Устройство для измерения среднего значения

Авторы патента:

Б. С. Самойлов, В. Э. Осмоловский, В. П. Скрипников , М. Е.

G01R31/26 - испытание отдельных полупроводниковых приборов (измерение содержания примесей G01N)

262276

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства № 218323

Заявлено 19.XI.1968 (№ 1283494/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 261.1970. Бюллетень № 6

Дата опубликования описания 12.XI.1970

Кл, 21@, 11/02

МПК Н 01l

УДК 621.382.2:621.317. .799 (088.8) Комитет по аелам изобретений и открытий при Совете тйинистрое

СССР

Авторы изобретения Б. С. Самойлов, В. Э. Осмоловский, В. П. Скрипников и М. Е. Р

3 аявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ СРЕДНЕГО ЗНАЧЕНИЯ

ОБРАТНОГО ТОКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ

ПРИ ДИНАМИЧЕСКИХ ИЗМЕРЕНИЯХ

Изобретение относится к области измерительной техники и предназначено для измерения среднего значения обратного тока полупроводниковых диодов при динамических измерениях.

Известно устройство для измерения среднего значения обратного тока полупроводниковых диодов по авт. св. № 218323, основанное на заряде-разряде интегрирующего конденсатора, напряжение, до которого заряжается конденсатор за весь полупериод обратного напряжения, пропорционально среднему значению обратного тока испытуемого диода где U вЂ” амплитуда обратного напряжения;

R вЂ” обратное сопротивление испытуемого диода.

Известное устройство имеет низкую точность интегрирования, зависящую от величины напряжения на конденсаторе.

С целью измерения среднего значения обратного тока полупроводниковых диодов за счет увеличения точности интегрирования, заряд конденсатора обратным током испытуемоro диода производится до середины полупериода обратного напряжения, тогда прочность иптегрирования выше, чем в конце полупериода, а разряд конденсатора, происходящий в конце полупериода, не влияет на точность измерения.

Это достигается использованием фазосдвигающей цепочки, что обеспечивает разряд интегрирующего конденсатора в момент максиN мума синусоиды обратного напряжения.

На чертеже изображена схема интегратора обратного тока полупроводниковых диодов.

Блок 1 задания режима устанавливает режим динамических испытаний: ток синусои15 дальной формы через испытуемый диод 2 для прямого направления и напряжение синусоидальной формы для обратного направления.

Разделение цепей прямого и обратного токов осуществляется с помощью диодного переклю20 чателя 8.

Когда к прямому диоду 2 прикладывается обратное напряжение, то протекающий через него обратный ток заряжает конденсатор 4 до напряжения, пропорционального среднему

25 значению обратного тока.

В полупериод прямого тока, напряжение, подаваемое из блока 1 задания режима, выводит стабилитроны 5 в область стабилизации через сопротивление б. Конденсатор 4 разрязо жается. через стабилитроны 5 по напряжения, 262276 равного разности напряжений стабилизации стабилитронов 5 (до нуля при равенстве этих напряжений).

Измерение напряжения У„до которого заряжается конденсатор 4 за полупериод обратного напряжения, производится измерительным устройством 7 в начале полупериода прямого тока. (то приводит к погрешности интегрирования, связанной с наличием напряжения на конденсаторе 4, а также погрешности, Т0 обусловленной разрядом конденсатора с момента равенства U,(„„(вЂ” U, до момента окончания полупериода обратного напряжения.

Предмет изобретения

Напряжение, подаваемое на сопротивление г.

6, сдвигается по фазе на угол ср= вЂ” огноси2 тельно напряжения, подаваемого на испытуемый диод.2. В результате конденсатор 4 разряжается в середине полупериода обратного 20 напряжения. При этом погрешность, обусловСоставитель 3. С. Челнокова

Техред 3. Н. Тараненко Корректор В. И. Жолудева

Редактор Э. Рубан

Заказ 3285/2 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, М(-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

I (1

1 ленная разрядом конденсатора, происходящим в конце полупериода, исключается, а погрешность, связанная с неидеальным интегрированием из-за наличия напряжения на конденсаторе, уменьшается.

Описываемое устройство позволит классифицировать полупроводниковые диоды на группы по среднему знач нию обратного тока при динамических испытаниях в условиях серийного производства на предприятиях, выпускающих полупроводниковые приборы.

Устройство для измерения среднего значения обратного тока полупроводниковых диодов при динамических измерениях по авт. св. № 218323, отлича(ощееся тем, что, с целью повышения точности измерения, между источником синусоидального напряжения и сопротивлением включена фазосдвигающая цепь

Способ определения резонансных частот // 258462

Патент 251094 // 251094

Патент 248848 // 248848

Устройство для измерения параметров р—п-перехода // 244511

Импульсный мост для измерения электрических параметров р-п- перехода // 244503

Устройство для классификации полупроводниковых вентилей по величине обратного пробивногонапряжения // 241547

Устройство для измерения времени запираниятиристоров // 240533

Способ контроля качества изготовления элементов внутреннего люнгажа полупрозодниковьгх приборов // 238671

Патент 236671 // 236671

Способ измерения падения напряжения на полупроводнике в мдпдм-структуре и устройство для его осуществления // 2101720

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Способ контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления элементов с вольтамперной характеристикой s-типа и устройство для его осуществления // 2105989

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Устройство для определения качества изготовления тиристоров // 2112989

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2112990

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Способ определения поверхностного изгиба зон полупроводника s в мдп-структуре // 2117956

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349

Устройство для контроля светодиодов // 2130617

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Устройство диагностирования тиристорного преобразователя // 2133042

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим