влажного травления и т.п. При виде в поперечном сечении контактного окна длина контактного окна, от одного края до другого края, может быть неодинаковой между верхней лицевой поверхностью (лицевой поверхностью на стороне внешнего соединительного контактного вывода) и нижней лицевой поверхностью (лицевой поверхностью на стороне подложки) изолирующей пленки, если отверстие формируется в клиновидной или обратной клиновидной форме. В таком случае, длина, от одного края до другого края, области, в которой формируются одно или более контактных окон, которые подключаются к конкретному внешнему соединительному контактному выводу, должна превышать только диаметр каждой из проводящих частиц, по меньшей мере, в верхней лицевой поверхности изолирующей пленки. Повреждение внешнего соединительного контактного вывода вследствие проводящих частиц может полностью предотвращаться, если длина, от одного края до другого края, контактного окна, по меньшей мере, в верхней лицевой поверхности изолирующей пленки превышает диаметр каждой из проводящих частиц.

Форма контактного окна не ограничена конкретным образом и может быть многоугольной, например квадратной, прямоугольной или треугольной; либо закругленной, например идеально круговой, эллиптической и т.п. В случае, если, например, форма контактного окна, при виде сверху, является эллиптической формой, надежность соединений может повышаться посредством предотвращения полного повреждения проводящей части между межсоединением и внешним соединительным контактным выводом, если большая ось эллипса превышает диаметр каждой из проводящих частиц, даже если малая ось эллипса меньше диаметра каждой из проводящих частиц. Таким образом, контактное окно может быть продолговатым отверстием, при виде сверху, так что самый большой диаметр продолговатого отверстия превышает диаметр каждой из проводящих частиц. Чтобы более надежно предотвращать нарушения соединения, самый большой диаметр продолговатого отверстия, предпочтительно, в 1,5 или более раз превышает диаметр каждой из проводящих частиц. При виде сверху, форма продолговатого отверстия имеет малую ось и большую ось, при этом форма является, например, эллипсом, прямоугольной формой, равнобедренной треугольной формой и т.п. При использовании в данном документе термин "малая" ось обозначает самый маленький диаметр отверстия при виде сверху, а термин "большая ось" обозначает самый большой диаметр отверстия при виде сверху.

Площадь контактного окна не ограничена конкретным образом, но предпочтительно превышает площадь проводящих частиц при виде сверху. Контактное окно, имеющее большую площадь, влечет за собой большую площадь контакта между межсоединением и внешним соединительным контактным выводом. В результате сопротивление в соединительной части может уменьшаться.

Внешний элемент, подключенный к анизотропной проводящей пленке, не ограничен конкретным образом и может быть, например, электронным компонентом, таким как резистор, конденсатор, обмотка, разъем, диод, транзистор и т.п.; или гибкой печатной (FPC) платой, кристаллом (COG: для монтажа на стеклянную подложку) или пленкой на основе смолы (COF: для монтажа на пленку), имеющей сформированную на ней интегральную схему (IC), которая содержит схемные элементы и межсоединение. Другие примеры включают в себя, например, печатную плату (PWB), плату с печатным монтажом (PCB), ленточный кристаллоноситель (TCP) и т.п. Такие внешние элементы электрически подключены к внешнему соединительному контактному выводу посредством анизотропной проводящей пленки. Таким образом, подложка схемы настоящего изобретения предпочтительно содержит внешний элемент на анизотропной проводящей пленке. Предпочтительно, внешний элемент содержит проводящий выступ в области, перекрывающей внешний соединительный контактный вывод. Такие проводящие выступы также упоминаются как "внешнее соединительное межсоединение" или "контактные столбики". Проводящий выступ подключается к внешнему соединительному контактному выводу посредством проводящих частиц в анизотропной проводящей пленке.

Конфигурация подложки схемы настоящего изобретения не ограничена конкретным образом в отношении наличия или отсутствия составляющих элементов, отличных от вышеописанных существенных составляющих элементов, а именно, межсоединений, изолирующей пленки, внешнего соединительного контактного вывода, анизотропной проводящей пленки и контактных окон. Например, подложка схемы настоящего изобретения может надлежащим образом использоваться в качестве подложки дисплейного устройства, используемой в жидкокристаллических дисплейных устройствах и т.п. Когда используется в качестве подложки дисплейного устройства, подложка схемы может содержать, например, переключающие элементы, к примеру тонкопленочные транзисторы (TFT) для возбуждения пикселов, в качестве наименьших единиц, которые составляют выводимое изображение, межсоединения, к примеру межсоединение истока и межсоединение затвора, которые передают сигналы в пикселы, а также пикселные электроды для предоставления отображения.

В случае полностью монолитной подложки схемы, содержащей периферийные схемы, требуемые для возбуждения, к примеру схемы драйвера, подложка схемы может содержать такие схемы, как схемы драйверов, схемы электропитания, схемы защиты от электростатических разрядов (ESD) и т.п. Примеры схем драйверов включают в себя, например, схемы драйвера истока и схемы драйвера затвора. Примеры схем, которые составляют схему драйвера, включают в себя, например, передающие затворы, защелкивающие схемы, генераторы тактовых импульсов, схемы инвертора посредством схемы источника питания и т.п.

Предпочтительные режимы подложки схемы настоящего изобретения подробно поясняются ниже.

В предпочтительном режиме подложки схемы настоящего изобретения межсоединение имеет широкую часть, которая выступает поперечно относительно направления прохождения межсоединения, при виде сверху, так что контактное окно предоставляется в широкой части. Предпочтительно, таким образом, межсоединение имеет широкую часть, которая расширяется поперечно относительно направления прохождения межсоединения при виде сверху; контактное окно формируется в изолирующей пленке на широкой части; и межсоединение и внешний соединительный контактный вывод соединяются посредством контактного окна. Площадь контактного окна, сформированного в изолирующей пленке, может увеличиваться благодаря широкой части, которая выступает относительно направления прохождения. Это дает возможность эффективного предотвращения нарушений соединения. Направление прохождения является направлением, в котором межсоединение идет линейно. В состоянии, в котором непрерывный участок межсоединения изгибается во множестве мест, направление прохождения обозначает направление, в котором межсоединение идет в месте, в котором межсоединение подключается к внешнему соединительному контактному выводу; другими словами, направление, указывающее от изогнутой части на внешний соединительный контактный вывод. В случае, если, например, межсоединения 115 и внешние соединительные контактные выводы 116 располагаются так, как проиллюстрировано на фиг.1, направление прохождения является направлением, обозначенным посредством глухой стрелки на фиг.1. Поперечное направление относительно направления прохождения является направлением ширины межсоединения, например, направлением, обозначенном посредством двунаправленной стрелки в подложке схемы, проиллюстрированной на фиг.1.

В предпочтительном режиме широкой части, последняя выступает поперечно только к одной стороне относительно направления прохождения межсоединений при виде сверху. Признак проецирования только к одной стороне относительно направления прохождения означает, что ширина межсоединения увеличивается (возрастает) к любой стороне в направлении ширины межсоединения. Согласно предпочтительному режиму широкой части, ширина межсоединений может возрастать только в направлении, в котором другое межсоединение и т.п. не располагается, и, следовательно, длина от одного края до другого края контактного окна возрастает без увеличения расстояния между межсоединениями. Нарушения соединения между межсоединением и внешним соединительным контактным выводом тем самым могут предотвращаться. В случае, если, например, два или более межсоединений идут параллельно, расстояние между межсоединениями может уменьшаться, при предотвращении контакта между межсоединениями, в большей степени, чем в случае, если широкая часть выступает к обеим сторонам в направлении ширины. Это дает возможность уменьшения, как результат, площади межсоединения. В текущих технологиях микрообработки, ширина линии в контактных площадках контактных окон обычно превышает ширину межсоединений. В режиме, в котором широкая часть выступает поперечно к обеим сторонам в направлении ширины, следовательно, расстояние между межсоединениями больше, и становится трудным увеличивать число межсоединений, которые располагаются под внешним соединительным контактным выводом.

Форма широкой части не ограничена конкретным образом до тех пор, пока она расширяется поперечно относительно направления прохождения. Форма может быть, например, формой широкой части 19a, в которой межсоединение 19 расширяется в форме полукруга, как проиллюстрировано на фиг.14(a), или формой широкой части 20a, в которой межсоединение 20 расширяется в форме квадрата, как проиллюстрировано на фиг.14(b), или формой широкой части 21a, в которой межсоединение 21 расширяется в форме треугольника, как проиллюстрировано на фиг.14(c). В режиме по фиг.14(a), режиме по фиг.14(b) и режиме по фиг.14(c), широкая часть упоминается как часть межсоединений в пределах площади, указываемой посредством двунаправленной стрелки на чертеже. Форма, расширяющаяся в виде квадратной формы, является подходящей с точки зрения увеличения площади широкой части. После фактического формирования широкой части ее углы обычно становятся закругленными для точности формирования рисунка. Даже с закругленными углами, квадратная форма и треугольная форма могут рассматриваться как таковая, если форма является практически квадратной или треугольной. В режиме, в котором межсоединение имеет широкую часть, широкая часть 15a может формироваться в переднем конце межсоединения 15, как проиллюстрировано на фиг.12(a). Альтернативно, широкая часть 16a может формироваться в середине межсоединения 16, как проиллюстрировано на фиг.12(b).

В предпочтительных режимах, в которых широкая часть выступает поперечно только к одной стороне относительно направления прохождения межсоединений, подложка схемы имеет, при виде сверху, два или более межсоединений, идущих параллельно, и два или более внешних соединительных контактных выводов, выстроенных в направлении прохождения межсоединений; два или более межсоединений имеют широкую часть, выступающую к краевой стороне или внутренней стороне подложки схемы, и межсоединение, расположенное на стороне, к которой выступает широкая часть, короче, в направлении прохождения, смежного межсоединения. В частности: (1) подложка схемы имеет, при виде сверху, два или более межсоединений, идущих параллельно, и два или более внешних соединительных контактных выводов, выстроенных в направлении прохождения межсоединений; два или более межсоединений имеют широкую часть, выступающую к краевой стороне подложки схемы, и межсоединение, расположенное на краевой стороне, короче, в направлении прохождения, смежного межсоединения (смежного межсоединения, расположенного на внутренней стороне); и (2) подложка схемы имеет, при виде сверху, два или более межсоединений, идущих параллельно, и два или более внешних соединительных контактных выводов, выстроенных в направлении прохождения межсоединений; два или более межсоединений имеют широкую часть, выступающую к внутренней стороне подложки схемы, и межсоединение, расположенное на внутренней стороне, короче, в направлении прохождения, смежного межсоединения (смежного межсоединения, расположенного на краевой стороне).

В вышеуказанных режимах, направление, в котором выступает широкая часть, является направлением к любой стороне относительно направления прохождения межсоединений, и сокращается длина, в направлении прохождения, межсоединения, расположенного на стороне, к которой выступает широкая часть. Следовательно, широкая часть выступает к стороне, на которой не располагаются межсоединения. Даже если широкая часть предоставляется, следовательно, разнесение между межсоединениями, которые идут параллельно, не становится меньше в широкой части одного межсоединения и другого межсоединения, смежного с межсоединением, и тем самым широкая часть может предоставляться при обеспечении достаточного расстояния между межсоединениями. Это предоставляет более интегрированное межсоединение. Площадь области, в которой располагается межсоединение, в результате может уменьшаться. Это предоставляет более узкую рамку в случаях, когда подложка схемы настоящего изобретения используется в качестве подложки дисплейного устройства.

Длина в направлении прохождения обозначает в данном документе длину в направлении внешнего соединительного контактного вывода от части, в которой межсоединение изгибается, например, как указано посредством B1, B2 и т.д. в подложке схемы, проиллюстрированной на фиг.1. В описании настоящей заявки термин "параллельно" применяется не только к идеальной параллельности, но также и к ситуациям существенной параллельности, к примеру ситуациям, когда угол, сформированный между межсоединениями, не превышает 5°, в случае двух или более межсоединений, которые идут параллельно друг другу. Краевая сторона подложки схемы обозначает в данном документе сторону рядом с краем подложки схемы, из числа обеих сторон относительно направления прохождения межсоединений. Внутренняя сторона подложки схемы обозначает в данном документе сторону напротив стороны рядом с краем подложки схемы, из числа обеих сторон относительно направления прохождения межсоединений.

Режим компоновки двух или более внешних соединительных контактных выводов не ограничен до тех пор, пока два или более внешних соединительных контактных выводов выстраиваются в направлении, в котором идут межсоединения. В случае, если, например, множество внешних соединительных контактных выводов имеет идентичную прямоугольную форму, то внешний соединительный контактный вывод, короткая сторона которого является параллельной направлению прохождения межсоединений, может размещаться попеременно с внешним соединительным контактным выводом, длинная сторона которого является параллельной направлению прохождения межсоединений. В предпочтительном режиме, внешние соединительные контактные выводы, короткая сторона которых является параллельной направлению прохождения межсоединений, выстраиваются вдоль строки, с разнесениями между ними, с точки зрения уменьшения площади области, в которой располагается межсоединение, и предоставляют тем самым более узкую рамку.

Вышеописанный режим (1) является подходящим для коррекции сопротивления межсоединений между межсоединениями на краевой стороне и межсоединениями на внутренней стороне и является преимущественным для повышения функциональной стабильности подложки схемы. Это обусловлено, аналогично подложке схемы, проиллюстрированной на фиг.1, тем, что когда два или более параллельных межсоединений изгибаются в углу подложки, межсоединение на краевой стороне длиннее межсоединения на внутренней стороне, и, следовательно, длина межсоединения на краевой стороне вдоль направления прохождения от изогнутых передних концов меньше длины межсоединения на внутренней стороне. Длины межсоединений на краевой стороне и на внутренней стороне тем самым могут быть заданы аналогичными друг другу.

Вышеописанный режим (2) является подходящим для уменьшения площади области, в которой располагается межсоединение. Это является преимущественным для достижения более узкой рамки в случаях, когда подложка схемы настоящего изобретения используется в качестве подложки дисплейного устройства. Это обусловлено тем, что задание межсоединений на внутренней стороне в направлении прохождения короче межсоединений на краевой стороне дает возможность формирования области, в которой межсоединения не располагаются, и дает возможность размещения таких элементов, как межсоединение для формирования схемы, тонкопленочный транзистор и т.п., в области рядом с внутренней стороной ниже внешнего соединительного контактного вывода. В подложке схемы, проиллюстрированной на фиг.3, например, межсоединение, расположенное на краевой стороне подложки схемы, длиннее межсоединения, расположенного на внутренней стороне. Следовательно, такие схемы, как транзисторы, а также межсоединение, соединенное с ними, располагаются ниже внешнего соединительного контактного вывода, и уменьшается площадь для формирования схем и т.п.

