Устройство для нанесения многослойных покрытий на изделия



Устройство для нанесения многослойных покрытий на изделия
Устройство для нанесения многослойных покрытий на изделия

 


Владельцы патента RU 2490369:

Общество с ограниченной ответственностью "ЭСТО-Вакуум" (RU)

Изобретение относится к плазменной технике и может быть использовано для нанесения многослойных покрытий на поверхность изделий в виде тонких пленок. Устройство содержит цилиндрическую рабочую камеру с магнетронной распылительной системой, систему питания магнетронной распылительной системы, вакуумную систему, систему напуска рабочего газа, при этом магнетронная распылительная система включает, по меньшей мере, три магнетрона, установленных на рычагах, обеспечивающих поочередную возможность поворота в горизонтальной плоскости каждого магнетрона, снабженного индивидуальной заслонкой с приводом, рабочая камера дополнительно содержит рабочий стол, выполненный с возможностью вращения вокруг своей оси и нагрева изделия, устройство также дополнительно содержит средство управления, осуществляющее поочередное изменение положения каждого магнетрона в горизонтальной плоскости с обеспечением сканирующего перемещения магнетрона к центру рабочей камеры и обратно. Технический результат изобретения заключается в обеспечении нанесения многослойных покрытий на изделия различных габаритных размеров, получении равномерного покрытия высокого качества, а также в уменьшении массогабаритных параметров устройства, что обеспечивает возможность его использования в качестве модуля группы кластерной установки и возможности управляемого сканирующего перемещения магнетронов над изделием с изменяемой скоростью. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.

 

Изобретение относится к плазменной технике и может быть использовано для нанесения многослойных покрытий на поверхность изделий в виде тонких пленок из металлов, их оксидов, нитридов и других соединений, синтезированных в процессе плазмохимических реакций.

В настоящее время существует проблема создания кластерных установок, то есть группы соединенных между собой устройств, обеспечивающих выполнение отдельных операций и функционирующих как единое целое.

Выпускаемые в настоящее время автоматизированные установки магнетронного напыления не могут быть использованы в качестве модуля группы кластерной установки, поскольку они имеют большие габаритные размеры (диаметр цилиндрической рабочей камеры составляет 670 мм), кроме того, они не обеспечивают шлюзовую загрузку изделий.

Из уровня техники известна установка для нанесения тонкослойных покрытий (см. патент США №6488824, опубл. 03.12.2002), содержащая магнетронную распылительную систему (МРС), размещенную в герметизированной рабочей камере, систему вакуумирования, систему питания МРС, вакуумную систему и систему напуска газа в рабочую камеру. При этом МРС содержит два магнетрона, выполненных с возможностью вращения.

Недостатками известного устройства является отсутствие возможности обработки изделий с большими габаритными размерами и невозможность перемещения магнетронов в горизонтальной плоскости над изделием.

Кроме того, известно магнетронное распылительное устройство, описанное в патенте РФ №41023, опубл. 10.10.2004. Известное магнетронное распылительное устройство для нанесения многослойных покрытий на подложку имеет, по крайней мере, три мишени, расположенные вокруг центральной оси устройства и содержащие каждая, по крайней мере, по одному распыляемому материалу, а также магнитную систему. Мишени расположены так, что образуют призму, имеющую ось вращения, совпадающую с осью устройства. При этом распыляемые поверхности мишеней обращены наружу, а магнитная система расположена с обратной стороны мишеней.

Недостатками известного устройства является отсутствие возможности перемещения магнетронов в горизонтальной плоскости над изделием и нанесения равномерных покрытий на него.

Задачей настоящего изобретения является устранение вышеуказанных недостатков.

Технический результат настоящего изобретения заключается в обеспечении нанесения многослойных покрытий на изделия различных габаритных размеров, получении равномерного покрытия высокого качества, а также в уменьшении массогабаритных параметров устройства, что обеспечивает возможность ее использования в качестве модуля группы кластерной установки и возможности управляемого сканирующего перемещения магнетронов над изделием с изменяемой скоростью.

