Способ получения покрытия из карбидакремния

Авторы патента:

C04B41/85 - неорганическими веществами

C04B35/54 - Формованные керамические изделия, характеризуемые их составом (пористые изделия C04B 38/00; изделия, характеризуемые особой формой, см. в соответствующих классах, например облицовка для разливочных и плавильных ковшей, чаш и т.п. B22D 41/02); керамические составы (содержащие свободный металл, связанный с карбидами, алмазом, оксидами, боридами, нитридами, силицидами, например керметы или другие соединения металлов, например оксинитриды или сульфиды, кроме макроскопических армирующих агентов C22C); обработка порошков неорганических соединений перед производством керамических изделий (химические способы производства порошков неорганических соединений C01)

268969

О П И С А Н И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Респуйлин

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл, 80Ь, Я/11

12i, 31/36

Заявлено 2?.XII.1968 (№ 1294501/29-33) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 10.1Ч.1970. Бюллетень № 14

Дата опубликования описания 8Л П.1970

МПК С 04Ь

С Olb

УДК 666.764.5 (088.8) Комитет по делам иаооретвиий и открытий при Совете Министров

СССР

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОКРЫТИЯ И3 КАРБИДА

КРЕМНИЯ

Изобретение относится к способам реставрации изделий из графита с защитным покрытием из карбида кремния.

Известен способ получения покрытия на графитовых изделиях путем пропитки парогазовой смесью, содержащей соединения углерода и кремния.

Цель изобретения вЂ” реставрация графитовых пьедесталов,,используемых при получении полупроводниковых эпитахсиальных структур.

Достигается это тем, что изделие подвергают обработке в течение 30 вЂ” 40 мин при температуре 1 450 вЂ 500 С .парогазовой смесью теграхлорида кремния и водорода с последующей обработкой хлористым водородом в течение 10 вЂ” 15 мин.

Предложенный способ осуществляют следующим образом: графитовый пьедестал при наличии на нем полукристаллического кремния нагревают в атмосфере водорода до температуры 1200 С и обрабатывают хлористым водородом. Концентрация хлористого водорода в водороде 7 вЂ” 10 об.%. Время обработки в зависимости от толщины слоя поликристаллического кремния составляет 15 вЂ” 30 мин.

После этого температуру пьедестала поднимают до 1450 С и в реакционное пространство подают парогазовую смесь четыреххлористого кремния и водорода, концентрация четыреххлористого кремния в водороде составляет

1 2 10 < ммоолльь, средняя скорость роста карбида кремния составляет 0,2 мк/пан. Через

30 вЂ” 40 лтин подачу паров тетрахлорида кремния прекращают, а затем при той же температуре в реактор подают хлористый водород для удаления свободного кремния с поверхности покрытия. Концентрация хлористого водорода в водороде составляет 7 вЂ” 10 об.

10 время обработки 10 вЂ” 15 мин.

Охлаждение пьедестала до комнатной температуры производят в атмосфере водорода.

Предложенный способ позволяет сохранить толщину, рельеф и качество имевшегося ра15 нее карбидного покрытия, получить новое карбидное покрытие только на поверхности оголенных мест пьедестала и увеличить срок службы пьедестала в 1,5 вЂ” 2 раза.

Предмет изобретения

Способ получения покрытия из карбида кремния на графите путем пропитки последнего кремнием, отличающийся тем, что, с целью реставрации графитовых пьедесталов, 25 используемых при получении полупроводниковых эпитаксиальных структур, .изделие подвергают обработке в течение 30 вЂ” 40 л ин при температуре 1 450 вЂ 500 С парогазовой смесью тетрахлорида кремния и водорода с по30 следующей обработкой хлористым водородом в течение 10 вЂ” 15 лтин.