Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее (H01L27)
H Электричество(232322)
H01L27 Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее (способы и аппаратура, предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, H01L21/70,H01L31-H01L49; конструктивные элементы и особенности таких приборов H01L23, H01L29-H01L49; блоки, состоящие из нескольких отдельных приборов на твердом теле, H01L25; блоки, состоящие из нескольких электрических приборов, вообще H05K)(573)
H01L27/01 - Содержащие только пассивные тонкопленочные или толстопленочные элементы, сформированные на общей изолирующей подложке(8)
H01L27/04 - С подложкой из полупроводника(61)
H01L27/08 - Содержащие только полупроводниковые компоненты одного вида(10)
H01L27/082 - Только биполярные компоненты(3)
H01L27/085 - Только компоненты с полевым эффектом(2)
H01L27/088 - Полевые транзисторы с изолированным затвором(3)
H01L27/092 - Комплементарные полевые мдп-транзисторы(11)
H01L27/095 - Полевые транзисторы с затвором шотки(1)
H01L27/098 - Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом(1)
H01L27/105 - Компоненты с полевым эффектом(7)
H01L27/115 - Электрически программируемые постоянные запоминающие устройства(19)
H01L27/118 - Интегральные схемы на основе базового кристалла(8)
H01L27/12 - С подложкой из неполупроводника, например диэлектрика(14)
H01L27/14 - Содержащие полупроводниковые компоненты, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, коротковолновому электромагнитному или корпускулярному излучению, и предназначенные для преобразования энергии этих излучений в электрическую энергию или для управления электрической энергией с помощью таких излучений (компоненты, чувствительные к излучению, конструктивно связанные только с одним или несколькими электрическими источниками света H01L31/14; соединение световодов с оптоэлектронными элементами G02B6/42)(237)
H01L27/142 - Устройства преобразования энергии(16)
H01L27/144 - Устройства, управляемые при помощи излучения(7)
H01L27/146 - Структуры формирователей сигналов изображения(67)
H01L27/148 - Формирователи сигналов изображения на приборах с зарядовой связью(58)
H01L27/16 - Содержащие термоэлектрические компоненты со спаем из различных материалов или без него; содержащие термомагнитные компоненты (с использованием эффекта пельтье только для охлаждения полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле H01L23/38)(8)
H01L27/18 - Содержащие компоненты, обладающие сверхпроводимостью(3)
Эластичная светодиодная матрица // 2793120
Изобретение относится к области полупроводниковой оптоэлектронной техники и может быть использовано для создания эластичных полупрозрачных светоизлучающих дисплеев и элементов носимой электроники. Сущность изобретения заключается в том, что светодиодная матрица включает массив неорганических нитевидных нанокристаллов из полупроводниковых III-нитридных соединений в качестве светоизлучающего элемента, при этом в качестве материала мембраны используется эластичный силоксан, а в качестве электрода используется эластичная матрица пикселей, к каждому пикселю осуществляется индивидуальная адресация эластичными контактными дорожками волнообразной формы.
Использование: для производства энергонезависимой памяти. Сущность изобретения заключается в том, что производство энергонезависимой памяти включает в себя следующие этапы.
Болометр, тепловой датчик, тепловизор, способ работы болометра, способ работы теплового датчика // 2790003
Изобретение относится к болометру, тепловому датчику, тепловизору компактных размеров. Болометр согласно изобретению содержит термостабилизированную прозрачную подложку, термоизолирующие мостики, микрорезонатор, волновод, лазер и фотоприемник.
Инвертор транспортного исполнения // 2788306
Изобретение относится к области электротехники и предназначено для управления тяговыми электромашинами (синхронной и асинхронной) в составе транспортных средств, судов и прочих устройств. Инвертор состоит из алюминиевого корпуса, силового модуля IGBT, силового конденсатора, датчиков выходного тока, печатной платы системы управления двухслойного исполнения, колодки подключения, гермовводов, при этом силовой модуль IGBT крепится к основному корпусу инвертора, который также совмещает функцию жидкостного охлаждения, через внешние штуцеры охлаждающая жидкость подается внутрь корпуса инвертора и через тепловой контакт охлаждает силовой IGBT модуль, а выходные шины с модуля IGBT через датчики тока на основе эффекта холла подключаются к колодке подключения инвертора, которая служит для подключения входного напряжения постоянного тока и выхода трех фаз электродвигателя, при этом входное напряжение посредством шин подключается к силовому конденсатору звена постоянного тока и далее через терминалы к модулю IGBT, а внешний разъем сигнальных интерфейсов подсоединяется непосредственно к печатной плате системы управления, которая включает в себя датчик напряжения звена Ud и систему управления, содержащую внешние интерфейсы и силовые драйверы.
