Кассета для групповой транспортировки полупроводниковых пластин


H01L21/677 - Способы и устройства для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей (способы и устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки приборов, относящихся к группам H01L 31/00- H01L 49/00, или их частей, см. эти группы; одноступенчатые способы изготовления, содержащиеся в других подклассах, см. соответствующие подклассы, например C23C,C30B; фотомеханическое изготовление текстурированных поверхностей или поверхностей с рисунком, материалы или оригиналы для этой цели; устройства, специально предназначенные для этой цели вообще G03F)[2]

Владельцы патента RU 2485623:

Доможирова Елена Леонидовна (RU)
Куликов Александр Михайлович (RU)
Фролов Евгений Абрамович (RU)
Чернов Алексей Владимирович (RU)
Сорокина Наталия Борисовна (RU)
Балашова Евгения Григорьевна (RU)
Мишенин Николай Андреевич (RU)
Пименова Ольга Борисовна (RU)

Изобретение относится к устройствам для удержания полупроводниковых пластин во время транспортировки в процессе изготовления. Сущность изобретения: кассета для групповой транспортировки полупроводниковых пластин содержит четыре фторопластовых стержня с пазами и два крепления с торцов стержней, каждый из четырех стержней представляет собой фторопластовую трубу с плотной резиновой вставкой по всей длине трубы, толщина стенки трубы составляет (30-40)% глубины пазов, глубина всех пазов одинаковая, два боковых стержня размещены по бокам располагаемых в кассете полупроводниковых пластин, один нижний стержень, выполняющий роль дна кассеты, размещен внизу располагаемых в кассете полупроводниковых пластин, пазы в обоих боковых стержнях имеют в сечении П-образную форму, ширина боковых пазов больше толщины пластины на 50-70%, глубина боковых пазов составляет 2-4,5 ширины боковых пазов, пазы в нижнем стержне для размещения пластин имеют в сечении форму полукруга с радиусом, составляющим 0,6-0,8 толщины пластины, четвертый стержень также выполнен с пазами, форма пазов в четвертом стержне является зеркальным отражением формы пазов в нижнем стержне для обеспечения фиксации пластин в процессе транспортировки, при этом пазы во фторопластовой трубе и резиновой вставке каждого стержня сформированы одновременно за один рез. Изобретение обеспечивает исключение потерь пластин на операции транспортировки при обеспечении ускорения и возможности свободы манипулирования.

 

Изобретение относится к устройствам, предназначенным для удержания полупроводниковых пластин во время транспортировки в процессе изготовления полупроводниковых приборов.

Известна кассета для групповой обработки и транспортировки полупроводниковых пластин, содержащая основание, на внутренней поверхности которого продольно расположены ребра с пазами для размещения пластин, выполненные определенным образом (см. RU 2018190, опубликовано 15.08.1994). Известная кассета имеет ряд недостатков, связанных с тем, что кассета выполнена в виде сплошного основания, что утяжеляет конструкцию. Недостатком известной кассеты является также и то, что для пластин большого диаметра применение ее затруднено тем, что для удержания пластин в вертикальном положении нужны основания, охватывающие значительную часть пластин, и узкие и глубокие пазы, при этом требуется увеличить расстояние между пазами, что снижает производительность процесса. Наличие узких пазов превращают их из опорных в заклинивающие, а это приводит к потерям пластин как при перегрузке, так и на операциях транспортировки.

Известна кассета для групповой обработки и транспортировки полупроводниковых пластин, состоящая из четырех стержней с нарезанными в них пазами, причем два стержня расположены выше по отношению к двум другим стержням (FR 2248764, опубликовано 16.05.1975). Такая конструкция кассеты более проста и легка в исполнении. Основания пазов нижних стержней, в которых стоят пластины, выполняют опорную функцию для пластин, а боковые стенки пазов верхних стержней удерживают пластины в вертикальном положении, выполняют поддерживающую функцию для пластин. Такая конструкция кассеты позволила увеличить ширину пазов верхних поддерживающих стержней, что, в свою очередь, снимает проблему загрузки пластин в лодочки с использованием загрузочных устройств, поскольку увеличивает степень свободы перемещения пластин в пазах.

К недостаткам конструкции таких кассет следует отнести недостаточную степень свободы перемещения пластин в пазах кассеты как в процессе непосредственной транспортировки, так и при загрузке или выгрузке всех пластин во все пазы четырех стержней кассеты. Это значит, что при несоответствии проекций пазов пластина не может занять нужное положение в кассете, что приводит к потере пластин как на операции перегрузки пластин в кассеты, так и при последующей транспортировке. Даже при попадании пластин в пазы возможно их заклинивание в пазе, следствием чего являются бой, сколы или царапины на пластинах.

