Способ обмена данными с ячейками памяти или иных устройств и их адресации

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в упрощении коммутации ячеек памяти. Способ коммутации ячеек памяти, состоящих из сформированных в трехмерном многослойном кристалле элементов ячеек памяти со своими электрическими связями, выходящими на грани кристалла, и логическими схемами коммутации ячеек, в котором формируют на одной или нескольких гранях кристалла логические схемы коммутации, которые задействуют линии связи, выходящие на соответствующие грани кристалла; коммутацию ячеек памяти осуществляют одновременно при помощи логических схем коммутации и сфокусированного модулированного потока заряженных частиц или электромагнитного излучения, направленного на одну или несколько граней кристалла, на которые выходит часть линий электрических связей, и сканирующего поверхность кристалла по заданной программе, выбирая нужный элемент ячейки памяти.

 

Изобретение относится к области электронных устройств хранения информации и может быть также применено, в процессорах или иных устройствах компьютерной техники, телекоммуникационных сетях, отдельных базах данных.

Такие ведущие в области производства чипов памяти компании как Samsung, SanDisk начали производство флеш-памяти нового поколения 3D Vertical NAND (V-NAND), Intel - производство трехмерных чипов, особенностью которых является многослойная трехмерная структура (http://compulenta.computerra.ru/tehnika/microelectronics/10011567/; http://www.cybersecuriry.ru/hard/122063.html; www.3dnews.ru/918582).

Известная новая технология предусматривает компоновку кристаллов по вертикали. Это позволяет получить объемную структуру микрочипа, а значит, сильно увеличить количество хранимой информации и элементов чипа на единицу площади. Серьезным недостатком таких многослойных структур является резкое увеличение, с ростом количества слоев, плотности электрических линий, связывающих отдельные ячейки и слои с логическими схемами коммутации. Это ограничивает увеличение количества слоев и, соответственно, увеличение объемов памяти и количества элементов чипа.

Техническим результатом заявленного изобретения является упрощение коммутации ячеек памяти.

Заявленный технический результат достигается с помощью способа коммутации ячеек памяти, состоящих из сформированных в трехмерном многослойном кристалле элементов ячеек памяти со своими электрическими связями, выходящими на грани кристалла, и логическими схемами коммутации ячеек, отличающийся тем, что формируют на одной или нескольких гранях кристалла логические схемы коммутации, которые задействуют линии связи, выходящие на соответствующие грани кристалла; коммутацию ячеек памяти осуществляют одновременно при помощи логических схем коммутации и сфокусированного модулированного потока заряженных частиц или электромагнитного излучения, направленного на одну или несколько граней кристалла, на которые выходит часть линий электрических связей, и сканирующего поверхность кристалла по заданной программе, выбирая нужный элемент ячейки памяти.

Представленный способ реализуется следующим образом.

В данном изобретении предлагается способ коммутации ячеек чипа, сформированных со своими взаимно перпендикулярными линиями связи в трехмерном пространстве таким образом, что линии связи образуют горизонтальные ряды и столбцы в каждом слое и вертикальные столбцы, проходящие через все слои. И в каждом узле, где сходятся три линии связи, находятся элементы ячейки, контакты которой соединяются со своими линиями связи соответственно. Например, затвор ячейки с вертикальным столбцом, вход ячейки с горизонтальным рядом, выход ячейки с горизонтальным столбцом. Причем все линии связи пронизывают кристалл по всему объему и выходят на поверхность грани кристалла. На одной или нескольких гранях формируются логические схемы коммутации, которые задействуют линии связи, выходящие на соответствующие грани кристалла. На другие грани кристалла падает сфокусированный поток заряженных частиц, например электронов, или электромагнитное излучение, например поток фотонов, которые замыкают цепь. Источник частиц или электромагнитного излучения сфокусированным лучом сканирует поверхность грани кристалла по заданной программе, тем самым выбирая нужный, например, вертикальный столбец или целый массив столбцов. Логические схемы коммутации на других гранях кристалла выбирают точно определенные горизонтальные столбцы, рядки и слои и коммутируют конкретную ячейку чипа. При этом считываются или записываются данные ячейки, или ячейка непосредственно управляется в зависимости от уровня тока в линиях связи.