Технический результат обеспечивается тем, что устройство для нанесения многослойных покрытий на изделия, содержащее цилиндрическую рабочую камеру с магнетронной распылительной системой, систему питания магнетронной распылительной системы, вакуумную систему, систему напуска рабочего газа. При этом рабочая камера дополнительно содержит рабочий стол, выполненный с возможностью вращения вокруг своей оси и нагрева изделия, а магнетронная распылительная система включает по меньшей мере три магнетрона, установленных на рычагах, обеспечивающих поочередную возможность поворота в горизонтальной плоскости каждого магнетрона, снабженного индивидуальной заслонкой с приводом. Кроме того, устройство дополнительно содержит средство управления, осуществляющее по очередное изменение положения каждого магнетрона в горизонтальной плоскости с обеспечением сканирующего перемещения магнетрона к центру рабочей камеры и обратно и с возможностью корректировки скорости сканирующего перемещения.

В соответствии с частными случаями выполнения устройство может иметь следующие конструктивные особенности.

Устройство может дополнительно содержать источник ионов, установленный на рычаге, обеспечивающем возможность его поворота в горизонтальной плоскости с помощью средства управления, осуществляющего сканирующее перемещение источника ионов к центру рабочей камеры и обратно.

Устройство может дополнительно содержать четвертый магнетрон, установленный на рычаге, обеспечивающем возможность его поворота в горизонтальной плоскости с помощью средства управления.

Рабочий стол выполнен с возможностью изменения скорости его вращения. Сущность настоящего изобретения поясняется следующими иллюстрациями:

Фиг.1 изображает продольный разрез устройства. Фиг.2 изображает поперечный разрез устройства А-А. Устройство содержит следующие конструктивные элементы:

1 - магнетрон;

2 - рычаг магнетрона;

3 - заслонка;

4 - привод поворота рычага 2;

5 - стойка заслонки с приводом;

6 - изделие;

7 - стол;

8 - нижняя крышка камеры;

9 - патрубок высоковакуумной откачки;

10 - рабочая камера.

Устройство включает цилиндрическую рабочую камеру 10 диаметром 320 мм и вакуумную систему, которая служит для создания и поддержания рабочего давления в рабочей камере 10 установки через патрубок высоковакуумной откачки 9. Вакуумная система состоит из высоковакуумного насоса, системы трубопроводов, вакуумных задвижек, датчиков давления, приборов контроля давления. При использовании устройства в качестве модуля кластерной установки имеется шлюз для загрузки/ выгрузки изделия 6. При автономном использовании устройства загрузку изделия 6 осуществляют через нижнюю крышку 8. В рабочей камере 10 установлены магнетронная распылительная система. Кроме того, в рабочей камере предусмотрен стол 7 для размещения на нем обрабатываемого изделия 6, выполненный с возможностью вращения вокруг своей оси с помощью привода и нагрева изделия 6 с помощью встроенного нагревательного элемента. Кроме того, при использовании устройства в качестве модуля кластерной установки стол 7 снабжен иглами, обеспечивающими загрузку и выгрузку изделия 6 через шлюз. Скорость вращения рабочего стола 7 может корректироваться с помощью средства управления.

МРС в соответствии с частными случаями выполнения может состоять из четырех магнетронов 1, установленных каждый на рычагах 2 L-образной формы, либо может включать три магнетрона 1 и источник ионов, установленный также на рычаге 2 L-образной формы. Для защиты магнетронов 1 и источника ионов от нежелательного осаждения на них пленок, вызванных работой соседних магнетронов 1, в рабочей камере 10 для них предусматриваются индивидуальные заслонки 5 с приводами, установленные на стойках 5.

Устройство содержит средство управления, которое включает автоматизированное рабочее место, содержащее компьютер и устройство мнемоническокого отображения информации (монитор). При этом компьютер включает программно-аппаратный комплекс, обеспечивающий регулирование, скорости поворота рычагов 2 магнетронов 1 таким образом, чтобы осуществить сканирующее перемещение от периферии к центру рабочей камеры 10 с обеспечением нанесения равномерных покрытий на изделие 6. Кроме того, программно-аппаратный комплекс также обеспечивает регулирование скорости поворота рычагов 2 источника ионов таким образом, чтобы осуществить сканирующее перемещение от периферии к центру рабочей камеры 10 с обеспечением равномерного травления поверхности изделия 6. При этом скорость поворота рычагов 2 задается управляющей программой ЭВМ программно-аппаратного комплекса.

Работа устройства для нанесения многослойных покрытий на изделия в виде автономного устройства происходит следующим образом.