В предпочтительном режиме подложки схемы настоящего изобретения, два или более межсоединений подключаются к внешнему соединительному контактному выводу посредством контактных окон, имеющих неодинаковую площадь. Взаимосвязью компоновки между межсоединением и внешним соединительным контактным выводом может быть, например, взаимосвязь, проиллюстрированная на фиг.5, при которой межсоединение указывает в направлении прохождения межсоединений, смежное межсоединение с ним уже подключено к другому внешнему соединительному контактному выводу, и межсоединения не располагаются в одной из широких частей межсоединения (на одной стороне относительно направления прохождения). Площадь широкой части может увеличиваться в таком случае, и, следовательно, площадь контактного окна может быть задана, соответственно, большей. Это дает возможность регулирования контактного сопротивления между внешним соединительным контактным выводом и межсоединениями, что, в свою очередь, дает возможность компенсации разностей в сопротивлении межсоединений вследствие разностей в длине межсоединений. Кроме того, возникновение нарушений соединения может подавляться посредством увеличения площади контактных окон.

В предпочтительном режиме подложки схемы настоящего изобретения, два или более межсоединений подключаются к контактным окнам так, что чем больше длина межсоединений, тем больше площадь контактного окна. Для данной ширины межсоединения, сопротивление межсоединения увеличивается по мере того, как длина межсоединения увеличивается Как результат, сопротивление межсоединений меньше в более коротком межсоединении, размещенном внутри подложки схемы, чем в более длинном межсоединении, размещенном на краевой стороне подложки схемы, например, в случае, проиллюстрированном на фиг.5. Следовательно, сопротивление межсоединений может быть задано равномерным, и сопротивление частей контактных окон может регулироваться посредством увеличения площади контактных окон для межсоединения, имеющего длину более длинного межсоединения, и уменьшения площади контактных окон, имеющих длину более короткого межсоединения. Более равномерное сопротивление межсоединений в результате означает повышенную функциональную стабильность подложки схемы. В данном документе длина межсоединений обозначает длину непрерывного участка межсоединения, которое соединяется с элементом в схеме. Непрерывный участок межсоединения может состоять из межсоединений, сформированных в различных слоях, но подключенных друг к другу.

Настоящее изобретение является также дисплейной панелью, содержащей вышеописанную подложку схемы, и дисплейным устройством, содержащим такую дисплейную панель. Настоящее изобретение может использоваться в различных типах дисплейных устройств, например в жидкокристаллических дисплеях, плазменных дисплеях, неорганических электролюминесцентных дисплеях, органических электролюминесцентных дисплеях и т.п.

В дисплейной панели и дисплейном устройстве настоящего изобретения, возникновение нарушений соединения между межсоединением и внешними соединительными контактными выводами может подавляться посредством задания длины, от одного края до другого края, области, в которой формируются одно или более контактных окон, которые подключаются к одному внешнему соединительному контактному выводу, так чтобы она превышала диаметр проводящих частиц, как описано выше. Выход годных изделий может быть повышен, и в результате производительность аналогично может повышаться.

Помимо подавления нарушений соединения, формирование широкой части в межсоединении также дает возможность сокращения расстояния между межсоединениями. Это предоставляет более узкую рамку в дисплейном устройстве и дает возможность уменьшения размера и веса дисплейного устройства. Дисплейное устройство, следовательно, может надлежащим образом использоваться в портативных электронных устройствах, к примеру мобильных телефонах, PDA и т.п.

Подложка схемы настоящего изобретения предоставляет стабильное соединение между межсоединением и внешними соединительными контактными выводами и дает возможность подавления возникновения нарушений соединения.

Краткое описание чертежей

Фиг.1 является принципиальной схемой при виде сверху, иллюстрирующей край подложки схемы согласно варианту 1 осуществления;

Фиг.2 является принципиальной схемой в поперечном сечении, иллюстрирующей край подложки схемы согласно варианту 1 осуществления;

Фиг.3 является принципиальной схемой при виде сверху, иллюстрирующей край подложки схемы согласно варианту 2 осуществления;

Фиг.4 является принципиальной схемой в поперечном сечении, иллюстрирующей край подложки схемы согласно варианту 2 осуществления;

Фиг.5 является принципиальной схемой при виде сверху, иллюстрирующей край подложки схемы согласно варианту 3 осуществления;

Фиг.6 является принципиальной схемой в поперечном сечении, иллюстрирующей край подложки схемы согласно варианту 3 осуществления;

Фиг.7 является принципиальной схемой при виде сверху, иллюстрирующей край подложки схемы согласно варианту 4 осуществления;

Фиг.8 является принципиальной схемой при виде сверху, иллюстрирующей край подложки схемы согласно варианту 5 осуществления;

Фиг.9 является принципиальной схемой при виде сверху, иллюстрирующей край подложки схемы согласно варианту 6 осуществления;

Фиг.10 является принципиальной схемой при виде сверху, иллюстрирующей край подложки схемы согласно сравнительному варианту 1 осуществления;

Фиг.11 является принципиальной схемой в поперечном сечении, иллюстрирующей край подложки схемы согласно сравнительному варианту 1 осуществления;

Фиг.12(a) является принципиальной схемой при виде сверху, иллюстрирующей пример, в котором широкая часть предоставляется в переднем конце межсоединения, а фиг.12(b) является принципиальной схемой при виде сверху, иллюстрирующей пример, в котором широкая часть предоставляется в середине межсоединения;

Фиг.13(a) является принципиальной схемой при виде сверху, иллюстрирующей режим, в котором широкие части не предоставляются в случае, когда одно межсоединение подключается во множестве контактных окон, а фиг.13(b) является принципиальной схемой при виде сверху, иллюстрирующей режим, в котором широкая часть предоставляется для каждого контактного окна в случае, когда одно межсоединение подключается во множестве контактных окон;

Фиг.14(a) является принципиальной схемой при виде сверху, иллюстрирующей пример режима, в котором широкая часть выступает, в виде полукруглой формы, из межсоединения, фиг.14(b) является принципиальной схемой при виде сверху, иллюстрирующей пример режима, в котором широкая часть выступает, в виде четырехсторонней формы, из межсоединения, а фиг.14(c) является принципиальной схемой при виде сверху, иллюстрирующей пример режима, в котором широкая часть выступает, в виде треугольной формы, из межсоединения; и

Фиг.15 является принципиальной схемой при виде сверху, иллюстрирующей способ для вычисления расстояния, от одного края до другого края, области, в которой контактное окно формируется в случае, когда множество контактных окон формируется в одном внешнем соединительном контактном выводе.

Подробное описание вариантов осуществления изобретения

Настоящее изобретение подробнее поясняется ниже на основе вариантов осуществления, со ссылкой на прилагаемые чертежи. Тем не менее, настоящее изобретение не ограничено только этими вариантами осуществления.

Первый вариант осуществления

Фиг.1 является принципиальной схемой при виде сверху, иллюстрирующей край подложки схемы согласно варианту 1 осуществления. Фиг.2 является принципиальной схемой в поперечном сечении подложки схемы, проиллюстрированной на фиг.1 в сечении вдоль сегмента A-B линии. Подложка схемы согласно варианту 1 осуществления является подложкой дисплейного устройства, используемой в жидкокристаллических дисплейных устройствах. Хотя не проиллюстрировано на фиг.1 и фиг.2, тонкопленочные транзисторы для возбуждения пикселов, а также пикселные электроды, схемы драйверов и т.д. формируются на внутренней стороне подложки схемы.

Как проиллюстрировано на фиг.2, край подложки схемы согласно варианту 1 осуществления имеет подложку 110 и последовательно сформированные на ней несущую покровную пленку 111, первую изолирующую пленку 112, вторую изолирующую пленку 113, межсоединения 115 и третью изолирующую пленку 114. Внешние соединительные контактные выводы 116, которые являются многослойным набором из металлической пленки 116a и прозрачной проводящей пленки 116b, располагаются на третьей изолирующей пленке 114. Толщина пленки третьей изолирующей пленки 114 составляет, например, 0,5-4 мкм, а толщина пленки каждого внешнего соединительного контактного вывода составляет, например, 100-1000 нм. Внешние соединительные контактные выводы 116 подключаются к широким частям 115a межсоединения посредством контактных окон 118, сформированных в третьей изолирующей пленке 114.