Областью применения предлагаемого изобретения является производство интегральных микросхем и полупроводниковых приборов, изготавливаемых методом литографии. Техническим результатом предлагаемого изобретения является повышение достоверности визуального контроля и производительности труда.
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники и может быть использовано для изготовления генераторов терагерцового диапазона частот с мощностью 1 мВт и более. Сущность: предложен пролетный диод для генерации терагерцового излучения, состоящий из полупроводниковой подложки с двумя областями сильного легирования и нанесенными на них металлическими контактами, между которыми находится нелегированная пролетная щель, в которую включены участки с увеличенной шириной щели, и рядом с каждым расширенным участком щели расположена шунтируюшая емкостная перемычка, соединяющая металлические контакты пролетного диода.
Болометр, тепловой датчик, тепловизор, способ работы болометра, способ работы теплового датчика // 2785895
Изобретение относится к болометру, тепловому датчику, тепловизору, способу работы болометра, способу работы теплового датчика. Болометр согласно изобретению содержит подложку, термоизолирующие мостики, микрорезонатор, два волновода, лазер, фотоприемник.
Изобретение может быть использовано в электронике, в частности при создании элементов постоянной памяти на основе ферроэлектрических материалов и в системах нейроморфных вычислений, для записи и хранения долговременной информации.
Интегральная схема свч // 2782187
Изобретение относится к электронной технике СВЧ и может быть использовано в радиолокационных станциях с активными фазированными антенными решетками (АФАР) наземного, морского, воздушного и космического базирования.
Интегральная схема свч // 2782184
Изобретение может быть широко использовано в электронной технике СВЧ, в частности в радиолокационных станциях с активными фазированными антенными решетками (АФАР). Интегральная схема СВЧ содержит диэлектрическую подложку, на лицевой и обратной сторонах выполнено металлизационное покрытие, при этом на лицевой стороне покрытие локальное, на лицевой стороне подложки расположены пассивные элементы, линии передачи, выводы, по меньшей мере, один кристалл активного элемента, контактные площадки кристалла активного элемента, в подложке выполнено, по меньшей мере, одно сквозное отверстие, элементы интегральной схемы выполнены и соединены электрически согласно ее заданной топологии и электрической схеме, при этом подложка выполнена из карбида кремния, металлизационное покрытие на обратной стороне подложки выполнено сплошным, сквозное отверстие металлизировано, на контактных площадках кристалла активного элемента выполнен проводящий слой, содержащий олово и золото, посредством которого лицевая сторона кристалла активного элемента соединена с контактными площадками кристалла активного элемента.
Подложка дисплея и устройство отображения // 2779413
Подложка дисплея и устройство отображения. Подложка дисплея содержит базовую подложку и множество подпикселей, размещенных в виде матрицы на базовой подложке.
Пиксельный массив и устройство отображения // 2779136
Изобретение относится к технологии отображения, а именно к пиксельному массиву и устройству отображения. Техническим результатом является увеличение срока службы OLED-устройства отображения посредством уменьшения требуемого тока возбуждения при сохранении яркости отображения.
Дисплейная подложка и дисплейное устройство // 2778835
Предложены дисплейная подложка (10) и дисплейное устройство (30). Дисплейная подложка (10) содержит первую электропроводную структуру (110), имеющую противоположные первую поверхность (111) и третью поверхность (113) и противоположные вторую поверхность (112) и четвертую поверхность (114), причем первая поверхность и вторая поверхность выполнены из одного и того же материала.
Раскрыты подложка дисплея, способ ее изготовления и устройство отображения. В подложке (100) дисплея каждый подпиксель включает в себя: проводящую светоэкранирующую структуру (122); буферный слой (130), расположенный на стороне проводящей светоэкранирующей структуры (122), обращенной от базовой подложки (110); полупроводниковый слой (140), расположенный на стороне буферного слоя (130), обращенной от проводящей светоэкранирующей структуры (122); межслойный изолирующий слой (170), расположенный на стороне полупроводникового слоя (140), обращенной от буферного слоя (130); и проводящий слой (180), расположенный на стороне межслойного изолирующего слоя (170), обращенной от полупроводникового слоя (140), и включающий в себя проводящую структуру (181).