Через нижнюю крышку 8 в рабочей камере 10 на рабочем столе 7 размещают изделие 6, осуществляют вакуумирование рабочей камеры 10. Далее в нее подается рабочий газ, в частности Ar. Магнетроны 1 поочередно включают и производят их отпыливание на индивидуальные заслонки 5. Затем включают вращение рабочего стола 7 и включают нагрев рабочего стола 7, обеспечивающего нагрев изделия 6 (обычно до температуры около 300°С). Нагрев изделия 6 улучшает адгезию напыляемого материала. Температура нагрева может корректироваться в зависимости от напыляемого материала с помощью средства управления.

В случае наличия источника ионов, на него подается напряжение. Затем средство управление обеспечивает его сканирующее перемещение на рычаге 2 к центру цилиндрической рабочей камеры 10 и обратно, при этом осуществляется предварительная очистка изделия 6. Источник ионов включает блок излучения и блок подачи рабочего газа в камеру 10. На поверхности любого твердого тела существует слой, состоящий из различных загрязнений, адсорбированных молекул атмосферных газов, воды, продуктов реакций, образовавшихся при химическом взаимодействии с окружающей средой и т.д.

Далее заслонка 5 одного из магнетронов 1 открывается, и включается привод поворота рычага 2 этого магнетрона 1, который начинает сканирующее перемещение от периферии (от стенки) рабочей камеры 10 к ее центру и обратно, осуществляя напыление на изделие 6.

При этом установленные на рычагах 2 L-образной формы магнетроны 1 поочередно поворачиваются в горизонтальной плоскости от периферии рабочей камеры 10 в ее центральную часть над изделием 6 на угол по меньшей мере 45°. Магнетроны 1 осуществляют нанесение покрытий напылением и возвращаются в исходную позицию. Магнетроны 1 могут наносить покрытия из различающихся материалов, при этом число сканирующих перемещений для отдельных магнетронов 1 может отличаться. Рычаги 2 выполнены с приводами - сервоприводами, обеспечивающими поочередное перемещение каждого магнетрона 1 в автоматическом режиме и соединенными со средством управления.

В процессе нанесения покрытий корректируются скорость вращения рабочего стола и скорость сканирующего перемещения каждого магнетрона с помощью средства управления.

Работа устройства для нанесения многослойных покрытий на изделия в виде модуля кластерной установки происходит следующим образом.

Изделие 6 загружают через патрубок шлюза с помощью автоматической руки. Перед этим приводят три иглы на рабочем столе 7 в положение, обеспечивающее размещение изделия 6 над поверхностью рабочего стола 7. После загрузки включают привод, обеспечивающий перемещение игл, и изделие 6 размещают на поверхности стола 7. Осуществляют вакуумирование рабочей камеры 10. Далее в нее подается рабочий газ, в частности Ar. Магнетроны 1 поочередно включают и производят их отпыливание на индивидуальные заслонки 5. Затем включают вращение рабочего стола 7 и включают нагрев рабочего стола 7, обеспечивающего нагрев изделия 6 (обычно до температуры около 300°С). Температура нагрева также может корректироваться в зависимости от напыляемого материала с помощью средства управления.

В случае наличия источника ионов, на него подается напряжение. Затем средство управление обеспечивает его сканирующее перемещение на рычаге 2 к центру цилиндрической рабочей камеры 10 и обратно, при этом осуществляется предварительная очистка изделия 6.

Далее заслонка 5 одного из магнетронов 1 открывается, и включается привод поворота рычага 2 этого магнетрона 1, который начинает сканирующее перемещение от периферии (от стенки) рабочей камеры 10 к ее центру и обратно, осуществляя напыление на изделие 6.

При этом установленные на рычагах 2 L-образной формы магнетроны 1 поочередно поворачиваются в горизонтальной плоскости от периферии рабочей камеры 10 в ее центральную часть над изделием 6 на угол по меньшей мере 45°. Рычаги 2 также выполнены с приводами - сервоприводами, обеспечивающими поочередное перемещение каждого магнетрона 1 в автоматическом режиме и соединенными со средством управления.

В процессе нанесения покрытий корректируются скорость вращения рабочего стола и скорость сканирующего перемещения каждого магнетрона с помощью средства управления.