Анизотропная проводящая пленка 117 располагается на внешних соединительных контактных выводах 116, чтобы электрически соединять внешние соединительные контактные выводы 116 и внешние соединительные межсоединения 119a гибкой печатной (FPC) платы 119. Анизотропная проводящая пленка 117 содержит проводящие частицы 117b в изоляционном материале 117a. В FPC 119, внешние соединительные межсоединения 119a и т.д. предоставляются на поверхности полимерной подложки 119b.

Как проиллюстрировано на фиг.1, межсоединения 115 и внешние соединительные контактные выводы 116 подложки схемы согласно варианту 1 осуществления соединяются посредством контактных окон 118, сформированных в третьей изолирующей пленке 114 в широких частях 115a межсоединений 115, которые идут параллельно. Межсоединения 115 идут вдоль конца подложки 110 и изгибаются вниз от направления вправо на фиг.1, около угла подложки 110. На фиг.1, множество внешних соединительных контактных выводов идентичной формы 116 выстраивается, разнесенными друг от друга, вниз от угла подложки 110. Каждое межсоединение 115 идет вниз на фиг.1 (направление прохождения межсоединений) вдоль конца подложки 110 и подключается к соответствующему контактному окну 118 в широкой части 115a непосредственно под соответствующим внешним соединительным контактным выводом 116. Широкие части 115a являются частями, в которых межсоединение задается более широким, выступая к краю подложки 110 (наружу), чтобы контактные окна 118 располагались в нем. В настоящем варианте осуществления, широкие части 115a являются контактными выводами межсоединений 115. Из числа межсоединений 115, которые идут параллельно, чем дальше межсоединение 115 формируется к краю подложки 110, тем выше на фиг.1 предоставляется соответствующая широкая часть 115a, т.е. тем меньше становится длина межсоединения, имеющего изогнутый передний конец. Ширина межсоединений 115 составляет, например, 2-4 мкм. Ширина широких частей 115a (поперечная ширина относительно направления прохождения) составляет, например, 4-6 мкм.

Одно контактное окно 118 предоставляется в каждом внешнем соединительном контактном выводе 116. Контактные окна 118 имеют форму прямоугольника, имеющего длину большой оси (длину диаметра), например 3-8 мкм. Длина большой оси контактных окон обозначает длину в верхней лицевой поверхности третьей изолирующей пленки 114.

Диаметр каждой из проводящих частиц 117b задается как меньший длины большой оси контактного окна, например от 2 до 6 мкм. Его значение основано на диаметре (самом большом диаметре) после монтажа FPC 119, при виде сверху подложки схемы. Диаметр проводящих частиц может вычисляться посредством способов оптических измерений с использованием оптического микроскопа. Вышеуказанные соображения относительно значения диаметра проводящих частиц применяются также к другим вариантам осуществления, описанным ниже.

В настоящем варианте осуществления, самый большой диаметр контактных окон 118 превышает диаметр проводящих частиц 117b. Как результат, внешние соединительные контактные выводы 116 и внешние соединительные межсоединения 119a FPC 119 не становятся электрически разъединенными, даже если прозрачная проводящая пленка 116b и металлическая пленка 116a, которые составляют внешние соединительные контактные выводы 116, разрушаются посредством проводящих частиц 117b. Надежность соединения тем самым является превосходной.

В настоящем варианте осуществления, расстояние между межсоединениями 115 может сокращаться благодаря широким частям 115a, которые формируются в межсоединениях 115 и которые выступают только к краю подложки схемы. Это дает возможность уменьшения, как результат, площади, которая должна обеспечиваться в пределах плоскости подложки, чтобы размещать межсоединения 115, и предоставляет сужение рамки.

Дополнительно, межсоединения 115, расположенные на подложке схемы, на краевой стороне, подключаются к внешним соединительным контактным выводам 116 таким образом, что сокращается длина от изогнутой части межсоединений. Это обеспечивает аналогичность длины межсоединений, расположенных на стороне конца, длине межсоединений, расположенных на внутренней стороне, и дает возможность униформизации сопротивления между межсоединениями 115. На фиг.1, длина межсоединения P, расположенного дальше всего на краевой стороне подложки схемы, равняется A1+B1, а длина смежного межсоединения Q равняется A2+B2. В данном документе A1>A2 и B1<B2, и, следовательно, длины межсоединений для межсоединения P и межсоединения Q становятся аналогичными, посредством чего сопротивление между обоими межсоединениями может быть задано более равномерным по сравнению со случаем, когда межсоединения подключаются к внешним соединительным контактным выводам последовательно от межсоединения, расположенного на внутренней стороне.

Второй вариант осуществления

Фиг.3 является принципиальной схемой при виде сверху, иллюстрирующей край подложки схемы согласно варианту 2 осуществления. Фиг.4 является принципиальной схемой в поперечном сечении подложки схемы, проиллюстрированной на фиг.3 в сечении вдоль сегмента C-D линии. Толщина межсоединений, изолирующей пленки и т.д. в подложке схемы согласно варианту 2 осуществления является идентичной толщине в варианте 1 осуществления.

Как проиллюстрировано на фиг.4, подложка схемы согласно варианту 2 осуществления имеет подложку 210 и последовательно размещенные поверх друг друга на ней несущую покровную пленку 211, полупроводниковый слой 220, первую изолирующую пленку (изолятор затвора) 212, межсоединения 222 затвора и вторую изолирующую пленку 213. Межсоединения 215 (фиг.4 показывает широкую часть 215a межсоединений 215) и межсоединения 221 истока/стока располагаются на второй изолирующей пленке 213. Межсоединения 221 истока/стока подключаются к полупроводниковому слою 220 посредством контактных окон 218, сформированных во второй изолирующей пленке 213 и первой изолирующей пленке (изоляторе затвора) 212. Третья изолирующая пленка 214 располагается на межсоединениях 215 и межсоединениях 221 истока/стока. Внешние соединительные контактные выводы 216, которые являются многослойным комплектом из металлической пленки 216a и прозрачной проводящей пленки 216b, располагаются на третьей изолирующей пленке 214. Внешние соединительные контактные выводы 216 подключаются к широким частям 215a межсоединений 215 посредством контактных окон 218, сформированных в третьей изолирующей пленке 214.

Анизотропная проводящая пленка 217 располагается на внешних соединительных контактных выводах 216, чтобы электрически соединять внешние соединительные контактные выводы 216 и внешние соединительные межсоединения 219a FPC 219. Анизотропная проводящая пленка 217 содержит проводящие частицы 217b в изоляционном материале 217a. В FPC 219, внешние соединительные межсоединения 219a и т.д. предоставляются на поверхности полимерной подложки 219b.

Как проиллюстрировано на фиг.3, межсоединения 215 и внешние соединительные контактные выводы 216 подложки схемы согласно варианту 2 осуществления соединяются посредством контактных окон 218, сформированных в третьей изолирующей пленке 214 в широких частях 215a межсоединений 215, которые идут параллельно. Межсоединения 215 подключаются к внешним соединительным контактным выводам 216 таким образом, что длина от изогнутой части межсоединения тем меньше, чем дальше располагается межсоединение внутри подложки схемы. Межсоединения 215 имеют широкие части 215a, которые расширяются (выступают) к внутренней стороне подложки схемы. Ширина межсоединений 215 составляет, например, 2-4 мкм, а ширина широких частей 215a составляет, например, 4-6 мкм.

