Способ выращивания монокристаллов флюорита

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

I69063

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

И АВТОРСИОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 12с, 2

Заявлено 06.111.1962 (М 767781/22-2) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Государственный комитет по делам изобРетений и открытий СССР

МПК В 016

УДК 66.065.52: 553.634.12 (088.8) Опубликовано 11.111.1965. Бюллетень № 6

Дата опубликования описания 20.III,1965

" ;" p

И. Н. Аникии, В. П. Бутузов и А. Д. Шушканов

1 1 7:.: 4 ТГ.: 1 !40 1 : С1 *в

Авторы изобретения

Заявитель

Фг

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ

ФЛЮОРИТА

Предмет изобретения

Подписная группа Лв 89

Известен способ выращивания монокристаллов флюорита кристаллизацией из расплава в вакууме при высокой температуре.

Описываемый способ отличается от известного тем, что монокристаллы флюорита выращивают на затравку флюорита путем перекристаллизации исходного флюорита в гидротермальных условиях в автоклаве при 450—

480 С и давлении около 200 атл с использованием в качестве растворителя водного 45—

50>/О-ного раствора хлористого лития. При применении такого способа упрощается технологическая схема получения флюорита и примеси равномерно распределяются в монокристаллах.

Сущность изобретения состоит в том, что шихту, приготовленную из природных прозрачных кристаллов фл|оорита, предварительно раздробленных до нужного размера, помеШают в нижней, более горячей части аптоклава с платиновой футеровкой. Флюорит растворяется в автоклаве водным 45 — 500/рным раствором хлористого лития.

Выращивание кристаллов проводят при

450 — 480 С с перепадом температур между зоной растворения и зоной роста в пределах от нескольких до 10 — 15" в зависимости от длины автоклава. В качестве затравок используют пластины и шары, вырезанные из

5 прозрачных кристаллов природного флюорита. Выращивание проводят в автоклаве при давлении около 200 атм.

Получаемые кристаллы не имеют внутренних напряжений и не требуют последующего

10 обжига, структура их более совершенна.

15 Способ выращивания монокристаллов флюорита, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологической схемы и получения монокристаллов с равномерным распределением примесей, монокристаллы выращивают

20 на затравку флюорита путем перекристаллизации исходного флюорита в гидротермальных условиях в автоклаве при 450 — 480 С и давлении около 200 атм с использованием и качестве растворителя водного 45 — 50>/„-ного

25 раствора хлористого лития.

Способ выращивания монокристаллов флюорита 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области выращивания активированных монокристаллов и может быть использовано при производстве сцинтилляторов, применяемых в приборостроении для ядерных, космических, геофизических исследований, для медицинской и промышленной компьютерной томографии

Изобретение относится к технологии изготовления изделий из моно- или поликристаллов, используемых в ядерной и космической технике, медицинской диагностике и других областях науки и техники для регистрации ионизирующих излучений
Изобретение относится к области неорганической химии, а именно синтезу широкого класса высокочистых материалов, применяемых в лазерной и инфракрасной технике, а также в волоконной оптике и спецтехнике

Изобретение относится к материалам для лазерной техники
Изобретение относится к области изготовления оптических элементов и может быть использовано в инфракрасной технике
Изобретение относится к обработке композиции, содержащей галогенид редкоземельного элемента, особенно в контексте роста кристаллов из указанной композиции

Изобретение относится к выращиванию из расплава монокристаллов галогенидов, а именно иодида натрия или цезия, в температурном градиенте и с использованием нагревательного элемента, погруженного в расплав

Изобретение относится к гидротермальному способу получения монокристаллов твердых растворов на основе сегнетоэлектрического соединения ортотанталата сурьмы Sb(SbxTa1-x)O4 (x=0,25 моль) и может быть использовано в пироэлектрической, пьезоэлектрической области, а также в химической технологии для создания родственных композиционных материалов

Изобретение относится к гидротермальному способу получения монокристаллов твердых растворов (Sb1-xBix)NbO4 (x = 0,4 моль) и может быть использовано в пьезоэлектрической, пироэлектрической области, а также в химической технологии для создания композиционных материалов различного назначения

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов, в частности к способам получения синтетических монокристаллов кварца гидротермальным методом на затравку

Изобретение относится к способам получения кристаллических люминофоров
Наверх