Задачей, на решение которой направлено данное изобретение, является достижение технического результата, заключающегося в исключении потерь пластин на операции транспортировки, за счет исключения залипания пластин в пазах нижнего и верхнего стержней при одновременной надежной фиксации их в боковых стержнях и, кроме того, повышении производительности процесса транспортировки за счет возможности ускорения проводимых перемещений и повышения возможности свободы манипулирования. Технический результат также состоит в повышении выхода годных за счет сокращения брака пластин и сокращения биения пластин при транспортировке.

Поставленная задача решается тем, что кассета для групповой транспортировки полупроводниковых пластин содержит четыре фторопластовых стержня с пазами и два крепления с торцов стержней, каждый из четырех стержней представляет собой фторопластовую трубу с плотной резиновой вставкой по всей длине трубы, толщина стенки трубы составляет (30-40)% глубины пазов, глубина всех пазов одинаковая, два боковых стержня размещены по бокам располагаемых в кассете полупроводниковых пластин, один нижний стержень, выполняющий роль дна кассеты, размещен внизу располагаемых в кассете полупроводниковых пластин, при этом боковые стержни размещены так, что их продольные оси и центры транспортируемых в кассете пластин находятся в одной плоскости, пазы в стержнях выполнены таким образом, что обеспечивают размещение каждой пластины в вертикальной плоскости, перпендикулярной продольным осям стержней, пазы в обоих боковых стержнях имеют в сечении П-образную форму, ширина боковых пазов больше толщины пластины на 50-70%, глубина боковых пазов составляет 2-4,5 ширины боковых пазов, пазы в нижнем стержне для размещения пластин имеют в сечении форму полукруга с радиусом, составляющим 0,6-0,8 толщины пластины, крепления с торцов стержней выполнены с возможностью закрепления в них после размещения в кассете полупроводниковых пластин четвертого стержня, выполняющего роль крышки, четвертый стержень также выполнен с пазами, форма пазов в четвертом стержне является зеркальным отражением формы пазов в нижнем стержне для обеспечения фиксации пластин в процессе транспортировки, при этом пазы во фторопластовой трубе и резиновой вставке каждого стержня сформированы одновременно за один рез.

При таком расположении боковых поддерживающих стержней происходит последовательная загрузка пластин в кассету, сначала в пазы боковых стержней, а затем в пазы нижнего стержня. Используемая форма нижнего паза придает пластине определенную степень свободы перемещения, а также решает проблему самоцентровки пластин в нижних пазах. Форма пазов заявленной конструкции кассеты и их размеры относительно размеров транспортируемых пластин обеспечивают исключение залипания пластин в пазах нижнего и верхнего стержней при одновременной надежной фиксации их в боковых стержнях и, кроме того, обеспечивают повышении производительности процесса транспортировки, за счет возможности ускорения проводимых перемещений и повышения возможности свободы манипулирования. Как показали эксперименты, к таким же результатам приводит одновременное использование резиновой вставки во второпластовых стержнях. Это также уменьшает возможность биения пластин, снижает вероятность сколов в пазах заявленной формы, позволяет повысить производительность процесса транспортировки за счет возможности ускорения проводимых перемещений и повышения возможности свободы манипулирования. Особо важным фактором в представленной конструкции является то, что выполнение пазов во фторопластовой трубе и резиновой вставке каждого стержня необходимо производить одновременно за один рез. Только это условие обеспечит наряду с вышеперечисленными выполнение указанного технического результата изобретения.

Результатом использования заявленной конструкции кассеты также является повышение выхода годных за счет сокращения брака пластин и сокращение биения пластин при транспортировке.

Прямоугольная форма паза в боковых стержнях требует дополнительных условий для установления ее размеров относительно толщины пластин, поскольку достаточно узкий паз вызывает заклинивание пластин, не доставая дна паза. Понятно, что в этом случае при транспортировке полупроводниковая пластина растрескивается в пазу кассеты. Для устранения указанного недостатка приходится формировать заведомо широкие пазы. Так как загрузка пластин в одном процессе определяется числом пазов, а число нарезанных пазов при фиксированном размере кассеты в основном определяется шириной паза (ширина разделительной перегородки на практике не зависит от толщины полупроводниковых пластин и является минимальной, обеспечивающей механическую прочность и целостность стержней при резании пазов и в процессе эксплуатации), то ясно, что нерационально повышенная ширина паза приводит к существенному уменьшению числа пластин, транспортируемых в одном процессе, с соответствующим возрастанием материальных затрат, снижением производительности операции транспортировки и технологического процесса изготовления полупроводниковых приборов в целом.