Контактные окна 218 имеют форму прямоугольника, имеющего длину большой оси, например 3-8 мкм, превышающую диаметр проводящих частиц. Длина большой оси (длина диаметра) контактных окон обозначает длину на верхней лицевой поверхности третьей изолирующей пленки 214.

В варианте 2 осуществления, положение подключения внешних соединительных контактных выводов 116 к межсоединениям 115 сдвигается от внутренней стороны к краю подложки схемы при просмотре от угла подложки схемы вниз в продольном направлении. Пустая область тем самым сформирована около внутренней стороны подложки схемы ниже внешнего соединительного контактного вывода, с которым соединяется межсоединение, расположенное на краевой стороне подложки схемы. Как результат, межсоединения, которые составляют транзисторы, а также полупроводниковые слои и т.п., могут формироваться ниже внешних соединительных контактных выводов 116, в дополнение к межсоединениям 115, которые подключаются к внешним соединительным контактным выводам 116. Более узкая рамка тем самым может достигаться.

Третий вариант осуществления

Фиг.5 является принципиальной схемой при виде сверху, иллюстрирующей край подложки схемы согласно варианту 3 осуществления. Фиг.6 является принципиальной схемой в поперечном сечении подложки схемы, проиллюстрированной на фиг.5 в сечении вдоль сегмента E-F линии. Толщина межсоединений, изолирующей пленки и т.д. в подложке схемы согласно варианту 3 осуществления является идентичной толщине в варианте 1 осуществления. Подложка схемы согласно варианту 3 осуществления является подложкой дисплейного устройства, используемой в жидкокристаллических дисплейных устройствах. Хотя не проиллюстрировано на фиг.5 и фиг.6, тонкопленочные транзисторы для возбуждения пикселов, а также пикселные электроды, схемы драйверов и т.д. формируются на внутренней стороне подложки схемы.

Как показано на фиг.6, на краю подложки схемы согласно варианту 3 осуществления, подложка 310 имеет последовательно размещенные поверх друг друга на ней несущую покровную пленку 311, первую изолирующую пленку (изолятор затвора) 312, вторую изолирующую пленку 313, межсоединения 315 и третью изолирующую пленку 314. Внешние соединительные контактные выводы 316, которые являются многослойным комплектом из металлической пленки 316a и прозрачной проводящей пленки 316b, располагаются на третьей изолирующей пленке 314. Внешние соединительные контактные выводы 316 подключаются к широким частям 315a межсоединения посредством контактных окон 318, сформированных в третьей изолирующей пленке 314.

Анизотропная проводящая пленка 317 для электрического соединения внешних соединительных контактных выводов 316 и внешних соединительных межсоединений 319a FPC 319 располагается на внешнем соединительном контактном выводе 316. Анизотропная проводящая пленка 317 содержит проводящие частицы 317b в изоляционном материале 317a. В FPC 319, внешние соединительные межсоединения 319a и т.д. предоставляются на поверхности полимерной подложки 319b.

В подложке схемы согласно варианту 3 осуществления, широкие части 315a межсоединений 315, идущих параллельно, подключаются к внешним соединительным контактным выводам 316 посредством соответствующих контактных окон 318, которые формируются в третьей изолирующей пленке 314, как проиллюстрировано на фиг.5. Межсоединения 315 подключаются к внешним соединительным контактным выводам 316 таким образом, что длина от изогнутой части межсоединения тем меньше, чем дальше располагается межсоединение внутри в подложке схемы. Каждое межсоединение 315 имеет широкую часть 315a, которая расширяется (выступает) к внутренней стороне подложки схемы. Ширина межсоединений 315 составляет, например, 2-4 мкм. Ширина широких частей 315a задается таким образом, чтобы становиться последовательно меньшей для межсоединений, расположенных дальше внутри от межсоединения, которое располагается на краевой стороне подложки схемы и задается равным, например, 4-6 мкм.

Контактные окна 318 являются прямоугольными по форме, и длина диаметра контактных окон 318 выполнена, аналогично ширине широких частей 315a, таким образом, чтобы становиться последовательно меньшей для контактных окон, расположенных дальше внутри от межсоединения, которое располагается на краевой стороне подложки схемы. Длина большой оси контактных окон 318 превышает диаметр проводящих частиц 317b.

Таким образом, чем длиннее межсоединения 315, тем большей становится площадь широких частей 315a и контактных окон 318. Это дает возможность униформизации сопротивления между межсоединениями 315. Чем больше площадь контактных окон 318, тем ниже становится сопротивление в соединительных частях между межсоединениями 315 и внешними соединительными контактными выводами 316. Как результат, увеличенное сопротивление межсоединений, извлеченное из длины более длинного межсоединения, может приближаться к сопротивлению другого более короткого межсоединения. При сравнении между двумя межсоединениями, расположенными внутри в подложке схемы на фиг.5, длина межсоединений составляет C1+D1 для межсоединения R, расположенного дальше всего внутри в пределах площади, показанной на чертеже, длина межсоединения S, расположенного вторым, составляет C2+D2, так что длина межсоединения R, расположенного дальше внутри, является большей. Как результат, площадь контактных окон 318 больше для межсоединений, расположенных дальше наружу.

Четвертый вариант осуществления

Фиг.7 является принципиальной схемой при виде сверху, иллюстрирующей край подложки схемы согласно варианту 4 осуществления. Как проиллюстрировано на фиг.7, конфигурация подложки схемы согласно варианту 4 осуществления является практически идентичной конфигурации варианта 1 осуществления, за исключением того, что в данном документе площадь контактных окон отличается, и форма межсоединений отличается, например, тем, что широкие части не предоставляются.

В подложке схемы согласно варианту 4 осуществления, межсоединения 415, идущие параллельно, подключаются к внешним соединительным контактным выводам 416 посредством контактных окон 418, которые формируются в третьей изолирующей пленке 414. Контактные окна 418 предоставляются во множестве для каждого межсоединения и подключаются к каждому внешнему соединительному контактному выводу 416 во множестве мест. Ширина межсоединений 415 варьируется от 3 до 5 мкм.

Длина большой оси контактных окон 418 варьируется от 2 до 4 мкм, и разнесение между контактными окнами 418 варьируется от 2 до 4 мкм. Шесть контактных окон 418 формируются в каждом межсоединении. Следовательно, длина области, в которой контактные окна 418 формируются в одном внешнем соединительном контактном выводе 416 от одного края до другого края области, варьируется от 22 мкм (а именно, 6×2+5×2 мкм) до 44 мкм (а именно, 6×4+5×4 мкм). Диаметр каждой из проводящих частиц варьируется от 2 до 6 мкм. Множество контактных окон 418 формируется на одном межсоединении 415 и подключается к внешнему соединительному контактному выводу 416 во множестве мест. Следовательно, даже если одно из контактных окон 418 разрушается посредством проводящих частиц 417b, внешний соединительный контактный вывод остается подключенным посредством других контактных окон 418, и тем самым нарушения соединения не возникают. Хотя широкие части не формируются в межсоединении варианта 4 осуществления, широкая часть может формироваться в областях, соответствующих каждому контактному окну, например, как проиллюстрировано на фиг.13(b).