После нанесения многослойного покрытия изделие 6 поднимается над поверхностью рабочего стола 7 с помощью игл и выгружается с помощью руки, которая подводится под него. Выгрузку осуществляют через элемент шлюзовой системы - патрубок. Изделие 6 с многослойным покрытием может быть перемещено в следующий модуль кластерной установки.

Настоящее изобретение является универсальным, поскольку одновременно может использоваться в виде автономного устройства и модуля кластерной установки. Кроме того, устройство обеспечивает нанесение многослойных покрытий на изделия различных размеров. Имея диаметр цилиндрической рабочей камеры 320 мм, устройство обеспечивает формирование многослойного покрытия на изделие, размером до 200 мм. Также следует отметить, что устройство выполнено с возможностью гибких регулировок скоростей перемещения магнетронов и рабочего стола.

1. Устройство для нанесения многослойных покрытий на изделия, содержащее цилиндрическую рабочую камеру с магнетронной распылительной системой, систему питания магнетронной распылительной системы, вакуумную систему, систему напуска рабочего газа, отличающееся тем, что рабочая камера дополнительно содержит рабочий стол, выполненный с возможностью вращения вокруг своей оси и нагрева изделия, а магнетронная распылительная система включает, по меньшей мере, три магнетрона, установленных на рычагах, обеспечивающих поочередную возможность поворота в горизонтальной плоскости каждого магнетрона, снабженного индивидуальной заслонкой с приводом, устройство также дополнительно содержит средство управления, осуществляющее поочередное изменение положения каждого магнетрона в горизонтальной плоскости с обеспечением сканирующего перемещения магнетрона к центру рабочей камеры и обратно и с возможностью корректировки скорости сканирующего перемещения.

2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что оно дополнительно содержит источник ионов, установленный на рычаге, обеспечивающем возможность его поворота в горизонтальной плоскости с помощью средства управления, осуществляющего сканирующее перемещение источника ионов к центру рабочей камеры и обратно.

3. Устройство по п.1, отличающееся тем, что оно содержит четыре магнетрона, установленных на рычагах, обеспечивающих возможность их поворота в горизонтальной плоскости с помощью средств управления.

4. Устройство по любому из пп.1-3, отличающееся тем, что рабочий стол выполнен с возможностью изменения скорости его вращения.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к плазменной технике и может быть использовано для нанесения многослойных покрытий на поверхность изделий в виде тонких пленок. .

Изобретение относится к технологии повышения стойкости режущих инструментов за счет нанесения на их поверхность многокомпонентных износостойких покрытий. .

Изобретение относится к технологии получения многокомпонентных полупроводниковых материалов. .

Изобретение относится к вакуумно-дуговым устройствам для генерации плазмы и может быть использовано для нанесения различного рода металлических покрытий на поверхности изделий.

Изобретение относится к вакуумной технике, а именно к устройствам для вакуумного нанесения пленок с использованием электромагнитного излучения. .

Изобретение относится к способам получения электроизолирующих слоев вакуумным нанесением покрытия. .
Изобретение относится к области металлургии цветных металлов и может быть использовано при производстве распыляемых металлических мишеней для нанесения тонкопленочной металлизации различного назначения в микроэлектронике и других высоких технологиях.
Изобретение относится к области металлургического производства распыляемых металлических мишеней для микроэлектроники, а также к изготовлению интегральных схем и тонкопленочных конденсаторов на основе тантала и его сплавов.
Изобретение относится к области металлургии, в частности к способам производства распыляемых мишеней. .
Изобретение относится к области металлургии, в частности к способам производства распыляемых мишеней. .
Изобретение относится к области нанесения покрытий, в частности к каталитическим оксидным покрытиям, а также к электрохимическим производствам, и может быть использовано при изготовлении электродных материалов
Изобретение относится к обработке резанием в машиностроении, в частности к металлорежущему инструменту. Осуществляют осаждение первого слоя покрытия из тугоплавкого соединения, затем второго слоя покрытия из тугоплавкого соединения с размером зерен 40-60 нм, после чего проводят магнитно-импульсную обработку в течение 15-20 минут. Обеспечивается повышение степени сцепления покрытия с основой и трещиностойкости пластин. 1 табл.