Однако данная П-образная форма и заявленные размеры в сечении боковых пазов стержней в сочетании с другими предложенными в заявленной конструкции особенностями является необходимой для обеспечения целостности пластин в процессе быстрой транспортировки.

Ширину паза никогда не делают избыточно большой. Необходимо компромиссное соотношение между загрузкой пластин в одном процессе и обеспечением необходимых условий эксплуатации при транспортировке, когда не допускается механическое коробление, сколы и бой пластин.

Именно использование резиновой вставки предотвращает процесс растрескивания и биения пластин в местах контакта пластин с кассетой в пазу боковых стержней.

Технический результат достигается при использовании заявленных форм и размеров верхнего и нижнего стержней. Резиновые вставки исключают механические нарушения в пластинах и при контакте с ними в верхних и нижних пазах.

Процесс загрузки пластин, удерживаемых держателем пластин загрузочного устройства, в поддерживающие пазы двух боковых стержней кассеты и в опорные пазы нижнего стержня кассеты происходит следующим образом. Пластины, удерживаемые держателем пластин загрузочного устройства, опускаясь вертикально вниз между боковыми стержнями, подходят к пазам нижнего стержня, одновременно углубляясь в поддерживающие пазы. Вхождение пластин в поддерживающие пазы в дальнейшем исключает выпадение пластин из поддерживающих пазов при наличии несоответствия в совмещении пластины с одним из опорных пазов нижнего стержня кассеты. Здесь важно выполнение пазов в стержне (в трубе и вставке) за один рез.

Когда пластины подходят к пазам нижнего стержня, они освобождаются от держателя пластин загрузочного устройства. Держатели пластин загрузочного устройства, освободившись от пластин, покидают пределы кассеты. Выгрузка пластин происходит в обратной последовательности.

Снижение числа одновременно загружаемых пазов за счет последовательной загрузки пластин в кассету сначала в пазы боковых стержней, а затем в пазы нижнего стержня, увеличение ширины пазов боковых стержней за счет увеличения высоты расположения боковых стержней, а также полукруглая форма пазов нижних стержней в сочетании с определенным размером (глубиной и шириной в зависимости от толщины пластин) пазов в боковых стержнях, использование резиновых вставок в стержнях придает пластине оптимальную степень свободы перемещения в пазах, что позволяет пластинам занять нужное положение в кассете и в конечном итоге решает проблему по исключению брака как на данной операции загрузки/выгрузки, так и в самом процессе транспортировки полупроводниковых пластин.

Скрепленные по торцам стержни с пазами выполнены из фторопласта. Два боковых стержня размещены по бокам размещаемых в кассете полупроводниковых пластин и расположены друг от друга на расстоянии, обеспечивающем крепление пластин определенного диаметра в соответствующих пазах. Нижний стержень, выполняющий роль дна кассеты, размещен внизу транспортируемых в кассете полупроводниковых пластин. Боковые стержни размещены так, что их продольные оси и центры размещаемых в кассете полупроводниковых пластин находятся в одной плоскости. Пазы для размещения каждой полупроводниковой пластины совмещены таким образом, что находятся в одной плоскости, пазы в обоих боковых стержнях выполнены в направлении, перпендикулярном продольной оси боковых стрежней, и имеют в сечении плоскостью, содержащей обе продольные оси боковых стрежней, П-образную форму. Ширина боковых пазов больше толщины пластины на 50-70%, глубина боковых пазов составляет 2-4,5 ширины боковых пазов, при этом пазы в нижнем стержне для размещения обрабатываемых пластин имеют в сечении форму полукруга с радиусом, составляющим 0,6 -0,8 толщины пластины. Крепления с торцов стержней выполнены таким образом, чтобы после размещения в кассете полупроводниковых пластин можно было закрепить четвертый стержень, также выполненный из фторопласта и выполняющий роль крышки. При этом четвертый стержень также выполнен с пазами, форма которых является зеркальным отражением формы пазов в нижнем стержне для обеспечения фиксации пластин в процессе транспортировки. Иными словами, пазы в верхнем стержне имеют такие же размеры и форму, как и пазы в нижнем стержне.