Пятый вариант осуществления

Фиг.8 является принципиальной схемой при виде сверху, иллюстрирующей край подложки схемы согласно варианту 5 осуществления. Как проиллюстрировано на фиг.8, конфигурация подложки схемы согласно варианту 5 осуществления является практически идентичной конфигурации варианта 1 осуществления, за исключением того, что в данном документе площадь контактных окон отличается, и форма межсоединений отличается, например, тем, что широкие части не предоставляются. В подложке схемы согласно варианту 5 осуществления межсоединения 515, идущие параллельно, подключаются к внешним соединительным контактным выводам 516 посредством контактных окон 518, которые формируются в третьей изолирующей пленке 514. В данном документе контактные окна 518 имеют форму продолговатых отверстий (прямоугольной формы) в направлении прохождения межсоединений 515. Такая форма дает возможность предотвращения нарушений соединения за счет того, что вся соединительная часть не уничтожается, даже когда часть контактного окна разрушается посредством проводящих частиц. Наружный диаметр прямоугольной формы варьируется от 3 до 20 мкм, что превышает диаметр проводящих частиц. Широкие части не формируются в межсоединении варианта 5 осуществления. В более предпочтительном варианте осуществления, тем не менее, широкая часть формируется в межсоединениях 515, и контактные окна 518 являются продолговатыми отверстиями.

Шестой вариант осуществления

Фиг.9 является принципиальной схемой при виде сверху, иллюстрирующей край подложки схемы согласно варианту 6 осуществления. Как проиллюстрировано на фиг.9, конфигурация подложки схемы согласно варианту 6 осуществления является практически идентичной конфигурации варианта 1 осуществления, за исключением того, что здесь площадь контактных окон отличается, и форма межсоединений, к примеру, форма широких частей, отличается, как проиллюстрировано на фиг.9. В подложке схемы согласно варианту 6 осуществления, межсоединения 615, идущие параллельно, подключаются к внешним соединительным контактным выводам 616 посредством контактных окон 618, которые формируются в третьей изолирующей пленке 614. Здесь, межсоединения 615 имеют широкие части 615a, которые выступают поперечно к обеим сторонам относительно направления, в котором идут межсоединения (направления прохождения). Длина большой оси контактных окон 618 варьируется от 4 до 9 мкм. Диаметр каждой из проводящих частиц 617b варьируется от 3 до 6 мкм. Длина большой оси контактных окон 618 превышает диаметр каждой из проводящих частиц 617b. Разъединение вследствие проводящих частиц 617b тем самым может предотвращаться, поскольку длина большой оси контактных окон 618 тем самым превышает диаметр каждой из проводящих частиц 617b. Ширина межсоединений 615 варьируется от 2 до 4 мкм, и ширина широких частей 615a варьируется от 3 до 6 мкм.

В конфигурации варианта 6 осуществления, широкие части формируются выступающими поперечно к обеим сторонам относительно направления прохождения межсоединений. Следовательно, расстояние между межсоединениями в широких частях меньше, чем в конфигурациях, проиллюстрированных в вариантах 1-5 осуществления. Как результат, разнесение между межсоединениями, вероятно, должно поддерживаться не меньшим данного разнесения, чтобы предотвращать короткие замыкания между межсоединениями в широких частях, и число межсоединений, которые располагаются непосредственно под внешними соединительными контактными выводами, может ограничиваться.

Сравнительный вариант 1 осуществления

Фиг.10 является принципиальной схемой при виде сверху, иллюстрирующей край подложки схемы согласно сравнительному варианту 1 осуществления. Фиг.11 является принципиальной схемой в поперечном сечении подложки схемы, проиллюстрированной на фиг.10 в сечении вдоль сегмента G-H линии.

Как проиллюстрировано на фиг.11, первая изолирующая пленка 813 и межсоединения 815 располагаются на подложке 810 на краю подложки схемы согласно сравнительному варианту 1 осуществления. Вторая изолирующая пленка 814 располагается на межсоединениях 815, и внешние соединительные контактные выводы 816, сформированные из металла, располагаются на второй изолирующей пленке 814. Внешние соединительные контактные выводы 816 подключаются к межсоединениям 815 посредством контактных окон 818, сформированных в третьей изолирующей пленке 814.

Анизотропная проводящая пленка 817, для соединения между внешними соединительными контактными выводами 816 и внешними соединительными межсоединениями 819a гибкой печатной (FPC) платы 819, располагается на внешних соединительных контактных выводах 816. Анизотропная проводящая пленка 817 содержит проводящие частицы 817b в изоляционном материале 817a. Внешние соединительные межсоединения 819a, сформированные на анизотропной проводящей пленке 817, электрически подключены к внешним соединительным контактным выводам 816 посредством анизотропной проводящей пленки 817. В FPC 819, внешние соединительные межсоединения 819a и т.д. предоставляются на поверхности полимерной подложки 819b.

В подложке схемы согласно сравнительному варианту 1 осуществления, передние концы межсоединений 815, идущих параллельно, подключаются к внешним соединительным контактным выводам 816 посредством контактных окон 818, которые формируются во второй изолирующей пленке 814, как проиллюстрировано на фиг.10. В этом случае, длина большой оси контактных окон 818 составляет 2 мкм. Длина большой оси контактных окон 818 обозначает длину в верхней лицевой поверхности второй изолирующей пленки 814. Диаметр проводящих частиц 817b составляет 5 мкм. Таким образом, нарушения соединения возникают после разрушения посредством проводящих частиц 817b, поскольку длина большой оси контактных окон 818 меньше диаметра проводящих частиц 817b.

Способ для изготовления подложек схемы согласно вариантам 1-6 осуществления

Способ для изготовления подложек схемы согласно вариантам 1-6 осуществления поясняется ниже. Способ изготовления поясняется на основе примера подложки схемы согласно варианту 2 осуществления, проиллюстрированному на фиг.3 и 4, но подложки схемы вариантов 1 и 3-6 осуществления также могут изготавливаться в соответствии с идентичным способом после надлежащей модификации, например, формы межсоединений и формы контактных окон.

В качестве предварительной обработки, изолирующая подложка 210 сначала подвергается очистке и предварительному отжигу. Тип изолирующей подложки 210 не ограничен конкретным образом, но предпочтительно она является, например, стеклянной подложкой или полимерной подложкой с точки зрения затрат, помимо прочего. Нижеприведенные этапы (1)-(10) затем выполняются.

(1) Этап формирования несущей покровной пленки

На изолирующей подложке 210 формируется несущая покровная пленка 211 посредством последовательного формирования пленки на основе SiON и пленки на основе SiOx посредством плазмохимического осаждения из паровой фазы (PECVD). Примеры сырьевого газа для формирования пленки на основе SiON включают в себя, например, газовую смесь из моносилана (SiH4), газа на основе закиси азота (N2O) и аммиака (NH3). Предпочтительно, пленка на основе SiOx формируется с использованием газа на основе тетраэтилортосиликата (TEOS) в качестве сырьевого газа. В качестве несущей покровной пленки 211 может использоваться пленка на основе нитрида кремния (SiNx), сформированная с использованием, например, газовой смеси из моносилана (SiH4) и аммиака (NH3) в качестве сырьевого газа.

(2) Этап формирования полупроводникового слоя

Пленка на основе аморфного кремния (Si) формируется посредством PECVD. Примеры сырьевого газа для формирования пленки на основе a-Si включают в себя, например, SiH4, дисилан (Si2H6) и т.п. Пленка на основе a-Si, сформированная посредством PECVD, содержит водород, и, следовательно, обработка для понижения концентрации водорода в слое a-Si выполняется приблизительно при 500°C (обработка дегидрогенизации). Лазерный отжиг выполняется затем, после чего выполняется формирование пленки на основе поликристаллического кремния (p-Si) посредством плавления пленки на основе a-Si, охлаждения и затвердевания. Лазерный отжиг выполняется, например, с использованием эксимерного лазера. Чтобы формировать кремний с постоянным зерном (CG), металлический катализатор может применяться без выполнения обработки дегидрогенизации. Термическая обработка для твердофазной кристаллизации может выполняться в качестве предварительной обработки лазерного отжига для формирования пленки на основе p-Si. Затем, сухое травление выполняется с использованием газа на основе четырехфтористого углерода (CF4), чтобы формировать рисунок на пленке на основе p-Si и формировать полупроводниковый слой 220. Область истока, область стока, область канала и т.д. формируются, например, посредством ионного легирования в полупроводниковом слое 220 после нижеописанного этапа формирования первой изолирующей пленки или после этапа формирования электрода затвора.