Изобретение может быть использовано при обработке длинномерных изделий для модифицирования поверхности и нанесения функциональных покрытий с использованием технологий вакуумной ионно-плазменной обработки, ионной имплантации и нанесения покрытий. Цилиндрическая вакуумная камера (1) установки имеет загрузочную дверь (11), оснащенную фланцевыми соединениями для установки технологических модулей (4, 5, 6, 7, 8). Установка содержит систему подачи газов, откачную систему, источники питания и блок управления. Приспособление для размещения обрабатываемых изделий выполнено поворотным. В качестве технологических модулей установка содержит, по крайней мере, один протяженный вакуумно-дуговой генератор металлической плазмы, протяженный генератор газовой плазмы, среднечастотный дуальный магнетрон, источник ионов металлов, источник ионов газов, а также источник напряжения смещения, выполненный с возможностью обеспечения ионной имплантации и/или осаждения покрытий. Техническим результатом изобретения является обеспечение одновременной или последовательной комплексной поверхностной обработки, включающей очистку и активацию поверхности, нанесение различного вида функциональных многослойных покрытий, модифицирование поверхности металлической и газовой плазмой. 16 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл., 1 пр.

Прозрачное проводящее покрытие из оксида металла наносят на подложку путем распыления, по меньшей мере, одного компонента покрытия из оксида металла импульсным магнетронным методом и конденсирования его на подложке. Пиковая плотность мощности импульсов магнетрона составляет свыше 1,5 кВт/см2, длительность импульсов магнетрона составляет ≤200 мкс, а среднее увеличение плотности протекающего тока при воспламенении плазмы во временном интервале 0,025 мс составляет не менее 106 А/(мс·см2). Способ позволяет получить оптимальные свойства покрытия из оксида металла, в частности в отношении механической и химической стойкости, прочности и оптических свойств. 13 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к области магнетронного распыления материалов. Узел магнетронного распыления содержит распыляемую мишень и по меньшей мере одну плоскую магнитную систему. Плоская магнитная система установлена на водиле с приводом его вращения вокруг оси, перпендикулярной поверхности распыляемой мишени. По меньшей мере один носитель по меньшей мере одной плоской магнитной системы имеет привод его вращения вокруг дополнительной оси, параллельной оси вращения водила. По меньшей мере одна плоская магнитная система установлена на носителе магнитной системы со смещением относительно дополнительной оси. Скорости вращения магнитной системы вокруг первой и вокруг второй осей изменяют по заданной программе. В результате достигается равномерность распыления мишени, увеличение степени использования материала мишени и увеличение скорости распыления. 7 з.п. ф-лы, 3 ил.
Изобретение относится к модификации поверхностных свойств тканых и нетканых текстильных материалов методом магнетронного распыления и может быть использовано для изготовления материалов, обладающих электрической проводимостью и экранирующих электромагнитное излучение. Способ включает вакуумирование и нанесение тонкого металлического слоя методом магнетронного распыления на полимерную пленку, которую затем склеивают с текстильной тканью металлическим слоем вовнутрь или наружу, а вакуумирование полимерной пленки осуществляют до давления (1-10)×10-5 мм рт.ст. Обеспечиваются условия для создания на текстильном материале из любых нитей и волокон сплошного металлического слоя, обладающего электрической проводимостью и экранирующими свойствами. 3 табл., 3 пр.

Изобретение относится к способу транспортировки вакуумно-дуговой катодной плазмы с фильтрованием от макрочастиц и устройству для его осуществления. Плазменные потоки транспортируют в плазмооптической системе от электродугового испарителя к выходу источника плазмы под действием транспортирующего магнитного поля, создаваемого с использованием электромагнитных катушек. Магнитное поле имеет как постоянную составляющую, так и дополнительные изменяющиеся по напряженности составляющие. Напряженность каждого из дополнительных магнитных полей увеличивают при приближении плазменного потока к поверхности конструктивного элемента источника плазмы и уменьшают при его удалении от него. В устройстве источник питания (15) вакуумной дуги подключен к аноду (2) через обмотку (16) электромагнитной катушки, которая его охватывает. В прямолинейном варианте плазмооптической системы электропроводящий отрезок трубы (11) внутри анода (2) электрически соединен с одним концом обмотки (12), размещенной в нем, отклоняющей электромагнитной катушки. Второй конец этой обмотки соединен с положительным полюсом источника питания (15) вакуумной дуги. В плазмоводе на плазменный поток действуют дополнительным магнитным полем, генерируемым с помощью дополнительной электромагнитной катушки, охватывающей плазмовод. При использовании способа и устройства значительно уменьшаются потери плазмы, очищенной от макрочастиц. 2 н. и 11 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к космической технике и касается создания терморегулирующего материала для нанесения на поверхность космического объекта (КО). Терморегулирующий материал содержит подложку в виде оптически прозрачного стекла, высокоотражающий слой из серебра, защитный слой. Высокоотражающий слой из серебра имеет толщину 0,10÷0,15 мкм. В качестве защитного слоя использована нержавеющая сталь толщиной 0,10÷0,20 мкм. На защитный слой нанесен эпоксидный лак толщиной 20÷30 мкм. Перед нанесением на подложку высокоотражающего слоя из серебра осуществляют химическую очистку подложки с одновременным ультразвуковым воздействием в течение 3-х минут. Затем подложку вынимают из раствора, промывают последовательно теплой, холодной, дистиллированной водой по 1-1,5 мин и сушат на воздухе. Поверхность обрабатывают тлеющим разрядом для дополнительной очистки и активации поверхности подложки. Затем последовательно осуществляют нанесение высокоотражающего слоя и защитного слоя в вакуумной камере методом магнетронного распыления без разгерметизации вакуумной камеры за один технологический цикл, располагая подложку последовательно под магнетронными источниками с мишенью из серебра и мишенью из нержавеющей стали. На подложку с высокоотражающим слоем и защитным слоем наносят слой эпоксидного лака толщиной 20÷30 мкм для дополнительной защиты от атмосферной коррозии и для увеличения адгезии подложек с покрытием к клеевой композиции. Во время крепления терморегулирующего материала приклеивание материала клеевой композицией с электропроводящим наполнителем осуществляется при помощи грузов. В качестве электропроводящего наполнителя использована алюминиевая или серебряная пудра в количестве 20±5% и 10±5% соответственно, обеспечивающая необходимые электропроводящие свойства поверхности терморегулирующего материала. Достигается улучшение терморадиационных характеристик материала, повышение технологичности нанесения покрытия, повышение значения адгезии крепления подложек с покрытием к поверхности корпуса КО. 3 н.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к нанесению покрытий в вакууме и может быть использовано для нанесения пленок в крупногабаритных изделиях остекления самолетов. Устройство для ионно-плазменного нанесения многокомпонентных пленок в вакууме содержит рабочую камеру, в которой размещены анод, катод с мишенью, расположенной на основании, магнитная система, установленная с нерабочей стороны мишени, средство охлаждения мишени и подложкодержатель с изделием. Устройство дополнительно снабжено двумя экранирующими элементами, расположенными над боковыми рабочими сторонами мишени, установленными с возможностью регулирования их положения относительно мишени, при этом подложкодержатель с изделием установлен на корпусе камеры с возможностью вращения вокруг мишени, а аноды, основание и подложкодержатель электрически изолированы от корпуса камеры и друг от друга. Обеспечивается равномерность покрытий по оптической толщине. 1 ил.

Изобретение относится к области машиностроения. Способ получения защитного металлического покрытия на поверхности изделия из алюминия и сплавов на его основе включает размещение изделия в зоне обработки, создание вакуума в зоне обработки, очистку поверхности пучком ионов и осаждение металлического покрытия с одновременной подачей на изделие отрицательного напряжения смещения. Очистку поверхности осуществляют пучком ионов инертного газа с энергией в диапазоне 1-5 кэВ. Осаждение покрытия осуществляют в два этапа. Вначале на поверхность осаждают промежуточный слой покрытия из меди толщиной от 0,5 мкм до 3 мкм в магнетронном разряде постоянного тока, горящем в среде инертного газа, с твердым катодом из меди при мощности разряда 1-2,5 кВт. Затем расплавляют катод из меди при мощности разряда 3-6 кВт с повышением температуры катода до величины, обеспечивающей достаточное давление паров меди для поддержания магнетронного разряда, прекращают подачу инертного газа и осаждают основной слой покрытия из меди толщиной 2-10 мкм в магнетронном разряде, горящем в парах меди. Слои покрытия осаждают при отрицательном напряжении смещения на изделии до 300 В и температуре поверхности 100-300°C. Обеспечивается защита изделий из алюминия и сплавов на его основе от коррозии в водных растворах щелочей. 1 ил., 1 пр.
Наверх