Таким образом, заявленный способ позволяет избежать увеличения плотности электрических связей при увеличении количества слоев и существенно упрощает коммутацию ячеек объемных кристаллов.

Способ коммутации ячеек памяти, состоящих из сформированных в трехмерном многослойном кристалле элементов ячеек памяти со своими электрическими связями, выходящими на грани кристалла, и логическими схемами коммутации ячеек, отличающийся тем, что формируют на одной или нескольких гранях кристалла логические схемы коммутации, которые задействуют линии связи, выходящие на соответствующие грани кристалла; коммутацию ячеек памяти осуществляют одновременно при помощи логических схем коммутации и сфокусированного модулированного потока заряженных частиц или электромагнитного излучения, направленного на одну или несколько граней кристалла, на которые выходит часть линий электрических связей, и сканирующего поверхность кристалла по заданной программе, выбирая нужный элемент ячейки памяти.



 

Похожие патенты:

Светоизлучающее устройство содержит твердотельный источник (101) света, выполненный с возможностью излучения первичного света (L1); преобразующий длину волны элемент (102), включающий множество преобразующих длину волны областей (102a, 102b, 102c и т.д.) для преобразования первичного света во вторичный свет (L2), при этом каждая преобразующая длину волны область посредством этого обеспечивает поддиапазон полного спектра светового выхода, причем по меньшей мере некоторые из упомянутых преобразующих длину волны областей расположены в виде массива и содержат квантовые точки, при этом разные преобразующие длину волны области содержат квантовые точки, имеющие разные диапазоны излучения вторичного света, обеспечивающие разные поддиапазоны полного спектра светового выхода, и при этом поддиапазон, обеспечиваемый каждой преобразующей длину волны областью перекрывается или является смежным с по меньшей мере одним другим поддиапазоном, обеспечиваемым другой преобразующей длину волны областью, при этом упомянутые преобразующие длину волны области вместе обеспечивают вторичный свет, включающий в себя все длины волн диапазона от 400 нм до 800 нм.

Использование: для изготовления OLED устройств. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления органического электролюминесцентного светоизлучающего устройства со структурированным шаблоном светоизлучающих и неизлучающих областей, содержащий этапы: - создания подложки, покрытой, по меньшей мере, локально, по меньшей мере, одним проводящим слоем в качестве первого электрода; - осаждения (D-SML) слоя модификации стека локально в верхней части первого электрода для образования первых областей, покрытых слоем модификации стека, и непокрытых вторых областей, прилегающих к первым областям, формируя требуемый структурированный шаблон, при этом слой модификации стека является слоем, который содержит перфторированную вакуумную смазку или перфторированное масло для вакуумных насосов; - осаждения (D-OLS) стека органических слоев, содержащего, по меньшей мере, один органический светоизлучающий слой в верхней части первого электрода, локально покрытого слоем модификации стека, обеспечивающего отделение стека органических слоев от первого электрода слоем модификации стека между стеком органических слоев и первым электродом в первых областях и находящегося в прямом электрическом контакте с первым электродом во вторых областях; и - осаждения (D-SE) слоя проводящего металла в качестве второго электрода в верхней части стека органических слоев для завершения стека функциональных слоев.

Настоящее изобретение относится к электролюминесцентному устройству (100), содержащему пару электролюминесцентных наборов (101, 102), каждый набор содержит первый электродный слой (103, 104), второй электродный слой (105, 106) и электролюминесцентный слой (107, 108), расположенный между первым и вторыми электродными слоями (103-105, 104-106), электрическое соединение между двумя наборами (101, 102), при этом каждый из вторых электродных слоев содержит проводящую пластину, причем две проводящие пластины формируют пару приемных электродов для емкостной передачи электрической мощности, и при этом электрическое соединение между парой электролюминесцентных наборов (101, 102) содержит компонент для изменения резонансной частоты устройства, так что степень передачи электрической мощности оптимизируется.

Настоящее изобретение относится к светоизлучающему устройству по меньшей мере с двумя активными областями и к более надежному способу изготовления такого устройства, в котором слой первого электрода осаждают через маску, покрывающую активный материал.

