Способ изготовления полупроводникового прибора



Способ изготовления полупроводникового прибора
Способ изготовления полупроводникового прибора

 


Владельцы патента RU 2610055:

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Чеченский государственный университет (ФГБОУ ВО Чеченский государственный университет) (RU)

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления приборов с пониженным контактным сопротивлением. В способе изготовления полупроводниковых приборов контакты к n+-областям истока/стока формируют нанесением пленки W реакцией восстановления гексафторида вольфрама WF6 газообразным Н2, при парциальном давлении Н2 133 Па, температуре 300°С, с разбавлением поступающей в реактор смеси водородом в соотношении (Н2 : WF6>200:1), со скоростью роста пленки W 8-10 нм/мин, с последующим введением на границу радела W/n+ Si углерода с концентрацией 1013 см-3 и отжигом при температуре 450°С в течение 15 мин. Введение углерода на границу раздела W/n+ Si предотвращает диффузию Si в W. Углерод забивает межзеренные границы в W и препятствует тем самым диффузии Si в W. Технически результатом изобретения является снижение контактного сопротивления, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов. 1 табл.

 

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления приборов с пониженным контактным сопротивлением.

Известен способ изготовления прибора [Пат. 5323053 США, МКИ H01L 29/48] с улучшенными характеристиками контактов к областям стока/истока. В n+-областях стока/истока в p-Si (100) - подложке вытравливаются V-канавки, на (111) - стенках которых выращиваются эпитаксиальные слои силицида иттрия толщиной 50 нм. Эти слои с малой высотой барьеров Шоттки. В таких приборах из-за нетехнологичности процесса формирования силицида иттрия ухудшаются характеристики приборов и повышаются токи утечки.

Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Пат. 5296387 США, МКИ H01L 21/265] с уменьшенным контактным сопротивлением, отличающийся тем, что перед формированием областей стока и истока во вскрытые окна проводится имплантация Ge с последующим влажным окислением. Способность к сегрегации германия между Si и SiO2 с образованием слоя чистого Ge используют для формирования приконтактных областей с низкими сопротивлениями.

Недостатками этого способа являются:

- повышенные значения контактного сопротивления;

- низкая технологичность;

- высокая дефектность.

Задачи, решаемые изобретением: снижение контактного сопротивления, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.

Задача решается формированием пленок W реакцией восстановления гексафторида вольфрама WF6 в газообразном Н2 при парциальном давлении Н2 133 Па, температуре 300°С, скорости роста пленки 8-10 нм/мин, с разбавлением поступающей в реактор смеси водородом (Н2 : WF6>200:1), с последующим введением на границу раздела W/n+ Si углерода с концентрацией 1013 см-3 с последующим отжигом при температуре 450°С в течение 15 мин.

Технология способа состоит в следующем: на n+-слои областей истока/стока, сформированные на Si-подложке, формировали пленку W реакцией восстановления гексафторида вольфрама WF6 газообразным Н2, при парциальном давлении Н2 133 Па, температуре 300°С, с разбавлением поступающей в реактор смеси водородом в соотношении (Н2 : WF6>200:1), со скоростью роста пленки W 8-10 нм/мин. Затем вводили на границу радела W/n+ Si углерод с концентрацией 1013 см-3, с последующим отжигом при температуре 450°С в течение 15 мин. Введение углерода на границу раздела W/n+ Si предотвращает диффузию Si в W. Углерод забивает межзеренные границы в W и препятствует тем самым диффузии Si в W. Затем наносится слой Al по стандартной технологии.

По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Результаты обработки представлены в таблице.

Экспериментальные исследования показали, что выход годных полупроводниковых структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 22,6%.

Технический результат: снижение контактного сопротивления, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов. Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.

Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем формированием пленок W реакцией восстановления гексафторида вольфрама WF6 в газообразном Н2 при парциальном давлении Н2 133 Па, температуре 300°С, скорости роста пленки 8-10 нм/мин, с разбавлением поступающей в реактор смеси водородом (Н2 : WF6>200:1), с последующим введением на границу раздела W/n+ Si углерода с концентрацией 1013 см-3 и отжигом при температуре 450°С в течение 15 мин, позволяет повысить процент выхода годных и улучшить их надежность.

Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий процессы создания активных областей прибора, подзатворного диэлектрика, формирование контактов, отличающийся тем, что контакты к n+-областям истока/стока формируют нанесением пленки W реакцией восстановления гексафторида вольфрама WF6 газообразным Н2, при давлении 133 Па, температуре 300°С, с разбавлением поступающей в реактор смеси водородом в соотношении (Н2:WF6>200:1), со скоростью роста пленки W 8-10 нм/мин, с последующим введением на границу раздела W/n+ Si углерода с концентрацией 1013 см-3 и отжигом при температуре 450°С в течение - 15 мин.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области электронной техники и описывает возможность получения дырочной проводимости аморфной оксидной пленки на поверхности металлического стекла системы Ni-Nb путем искусственного оксидирования.

Изобретение относиться к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления контактов полупроводникового прибора.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления контактно-барьерной металлизации прибора.

Изобретение относится к области технологии микроэлектроники и наноэлектроники, а именно к технологии формирования упорядоченных наноструктур на поверхности твердого тела, и может быть использовано для создания проводников, длина которых на несколько порядков превышает его диаметр (нанопроволоки).

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов из кремния, в частности к изготовлению фотопреобразователей. .

Изобретение относится к полупроводниковой микро- и наноэлектронике и может быть использовано в производстве интегральных схем, при формировании электродов в транзисторах и обкладок конденсаторов, при формировании контактов и проводящих областей на поверхности кремния, в качестве проводящих, термостабильных и барьерных слоев в системах металлизации.

Изобретение относится к технологии изготовления световых устройств, имеющих структуры с квантовыми ямами, и к процессам перемешивания квантовых ям, используемым для регулируемого изменения запрещенной зоны в квантовой яме в предварительно определенных областях структуры.

Изобретение относится к технологии нанесения с помощью плазмы полимерных покрытий (тонких пленок) на поверхность предметов различного назначения, изготовленных из различных материалов, и может быть использовано в микроэлектронике для нанесения резистных, пассивирующих и диэлектрических слоев, в медицинской промышленности для нанесения антикоррозионных защитных покрытий на хирургические инструменты и медицинское оборудование, с той же целью в производстве химической посуды, в текстильной промышленности для придания волокнам или готовым тканям гидрофобных свойств путем нанесения на их поверхность тонкого слоя полимера и в других областях.

Изобретение относится к электронной технике, к технологии селективного осаждения вольфрама, и может быть использовано в производстве сверхбольших интегральных схем.

Изобретение относится к технологии формирования омических контактов к гетероструктурам AlGaN/GaN и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов, в частности полевых транзисторов СВЧ диапазона. Технический результат - уменьшение удельного сопротивления омических контактов и упрощение процесса изготовления омических контактов. Технический результат достигается за счет того, что в способе изготовления омических контактов к гетероструктурам AlGaN/GaN после травления проводящего и барьерного слоев гетероструктуры производится дополнительное растравливание «окон» диэлектрической пленки SiO2 перед началом нанесения омических контактов, тем самым отсутствует необходимость напылять металлические слои под углом и улучшается сам контакт на вертикальной границе сформированного «окна» осажденных металлов с двумерным электронным газом. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.
Наверх