Все четыре стержня выполнены из фторопласта с плотной резиновой вставкой по всей длине фторопластовой трубы, толщина стенки трубы составляет (30-40)% глубины пазов, глубина всех пазов одинаковая. Обязательным условием выполнения кассеты является выполнение пазов во фторопластовой трубе и резиновой вставке каждого стержня одновременно за один рез.

Стержни кассеты могут быть выполнены диаметром порядка 5-10 мм. Для больших полупроводниковых пластин диаметр стержней может быть увеличен. Для определения размера паза нижнего и соответственно верхнего стержня в кассете также следует ориентироваться на толщину и диаметр используемых кремниевых пластин.

Кассету с загруженными кремниевыми пластинами диаметром 76 мм возможно надежно транспортировать в технологическом процессе производства полупроводниковых приборов при переходе от одной операции к другой. Заявленная кассета может быть использована для транспортировки и перегрузки пластин даже в условиях химически агрессивных ванн, при химико-технологических операциях травления. Количество обрабатываемых в кассете пластин обычно выбирают порядка 50 штук. Зазор между пластинами может быть установлен порядка 3-6 мм.

Предложенная конструкция кассеты с четырьмя фторопластовыми стержнями с плотными резиновыми вставками, в которых выполнены пазы строго определенной формы в сечении, исключает зависание полупроводниковой пластины в пазу нижнего стержня при минимальных его размерах, что, с одной стороны, исключает залипание и заклинивание пластин в пазах кассеты как во время загрузки, так и при транспортировке, а с другой стороны, позволяет оптимизировать ширину самого паза и количество транспортируемых в кассете полупроводниковых пластин без брака.

Предложенная кассета для групповой транспортировки полупроводниковых пластин предназначена для промышленного применения, проста в исполнении.

Предложенная кассета для групповой транспортировки полупроводниковых пластин позволяет на 50% увеличить число пластин, транспортируемых за один раз в кассете, и исключить их залипание и заклинивание в пазах кассеты.

Использование четвертого дополнительного стержня обеспечивает надежную фиксацию полупроводниковых пластин в кассете в процессе транспортировки, что дополнительно исключает потери.

Заявленная конструкция кассеты позволяет исключить потери пластин на операции транспортировки за счет исключения залипания пластин в пазах нижнего и верхнего стержней при одновременной надежной фиксации их в боковых стержнях, а кроме того, позволяет повысить производительность процесса транспортировки за счет возможности ускорения проводимых перемещений и повышения возможности свободы манипулирования. Использование кассеты приводит к одновременному сокращению биения пластин и повышению выхода годных за счет сокращения брака пластин при транспортировке.

Кассета для групповой транспортировки полупроводниковых пластин, содержащая четыре фторопластовых стержня с пазами и два крепления с торцов стержней, каждый из четырех стержней представляет собой фторопластовую трубу с плотной резиновой вставкой по всей длине трубы, толщина стенки трубы составляет (30-40)% глубины пазов, глубина всех пазов одинаковая, два боковых стержня размещены по бокам располагаемых в кассете полупроводниковых пластин, один нижний стержень, выполняющий роль дна кассеты, размещен внизу располагаемых в кассете полупроводниковых пластин, при этом боковые стержни размещены так, что их продольные оси и центры транспортируемых в кассете пластин находятся в одной плоскости, пазы в стержнях выполнены таким образом, что обеспечивают размещение каждой пластины в вертикальной плоскости, перпендикулярной продольным осям стержней, пазы в обоих боковых стержнях имеют в сечении П-образную форму, ширина боковых пазов больше толщины пластины на 50-70%, глубина боковых пазов составляет 2-4,5 ширины боковых пазов, пазы в нижнем стержне для размещения пластин имеют в сечении форму полукруга с радиусом, составляющим 0,6-0,8 толщины пластины, крепления с торцов стержней выполнены с возможностью закрепления в них после размещения в кассете полупроводниковых пластин четвертого стержня, выполняющего роль крышки, четвертый стержень также выполнен с пазами, форма пазов в четвертом стержне является зеркальным отражением формы пазов в нижнем стержне для обеспечения фиксации пластин в процессе транспортировки, при этом пазы во фторопластовой трубе и резиновой вставке каждого стержня сформированы одновременно за один рез.



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к устройствам для удержания полупроводниковых пластин во время транспортировки в процессе изготовления. .

Изобретение относится к транспортной и операционной таре изделий микроэлектроники, в частности к кассетам для технологических спутников фотопреобразователей (ФП), и может быть использовано в испытательном и сборочном оборудовании при изготовлении солнечных батарей.