(3) Этап формирования первой изолирующей пленки (изолятора затвора)

Затем, первая изолирующая пленка (изолятор затвора) 212, содержащая диоксиды кремния, формируется с использованием газа TEOS в качестве сырьевого газа. Материал первой изолирующей пленки 212 не ограничен конкретным образом, и может использоваться, например, пленка на основе SiNx, пленка на основе SiON и т.п. Сырьевой газ для формирования пленки на основе SiNx и пленки на основе SiON может являться идентичным сырьевому газу на этапе формирования несущей покровной пленки, описанном выше. Первая изолирующая пленка 212 может быть многослойным комплектом, содержащим вышеуказанное множество материалов.

(4) Этап формирования электрода затвора

Затем, пленка на основе нитрида тантала (TaN) и пленка на основе вольфрама (W) формируются посредством напыления. Далее, резистная пленка формирует рисунок требуемой формы посредством фотолитографии, после чего электрод 222 затвора формируется посредством сухого травления с использованием газа для травления в форме газовой смеси, в которой регулируются объемы, например, аргона (Ar), гексафторида серы (SF6), тетрафторида углерода (CF4), кислорода (O2), хлора (Cl2) и т.п. В качестве материала электрода 222 затвора может использоваться тугоплавкий металл, имеющий выровненную поверхность и стабилизированные характеристики, и/или низкоомный металл, например тантал (Ta), молибден (Mo), вольфрамо-молибден (MoW) алюминий (Al) и т.п. Электрод 222 затвора может быть многослойным комплектом, содержащим вышеуказанное множество материалов.

(5) Этап формирования второй изолирующей пленки

Затем, пленка на основе SiNx, в качестве второй изолирующей пленки 213, формируется на всей поверхности подложки посредством PECVD. Пленка на основе SiON, пленка на основе TEOS и т.п. может использоваться в качестве второй изолирующей пленки 213. Пленка с тонким защитным покрытием (например, пленка на основе TEOS) толщиной примерно 50 нм может формироваться под второй изолирующей пленкой 213, чтобы стабилизировать электрические характеристики и повышать надежность характеристик TFT посредством предотвращения, например ухудшения характеристик в переходном режиме.

(6) Этап формирования контактного окна

Затем, резистная пленка формирует рисунок требуемой формы посредством фотолитографии, после чего первая изолирующая пленка 212 и вторая изолирующая пленка 213 подвергаются влажному травлению с использованием раствора для травления на основе плавиковой кислоты, чтобы формировать тем самым контактное окно для соединения межсоединения 221 истока/стока и полупроводникового слоя 220. Травление может быть сухим травлением или комбинацией влажного травления и сухого травления.

(7) Этап формирования межсоединения и межсоединения истока/стока

Затем, пленка на основе титана (Ti), пленка на основе алюминия (Al) и пленка на основе Ti формируются, в этом порядке, посредством напыления и т.п. Далее, резистная пленка формирует рисунок требуемой формы посредством фотолитографии, после чего металлическая многослойная пленка на основе Ti/Al/Ti формирует рисунок посредством сухого травления, чтобы формировать первое межсоединение 221 истока/стока. Здесь, область истока и область стока полупроводникового слоя 220 и первого межсоединения 221 истока/стока соединяются проводящим образом посредством контактного окна, сформированного в первой изолирующей пленке 212 и второй изолирующей пленке 213. Сплав Al-Si и т.п. может использоваться, вместо Al, в качестве металла, который составляет межсоединение 221 истока/стока. В данном документе Al используется для понижения сопротивления межсоединений, но вышеописанные материалы электрода затвора (Ta, Mo, MoW, W, TaN и т.п.) могут использоваться в случае структур коротких межсоединений, когда высокая термостойкость требуется, и определенное увеличение значений сопротивления является допустимым.

(8) Этап формирования третьей изолирующей пленки

Затем, третья изолирующая пленка 214, содержащая диоксиды кремния, формируется на всей поверхности подложки с использованием газа TEOS в качестве сырьевого газа. Пленка на основе SiON, пленка на основе TEOS и т.п. может использоваться в качестве третьей изолирующей пленки 214. Органическая изолирующая пленка также может использоваться.

(9) Этап формирования контактного окна

Затем, резистная пленка формируется на всей поверхности подложки, и резистная пленка формирует рисунок требуемой формы посредством фотолитографии, после чего третья изолирующая пленка 214 подвергается влажному травлению с использованием раствора для травления на основе плавиковой кислоты, чтобы формировать контактное окно 218 для соединения между внешним соединительным контактным выводом 216 и межсоединением 215. Травление может быть сухим травлением. Кроме того, проявка резистной пленки и травление третьей изолирующей пленки 214 могут выполняться одновременно.

(10) Этап формирования внешнего соединительного контактного вывода

Металлическая пленка и пленка на основе ITO формируются посредством напыления и т.п. на третьей изолирующей пленке 214, имеющей сформированное контактное окно 218, и требуемая форма образует рисунок посредством фотолитографии, чтобы формировать тем самым прозрачную проводящую пленку 216b и металлическую пленку 216a, которые составляют внешний соединительный контактный вывод 216. Металлическая пленка 216a не ограничена конкретным образом, но предпочтительно является, например, многослойной пленкой алюминиевой пленки и молибденовой пленки. Алюминиевые пленки имеют высокую проводимость, но подвержены электрохимической коррозии. Соответственно, коррозия алюминиевой пленки может предотвращаться посредством формирования молибденовой пленки, в качестве запирающей пленки, на алюминиевой пленке. Обычно, алюминиевая пленка и молибденовая пленка формируют рисунок одновременно. Следовательно, конец алюминиевой пленки покрывается посредством формирования на ней прозрачной проводящей пленки из ITO и т.п., чтобы предотвращать коррозию конца. Таким образом, может быть обеспечена защита от коррозии. Предпочтительно, прозрачная проводящая пленка 216b формируется на этапе, идентичном этапу формирования качестве пикселных электродов, которые возбуждают пикселы дисплейного устройства. Выполнение этого дает возможность упрощения процесса изготовления. В вариантах 1-6 осуществления, описанных выше, внешние соединительные контактные выводы являются многослойными пленками из металлической пленки и прозрачной проводящей пленки, но не ограничены конкретным образом этим и могут содержать только металлическую пленку.

После этого, анизотропная проводящая пленка 217 присоединяется к внешнему соединительному контактному выводу 216, и FPC 219, имеющая внешние соединительные межсоединения 219a, присоединяется к анизотропной проводящей пленке 217.

Чтобы завершать изготовление жидкокристаллической дисплейной панели, герметизирующий материал формируется на подложке схемы, после чего выполняется присоединение к противоположной подложке, которая имеет сформированные на ней, например, цветные светофильтры и т.п. Герметизирующий материал, который используется, не ограничен конкретным образом и может быть смолой с ультрафиолетовым отверждением, термореактивной смолой и т.п. После этого, жидкий кристалл герметизируется между подложкой схемы и противостоящей подложкой, чтобы завершать тем самым изготовление жидкокристаллической дисплейной панели. Жидкокристаллическое дисплейное устройство затем может получаться посредством монтажа поляризаторов и т.д. на жидкокристаллической дисплейной панели.