Настоящее изобретение относится к использованию производных фуллеренов в оптоэлектронных устройствах, таких как фотовольтаические ячейки, формулы (I): , где F - [60]фуллерен или [70]фуллерен, М представляет собой COOH, r представляет собой целое число от 2 до 8, Z представляет собой группу -(СН2)n-, Ar, или -S-, n представляет собой число от 1 до 12, Y представляет собой алифатическую С1-С12 углеродную цепь, Ar представляет собой фенил, бифенил или нафтил и X представляет собой Н, Cl или независимую от Y С1-С12 углеродную цепь.

Изобретение относится к датчикам оптического излучения. Чувствительный элемент оптического датчика содержит подложку 1, массив углеродных нанотрубок 2, электропроводящий слой 3, диэлектрический слой 4, а также верхний оптически прозрачный слой 5.

Изобретение относится к органическому соединению, представленному формулой (1), в которой каждый R1-R20 независимо выбирают из атомов водорода, замещенных или незамещенных алкильных групп, замещенных аминогрупп, замещенных или незамещенных арильных групп.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при создании мощных гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона многоцелевого назначения. Технический результат - улучшение электрических характеристик за счет улучшения теплоотвода, повышение технологичности при сохранении массогабаритных характеристик.

Изобретение относится к технологии наноматериалов и наноструктур и может применяться для получения тонкопленочных полимерных материалов и покрытий, используемых как в сенсорных, аналитических, диагностических и других устройствах, так и при создании защитных диэлектрических покрытий.

Изобретение относится к органическим светоизлучающим устройствам на основе конденсированного полициклического соединения. Светоизлучающее устройство включает пару электродов, содержащих анод и катод, и слой органического соединения, размещенный между электродами и представляющий собой эмиссионный слой.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в уменьшении длительной временной задержки для операции выгрузки.

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при выполнении задач, связанных с интенсивным нерегулярным обращением к памяти вычислительного устройства и высокоскоростной обработкой сигналов и изображений с хранилищами разнородной информации большого размера.

Изобретение относится к области управления записями в памяти устройства обработки информации и более конкретно к записи набора данных в памяти унитарным и когерентным образом.

Изобретение относится к способу и устройству резервного копирования файла. Технический результат заключается в обеспечении возможности избежать повторного резервного копирования одного и того же файла с разными путями доступа к файлу.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в расширении арсенала средств для передачи объектов памяти между процессами.

Группа изобретений относится к области хранения информации и может быть использована для стирания информации, хранящейся в энергонезависимой перезаписываемой памяти электронного компьютера.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в увеличении общего технического ресурса памяти.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в улучшении характеристики маскирования перехода к концу срока службы электронного устройства при поддержании уровня безопасности.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат - повышение быстродействия системы.

Изобретение относится к области технологии виртуализации. Техническим результатом является повышение эффективности создания виртуальных машин.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результата заключается в повышении эффективности обнаружения вредоносного программного обеспечения и уровня защищенности операционной системы вычислительного устройства. Указанный результат достигается за счет применения способа функционирования операционной системы вычислительного устройства программно-аппаратного комплекса, при этом последовательно один за другим осуществляют инициализацию компонентов гипервизора, имеющего 8-ми уровневую иерархическую структуру выполнения команд, загрузку на узлах многопроцессорной вычислительной системы управляющей микроядерной операционной системы с параллельной мультредовой архитектурой, каждый процесс-тред которой имеет два статуса - управляющий или подчиненный, снабженной компилятором, микроассемблером и автономной подсистемой отказоустойчивости. Загружают проксирующий модуль клиентских запросов, гостевых операционных систем, получают списки запросов на выделение ресурсов, затем осуществляют этап подготовки задачи к выполнению. 2 з.п. ф-лы, 1 ил., 5 табл.

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в упрощении коммутации ячеек памяти. Способ коммутации ячеек памяти, состоящих из сформированных в трехмерном многослойном кристалле элементов ячеек памяти со своими электрическими связями, выходящими на грани кристалла, и логическими схемами коммутации ячеек, в котором формируют на одной или нескольких гранях кристалла логические схемы коммутации, которые задействуют линии связи, выходящие на соответствующие грани кристалла; коммутацию ячеек памяти осуществляют одновременно при помощи логических схем коммутации и сфокусированного модулированного потока заряженных частиц или электромагнитного излучения, направленного на одну или несколько граней кристалла, на которые выходит часть линий электрических связей, и сканирующего поверхность кристалла по заданной программе, выбирая нужный элемент ячейки памяти.

Наверх