Всесоюзная i1!ата1т1^!3-т?хшне':нд|| виблиотен?ч i

Авторы патента:

C30B7/10 - применением давления, например гидротермическими способами

C30B29/12 - галогениды

ОПИСАНИЕ l5I297

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Респуолик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 30.111.1962 (№ 771544/23-4) М, Кл. В 01) 17/00 с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 23.V111.1972, Бюллетень № 25

Дата опубликования описания 19.IX.1972

Комитет по делам наойретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК

Авторы изобретения

И. Н, Аникии и А. Д. Шушканов

Заявитель

СПОСОБ ОБЕСЦВЕЧИВАНИЕ ПРИРОДНЫХ ОКРАШЕННЫХ

КРИСТАЛЛОВ ФЛЮОРИТА

Известен способ обссцвечивàHèÿ природHûõ кристаллов нагреванием их до высоких температур.

При этом способе происходит растрескивание кристаллов, особенно природных, под действием высоких температур, что приводит к большому браку и малому выходу деловых оптических кристаллов.

Предлагаемый способ, в отличие от известного, производится в условиях, предотвращающих растрескивание кристаллов флюорита при 450 С н выше, для чего нагревание ведут в высококонцентрированных растворах электролитов под давлением до 350 ат.ч.

Обесцвечивание проводится в стальных автоклавах, применяемых для синтеза кристаллов гидротермальным способом в растворе хорошо растворимого электролита (хлористого лития, хлористого кальция, борной кислоты) под давлением 250 вЂ” 350 атм.

g(Автоклав заполняется электролитом до 70вЂ”

85% своего объема. Нагрев до температуры

450 С производится плавно в течение 1,5вЂ”

2,5 суток, после чего следует непродолжительная вгядсржка и стабилизация режима (6 вЂ” 12 час), затем нагреватели отключают, и автоклав остывает до комнатной температуры, По предлагаемому способу были обесцвече10 ны разноокрашенные (темно-фиолетовые, зеленые, голубые, розовые) кристаллы флюорита практически без потерь на растрескивание.

Предмет изобретения

15 Способ обесцвечиванпя природных окрашенных кристаллов флюорита нагреванием до высоких температур, отличаюсцис7ся тем, что, с целью предотвращения растрескивания обесцвечиваемых кристаллов, нагревание их про20 изводят в высококонцентрированных растворах электролитов под давлением до 350 ат.н.

Всесоюзная i1!ата1т1^!3-т?хшне:нд|| виблиотен?ч i

Патент 149395 // 149395

Способ получения монокристаллических щелочно-галоидных фосфоров // 108078

Сцинтилляционный материал на основе йодида цезия и способ его получения // 2138585

Изобретение относится к области выращивания активированных монокристаллов и может быть использовано при производстве сцинтилляторов, применяемых в приборостроении для ядерных, космических, геофизических исследований, для медицинской и промышленной компьютерной томографии

Способ создания рабочей среды для твердотельных перестраиваемых лазеров // 2146726

Способ создания лазерно-активных центров окраски // 2146727

Способ изготовления изделий из оптических и сцинтилляционных материалов // 2151828

Изобретение относится к технологии изготовления изделий из моно- или поликристаллов, используемых в ядерной и космической технике, медицинской диагностике и других областях науки и техники для регистрации ионизирующих излучений

Способ получения высокочистых веществ // 2160795

Изобретение относится к области неорганической химии, а именно синтезу широкого класса высокочистых материалов, применяемых в лазерной и инфракрасной технике, а также в волоконной оптике и спецтехнике

Монокристаллический лазерный материал // 2190704

Изобретение относится к материалам для лазерной техники

Способ получения кристаллов с дефектами на основе твердых растворов галогенидов металлов // 2287620

Способ полировки кристаллов хлорида серебра // 2311499

Изобретение относится к области изготовления оптических элементов и может быть использовано в инфракрасной технике

Способ обработки хлорида или бромида, или йодида редкоземельного металла в углеродсодержащем тигле // 2324021

Изобретение относится к обработке композиции, содержащей галогенид редкоземельного элемента, особенно в контексте роста кристаллов из указанной композиции

Способ выращивания монокристаллов-сцинтилляторов на основе иодида натрия или цезия и устройство для его реализации // 2338815

Изобретение относится к выращиванию из расплава монокристаллов галогенидов, а именно иодида натрия или цезия, в температурном градиенте и с использованием нагревательного элемента, погруженного в расплав

Способ получения монокристаллов твердых растворов ортотанталата сурьмы // 2109856

Изобретение относится к гидротермальному способу получения монокристаллов твердых растворов на основе сегнетоэлектрического соединения ортотанталата сурьмы Sb(SbxTa1-x)O4 (x=0,25 моль) и может быть использовано в пироэлектрической, пьезоэлектрической области, а также в химической технологии для создания родственных композиционных материалов

Способ получения монокристаллов твердых растворов на основе ортониобата сурьмы // 2113556

Изобретение относится к гидротермальному способу получения монокристаллов твердых растворов (Sb1-xBix)NbO4 (x = 0,4 моль) и может быть использовано в пьезоэлектрической, пироэлектрической области, а также в химической технологии для создания композиционных материалов различного назначения

Способ обработки поделочных камней группы халцедона // 2119977

Способ получения синтетических монокристаллов кварца // 2120502

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов, в частности к способам получения синтетических монокристаллов кварца гидротермальным методом на затравку

Способ получения сцинтилляционного материала // 2126062

Изобретение относится к способам получения кристаллических люминофоров

Способ получения синтетического опала // 2132414

Способ получения цитрина // 2136790

Изобретение относится к гидротермальным способам получения монокристаллов цитрина с различными оттенками, используемых в качестве полудрагоценных камней в ювелирной промышленности

Способ получения мелкокристаллического нелегированного и легированного иттрий-алюминиевого граната // 2137867

Изобретение относится к синтезу неорганических металлов и используется для получения шихты для выращивания монокристаллов ИАГ, применяемых в качестве активных сред в твердотельных лазерах, а такие при изготовлении высокотемпературной керамики