Автоклав для выращивания кристаллов в гидротермальных условиях

 

262857

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт, свидетельства №вЂ”

Заявлено 07.1,1969. (№ 1291380/23-26) с присоединением заявки ¹â€”

Приоритет—

Опубликовано 04. II.1970. Бюллетень № 7

Дата опубликования описания 2.IX.1970

Кл. 12g, 17/00

Комитат ив делам изобретениЯ и открытий ори Совете Министров

СССР

МПК В 01j

УДК 548.55 (088.8) ! ...ч

А. Н. Лобачев, Н. К), Икорникова, А, P. Васенин и E. М. Сабуренков

Авторы изобретения

Институт кристаллографии АН СССР и Специальное конструкторское бюро института кристаллографии АН СССР

Заявители

АВТОКЛАВ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ

В ГИДРОТЕРМАЛЬНЫХ УСЛОВИЯХ

Предмет изобретения

Изобретение относится к устройствам для выращивания кристаллов в гидротермальных условиях, а также для различных исследований, проводимых при |высокой температуре и давлении, требующих визуального наблюдения.

Известен автоклав для выращивания кристаллов в гидротермальных условиях, содержащий размещенные в корпусе кристаллизационный вкладыш, газовую камеру, нагревательный элемент, а также систему терморегулирования. В таких устройствах невозможно наблюдать за ростом кристалла в процессе выращивания.

В предложенном автоклаве кристаллизационный вкладыш .сна бжен сильфоном, изолирующим газовую камеру и окна автоклава от паров раствора, что поз воляет наблюдать за ростом кристалла,в процессе его выра щивания.

На чертеже изсбражен предложенный автоклав (разрез) и разрез по А — А.

В многослойном корпусе il автоклава размещены кристаллизационный вкладыш 2, снабженный фторпластствым силыфоном 8, газовая камера 4 и нагревательный элемент 5. Автоклав снабжен блоком терморегулирования 6.

В средней части автоклава расположены три окна 7, 8, 9, два напротив одно другого, третье под углом 90 к первым. Для регистрирования процесса, идущего |в автоклаве, используют блок киносьемки 10, состоящий, например, из кинокамеры «Красногорск» с тремя смешанными объективами и цинтро фера, регулирую5 щего скорость съемки.

Автоклав работает следующим образом.

В кристаллизационный вкладыш 2 загружагот исходную шихту, затем на уровне, сооТветствующем высоте окна 7, подвешивают

10 монокристаллическую затравку. Кристаллизационный вкладыш заливают раствором, закрывают сильфоном 8 и помещают в автоклав.

Автоклав закрывают и наполняют инертным газом от баллона. После отключения баллона

15 а втоклав нагревают до заданного температурноро режима. При этом,в газовой камере 4 повышается давление инертного газа, а в кристаллизационном вкладыше 2 происходиг термическое расширение раствора и над ним пo20 вышается давление насыщенного пара. Давление IB газовой камере и,в кристаллизационном вкладыше выравнивается благодаря наличию сильфона 8, а газовая камера 4 и окна 7, 8 и 9 полностью изолируются от паров раствора кристаллизационного вкладыша.

Автоклав для выращивания кристаллов в

30 гидротермальных условиях, состоящий из Kop262857

Составитель T. Н. Кузьмина

Редактор Л. К. Ушакова Тсхред T. П. Курилко Корректор Е. В. Фомина

Заказ 364 Тираж 480 Подписное

1ЛНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Сс вете Министров СССР

Москва, Раушская наб., д, 4, 5.

Типография Ма 24 Главполиграфпрома, Москва, Г-19, ул, Маркса — Энгельса, 14. пуса, кристаллизационного вкладыша, газовой камеры, нагревательного элемента и системы терморегулирования, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности наблюдения за ростом кристалла в процессе выращивания, кристаллизационный вкладыш снабжен сильфоном, изолирующим газовую камеру и окна автоклава от паров раствора,

Автоклав для выращивания кристаллов в гидротермальных условиях Автоклав для выращивания кристаллов в гидротермальных условиях 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к гидротермальному способу получения монокристаллов твердых растворов на основе сегнетоэлектрического соединения ортотанталата сурьмы Sb(SbxTa1-x)O4 (x=0,25 моль) и может быть использовано в пироэлектрической, пьезоэлектрической области, а также в химической технологии для создания родственных композиционных материалов

Изобретение относится к гидротермальному способу получения монокристаллов твердых растворов (Sb1-xBix)NbO4 (x = 0,4 моль) и может быть использовано в пьезоэлектрической, пироэлектрической области, а также в химической технологии для создания композиционных материалов различного назначения

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов, в частности к способам получения синтетических монокристаллов кварца гидротермальным методом на затравку

Изобретение относится к способам получения кристаллических люминофоров

Изобретение относится к гидротермальным способам получения монокристаллов цитрина с различными оттенками, используемых в качестве полудрагоценных камней в ювелирной промышленности

Изобретение относится к синтезу неорганических металлов и используется для получения шихты для выращивания монокристаллов ИАГ, применяемых в качестве активных сред в твердотельных лазерах, а такие при изготовлении высокотемпературной керамики

Изобретение относится к технологии получения окрашенных кристаллов кварца и может быть использовано в ювелирной промышленности
Наверх