Изобретение относится к области изготовления микросхем и может быть использовано для изготовления многоуровневых тонкопленочных гибридных интегральных схем и анизотропных магниторезистивных преобразователей.

Изобретение относится к захвату, в частности захвату Бернулли, для приема плоскостных элементов, например, кремниевых полупроводниковых пластин, с обеспечением низкой нагрузки на них.

Изобретение относится к способу обработки жидкости, который включает удаление компонента смолы из жидкости, используемой для отслаивания компонента органической смолы с поверхности подложки.

Изобретение относится к способам получения наноразмерных структур и может найти применение, в частности, в микроэлектронике, а также при изготовлении модулей памяти со сверхвысокой плотностью записи, наносенсоров, молекулярных сит, игл-зондов сканирующих туннельных микроскопов.
Изобретение относится к технологии изготовления микросхем и микроэлектромеханических приборов. .
Изобретение относится к теплоотводящим элементам. .

Изобретение относится к способу производства пластины держателя для электростатического держателя приемлемой продуктивности, который лишен неудовлетворительного высвобождения полупроводниковой пластины, которая является подложкой, которая должна быть обработана, с начального момента предоставления электростатического держателя для нового использования

Изобретение относится к способу монтажа микроэлектронных компонентов, в частности способу монтажа микроэлектронных компонентов для одномоментного монтажа на основной плате множества микроэлектронных компонентов, обладающих разной высотой

Изобретение относится к области релаксационной электрохимии и может быть использовано в различных областях техники. Сущность изобретения заключается в том, что осуществляют воздействие на полупроводниковую или диэлектрическую конденсированную среду электромагнитным импульсом с образованием круговой или эллиптически поляризованной электромагнитной волны, отличающийся тем, что частоту круговой поляризации электрической компоненты поля совмещают с частотой электрострикции звуковой стоячей волны, образующейся на поверхности кластера вещества, создающей на поверхности кластера круговой токовый пробой, приводящий к изменению свойств полупроводниковых и диэлектрических конденсированных веществ, релаксирующих во времени после прекращения электромагнитного воздействия (эхо-сигнал). Технический результат - контроль изменяемых параметров вещества. 2 н.п. ф-лы, 13 ил.

Изобретение относится к области нанотехнологии и может быть использовано для получения атомно-тонких монокристаллических пленок различных слоистых материалов. Технический результат - упрощение технологии изготовления атомно-тонких монокристаллических пленок. Достигается тем, что в способе получения атомно-тонких монокристаллических пленок, включающем выделение тонких монокристаллических фрагментов из исходных слоистых монокристаллов, осуществляется приклеивание их к рабочей подложке с помощью эпоксидного клея и последовательное удаление слоев с тонких монокристаллических фрагментов с помощью, например, адгезионной ленты. 10 з.п. ф-лы, 4 ил.
Изобретение относится к области нанесения на подложки металлических покрытий, а именно к нанесению электропроводящего слоя на полимерную или бумажную подложку при изготовлении антенн, работающих в диапазоне ультравысокой частоты. На подложку наносят масочное покрытие, в качестве которого используют перфторполиэфир. Затем методом селективной вакуумной металлизации наносят слой меди или алюминия с поверхностным сопротивлением порядка 90-110 Ом/м2, после чего методом трафаретной печати наносят токопроводящий слой серебросодержащей краски с содержанием серебра в количестве 70-90%. Измеряют поверхностное сопротивление полученного токопроводящего покрытия методом четырехзондового контроля. Проводят отбраковку участков подложки не соответствующих необходимым техническим характеристикам, определяемым из условия допустимого разброса поверхностного сопротивления не более 15% в абсолютных единицах. Обеспечивается повышение технологичности производства, расширение эксплуатационных возможностей, снижение производственных издержек, повышение точности измерения. 1 з.п. ф-лы, 1 табл.

Изобретение относится к способам получения тонкослойных детекторов заряженных частиц, основанных на явлениях термостимулированной и/или оптически стимулированной люминесценции. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает испарение мишени исходного материала импульсным электронным пучком с энергией не более 100 кэВ, длительностью импульсов от 20 до 300 мкс, плотностью энергии не менее 1 МДж/см2, пучок электронов на пути к мишени проводят через систему создания перепада давления газа, с помощью которой в камере испарения обеспечивают давление в диапазоне 1-20 Па для охлаждения частиц, при этом осаждение частиц производят на охлаждаемые подложки, выполненные из металла, температура плавления которого превышает 900°C, а коэффициент линейного теплового расширения близок к коэффициенту линейного теплового расширения осажденного слоя оксида алюминия, толщину которого от 5 до 40 мкм регулируют временем осаждения от 5 до 20 минут, а чувствительность к излучению - финишной термообработкой в диапазоне 550-900°C в течение 10-20 минут. Технический результат - повышение точности, надежности и достоверности регистрации доз короткопробежных заряженных частиц ядерных излучений, включая смешанные поля методами ТЛ и/или ОСЛ. 7 ил., 1 табл.

Изобретение относится к устройству для перемещения подложек согласно технологии производства микропроцессорной техники без образования частиц в миниатюрных рабочих средах в условиях чистого помещения. Устройство для перемещения подложек выполнено с возможностью перемещения подложки вдоль нескольких осей с помощью манипулятора, снабженного на своем свободном конце электромагнитной подвижной вилкой, причем манипулятор расположен на подъемно-вращательном узле, электромагнитная направляющая опора снабжена активным подвижным элементом, который установлен на неподвижном пассивном элементе с помощью закрепленных в поперечном направлении магнитных опор, которые удерживают активный подвижный элемент на пассивном элементе в равновесии и в подвешенном состоянии, при этом активный элемент снабжен подъемно-вращательным узлом, который содержит внешнюю трубку, вертикально закрепленную на активном элементе, внутри внешней трубки расположены магнитные опоры, установленные с равными интервалами на внутренней поверхности внешней трубки для бесконтактного направления внутренней трубки в вертикальном направлении между двумя крайними положениями. Изобретение позволяет осуществлять перемещение подложек без трения и, следовательно, без образования частиц. 20 з.п. ф-лы, 14 ил.

Изобретение относится к области вычислительной техники, а именно к области цифровой обработки сигналов. Технический результат - снижение энергопотребления на единицу производительности и повышение производительности процессора. Гетерогенный процессор содержит: универсальный процессор с портом, блок ввода/вывода с портом, контроллер оперативной памяти с портом, блок ускоренного выполнения алгоритмов цифровой обработки сигналов с портом, состоящий из контроллера прямого доступа к памяти, блока памяти программ и блока управления вычислительными секциями, каждая из которых состоит из блока регистрового файла с портами, соединенного с портом блока управления вычислительными секциями, блока локального ОЗУ и блока арифметико-логического устройства, состоящего из блоков входных регистров, блоков выходных регистров, блоков умножителей и блоков сумматоров, установленных в количестве, достаточном для выполнения операции B±C×D каждый такт, где B, C и D - комплексные числа, действительные и мнимые, части которых являются 32-разрядными числами с плавающей запятой, а процессор снабжен блоком буферной памяти с портами. 3 ил.

Изобретение относится к технологии получения изделий оптоэлектроники и солнечной энергетики, а именно к раствору для гидрохимического осаждения полупроводниковых пленок сульфида индия(III). Раствор содержит соль индия(III), винную кислоту, тиоацетамид, гидроксиламин солянокислый при следующих концентрациях реагентов, моль/л: соль индия(III) - 0,01-0,2; тиоацетамид - 0,01-0,5; винная кислота - 0,005-0,2; гидроксиламин солянокислый - 0,005-0,15. Изобретение позволяет получить пленки сульфида индия(III), характеризующиеся более высокими величинами толщин при одновременном сохранении высокого качества поверхности пленок. 1 табл., 2 пр.

Группа изобретений относится к области электронной техники, микро- и наноэлектроники и может быть использована для локального определения концентрации свободных носителей заряда в отдельно взятых полупроводниковых нанообъектах и наноструктурах, а также для контроля качества материалов, применяемых в полупроводниковом приборостроении. Способ определения концентрации носителей заряда в полупроводниках заключается в пропускании через переход, смещенный как в обратном, так и в прямом направлениях, высокочастотного тока, получении информации о концентрации носителей заряда на глубине области обеднения из произведения амплитуды тока второй гармоники и напряжения первой гармоники, обратно пропорционального концентрации носителей заряда, обнаружении исследуемого объекта путем сканирования в атомно-силовом микроскопе с проводящим зондом, формировании барьерного контакта к исследуемому нанообъекту зондом микроскопа. Устройство, реализующее способ, содержит 28 элементов. Изобретение обеспечивает локальное определение концентрации свободных носителей заряда в полупроводниковых микро- и наноструктурах. 2 н.п. ф-лы, 1 ил.
Наверх