Нарушения соединения между межсоединением и внешними соединительными контактными выводами могут предотвращаться в таким образом сформированном жидкокристаллическом дисплейном устройстве. Кроме того, дисплейное устройство с узкой рамкой может достигаться посредством уменьшения площади подложки, которое обусловлено расположением межсоединений.

Настоящая заявка притязает на приоритет согласно Парижской конвенции и законодательству промежуточных стран на основе заявки на патент (Япония) № 2008-296055, поданной 19 ноября 2008 года. Содержимое этого документа полностью содержится в данной заявке по ссылке.

Пояснение ссылок с номерами

15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 115, 215, 315, 415, 515, 615, 815 - межсоединение

15a, 16a, 17a, 18a, 19a, 20a, 21a, 115a, 215a, 315a, 415a, 515a, 615a - широкая часть

17b, 117b, 217b, 317b, 417b, 517b, 617b, 817b - проводящие частицы

8, 28a, 28b, 38a, 38b, 118, 218, 318, 818 - контактное окно

110, 210, 310, 410, 510, 610, 810 - подложка

111, 211, 311 - несущая покровная пленка

112, 212, 312, 812 - первая изолирующая пленка

113, 213, 313, 814 - вторая изолирующая пленка

114, 214, 314, 414, 514, 614 - третья изолирующая пленка

116, 216, 316, 416, 516, 616, 816 - внешний соединительный контактный вывод

116a, 216a, 316a - металлическая пленка

116b, 216b, 316b - прозрачная проводящая пленка

117, 217, 317, 417, 517, 617, 817 - анизотропная проводящая пленка

117a, 217a, 317a, 417a, 517a, 617a, 817a - изоляционный материал

119, 219, 319, 819-FPC

119a, 219a, 319a, 819a - внешнее соединительное межсоединение

119b, 219b, 319b, 819b - полимерная подложка

220 - полупроводниковый слой

221 - межсоединение истока/стока

222 - электрод затвора

1. Подложка схемы, имеющая подложку, поверх которой располагаются по порядку межсоединение, изолирующая пленка и внешний соединительный контактный вывод, при этом:
- подложка схемы содержит анизотропную проводящую пленку, имеющую проводящие частицы на внешнем соединительном контактном выводе, и
- внешний соединительный контактный вывод подключается к межсоединению через, по меньшей мере, одно контактное окно, сформированное в изолирующей пленке,
- причем длина от одного края до другого края, при виде сверху, области, сформированной, по меньшей мере, одним контактным окном, через которое внешний соединительный контактный вывод подключается к межсоединению, превышает диаметр каждой из проводящих частиц;
- причем межсоединение имеет широкую часть, которая выступает поперечно относительно направления прохождения межсоединения при виде сверху, при этом контактное окно предусмотрено в широкой части.

2. Подложка схемы по п.1, в которой:
- внешний соединительный контактный вывод подключается к межсоединению только через одно контактное окно, и
- контактное окно имеет, по меньшей мере, в своей части при виде сверху указанную длину в виде диаметра, которая превышает диаметр каждой из проводящих частиц.

3. Подложка схемы по п.1, в которой:
- внешний соединительный контактный вывод подключается к межсоединению через множество контактных окон,
- причем длина от одного края до другого края, при виде сверху, области, сформированной с множеством контактных окон, превышает диаметр каждой из проводящих частиц.

4. Подложка схемы по любому из пп.1-3, в которой широкая часть выступает поперечно только к одной стороне относительно направления прохождения межсоединения при виде сверху.

5. Подложка схемы по п.4, при этом:
- подложка схемы имеет, при виде сверху, два или более межсоединений, идущих параллельно, и два или более внешних соединительных контактных выводов, выстроенных в направлении прохождения межсоединений, и
- два или более межсоединений имеют широкую часть, выступающую к краевой стороне подложки схемы, и межсоединение, расположенное на краевой стороне, короче в направлении прохождения, чем смежное межсоединение.

6. Подложка схемы по п.4, при этом:
- подложка схемы имеет, при виде сверху, два или более межсоединений, идущих параллельно, и два или более внешних соединительных контактных выводов, выстроенных в направлении прохождения межсоединений, и
- два или более межсоединений имеют широкую часть, выступающую к внутренней стороне подложки схемы, и межсоединение, расположенное на внутренней стороне, короче в направлении прохождения, чем смежное межсоединение.

7. Подложка схемы по п.5 или 6, в которой два или более межсоединений подключаются к внешнему соединительному контактному выводу посредством контактных окон, имеющих неодинаковую площадь.

8. Подложка схемы по п.7, в которой два или более межсоединений подключаются через контактные окна так, что чем больше длина межсоединения, тем больше площадь контактного окна.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к подложке панели отображения и панели отображения на подложке. .

Изобретение относится к способу изготовления устройства полупроводниковой памяти, которое является стойким к окислению разрядных шин. .

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии изготовления интегральных микросхем и наноструктур различного назначения. .

Изобретение относится к технологии изготовления сверхбольших интегральных схем (СБИС) в части формирования многоуровневых металлических соединений. Способ формирования многоуровневых медных межсоединений СБИС по процессу двойного Дамасцена через двухслойную жесткую маску включает нанесение слоя изолирующего диэлектрика на пластину, в теле которого будут формироваться проводники многоуровневой металлизации интегральной схемы, нанесение поверх изолирующего диэлектрика нижнего слоя двухслойной жесткой маски двуокиси кремния и верхнего слоя двухслойной жесткой маски, формирование на верхнем слое двухслойной жесткой маски топологической маски из резиста, травление верхнего слоя двухслойной жесткой маски по топологической маске из резиста, удаление остаточного резиста с поверхности топологического рисунка, сформированного в верхнем слое двухслойной жесткой маски, травление нижнего слоя двухслойной жесткой маски двуокиси кремния по топологическому рисунку верхнего слоя двухслойной жесткой маски, вытравливание траншей и переходных контактных окон в слое изолирующего диэлектрика по топологическому рисунку в двухслойной жесткой маске, заполнение сформированных траншей и переходных контактных окон слоем металлизации и удаление избыточного объема нанесенного металла с поверхности пластин, при этом в качестве материала верхнего слоя жесткой маски используют слой вольфрама. Изобретение обеспечивает повышение надежности и увеличение процента выхода годных изделий. 1 з.п.ф-лы, 10 ил.

Изобретение относится к способу выполнения отверстия в слое материала. Создают первые и вторые адгезивные области на поверхности подложки. Первая область имеет размеры, соответствующие размерам отверстия. Осаждают слой на первые и вторые области. Материал слоя имеет более низкий коэффициент адгезии к первой области, чем коэффициент адгезии ко второй области. Часть слоя, расположенную над первой областью, удаляют струей текучей среды. В результате обеспечивается получение отверстий с высоким формфактором и совместимый с органическими материалами. 7 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления многоуровневой металлизации сверхбольших интегральных микросхем (СБИС). Способ изготовления медной многоуровневой металлизации СБИС многократным повторением процессов изготовления типовых структур, состоящих из медных горизонтальных и вертикальных проводников и окружающих их диэлектрических слоев с низким значением эффективной диэлектрической постоянной, включает нанесение на полупроводниковую пластину металлических слоев, фотолитографию, локальное электрохимическое нанесение меди и защитных слоев на ее поверхность. Процесс изготовления включает три последовательно выполняемых этапа: изготовление горизонтальных медных проводников, изготовление внутриуровневой пористой диэлектрической изоляции с ультранизким значением диэлектрической постоянной и межуровневой изоляции из плотного диэлектрика и изготовление вертикальных медных проводников. Изобретение обеспечивает отсутствие интегрированных технологических операций, а также повышение механической прочности проводников за счет того, что медный проводник находится внутри плотного диэлектрика. 13 з.п. ф-лы, 18 ил.
Наверх