Гибридная интегральная схема свч-диапазона // 2778281
Изобретение относится к области электронной техники. Гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона выполнена в виде многослойной печатной платы, которая установлена на дне металлического корпуса с крышкой и электрически соединена с ним, плата выполнена с топологическим рисунком проводников металлизации по крайней мере на одной из сторон каждого диэлектрического слоя многослойной печатной платы и экранной заземляющей металлизацией на обратной стороне нижнего диэлектрического слоя; с навесными компонентами, в том числе активным генераторным компонентом и активным управляющим компонентом, расположенными на лицевой стороне верхнего диэлектрического слоя, а также коаксиальным диэлектрическим резонатором, выводы которых электрически соединены с топологическим рисунком проводников металлизации верхнего диэлектрического слоя многослойной платы и которые в совокупности образуют генератор, управляемый напряжением; коаксиальный диэлектрический резонатор имеет металлизационное покрытие на боковой поверхности, электрически соединенное с экранной заземляющей металлизацией платы; по меньшей мере один коаксиальный выход на торцевой поверхности, обращенной к указанным активным компонентам, электрически соединен с активными генераторным и управляющим компонентами через проводники топологического рисунка металлизации, имеющими в своем составе емкостные связи, при этом в многослойной печатной плате выполнено отверстие, соразмерное расположенному в нем диэлектрическому коаксиальному резонатору, который установлен на дне металлического корпуса и электрически соединен с дном корпуса металлизацией своей боковой поверхности; часть топологического рисунка проводников генератора, управляемого напряжением, соединяющая активные генераторный и управляющий компоненты с коаксиальным выходом коаксиального диэлектрического резонатора, расположена на торцевой поверхности коаксиального диэлектрического резонатора и электрически соединена с пленочными проводниками топологического рисунка, расположенного на лицевой стороне верхнего диэлектрического слоя многослойной платы, и имеет в своем составе емкостные связи, причем емкостная связь между пленочным проводником соединения генераторного компонента и коаксиальным выходом диэлектрического резонатора выполнена в виде по меньшей мере одного зазора шириной 0,035-0,055 мм, а емкостная связь между боковой стороной пленочного проводника соединения управляющего компонента и коаксиальным выходом диэлектрического резонатора выполнена в виде зазора шириной 0,16-0,24 мм.
Изобретение относится к устройствам для определения концентрации уровня метана (СН4), оксида углерода (СО), сероводорода (H2S), объемной доли кислорода (О2) в водопроводных и канализационных колодцах, а также в заглубленных водопроводных и канализационных насосных станциях и предназначено для обнаружения и мониторинга опасных газов в окружающем воздухе таких колодцев и станций.
Дисплейная панель // 2778217
Предложена дисплейная панель. Дисплейная панель содержит область (AA) отображения и периферийную область (NA), окружающую область (AA) отображения, причем периферийная область (NA) включает в себя первую периферийную область (NA1), область (B) изгиба и вторую периферийную область (NA2).
Гибридная интегральная схема свч-диапазона // 2777532
Изобретение относится к области электронной техники. В известной конструкции гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона, которая установлена на дне металлического корпуса с крышкой и электрически соединена с ним, плата выполнена: с топологическим рисунком проводников металлизации, по крайней мере, на одной из сторон каждого диэлектрического слоя многослойной печатной платы и экранной заземляющей металлизацией на обратной стороне нижнего диэлектрического слоя, с навесными компонентами, в том числе активным генераторным компонентом, активным управляющим компонентом, и коаксиальным диэлектрическим резонатором, расположенными на лицевой стороне верхнего диэлектрического слоя и электрически соединенными с его топологическим рисунком проводников металлизации, образующими генератор, управляемый напряжением; обратная сторона верхнего диэлектрического слоя многослойной платы также имеет экранную заземляющую металлизацию, по меньшей мере, на части, занятой генератором, управляемым напряжением, коаксиальный диэлектрический резонатор имеет металлизационное покрытие на боковой поверхности, электрически соединенное с экранной заземляющей металлизацией через топологический рисунок проводников металлизации верхнего диэлектрического слоя, и, по меньшей мере, один коаксиальный выход на торцевой поверхности, обращенной к указанным активным компонентам, который электрически соединен с активными генераторным и управляющим компонентами через проводники топологического рисунка металлизации, имеющими в своем составе емкостные связи.
Панель отображения и устройство отображения // 2774674
Изобретение относится к панелям отображения и устройствам отображения. Техническим результатом является повышение качества отображения органических светоизлучающих устройств отображения.
Изобретение относится к технологии дисплеев и, в частности, относится к подложке дисплея и способу ее изготовления и к устройству дисплея. Техническим результатом является повышение разрешающей способности дисплея.
Способ формирования мемристивных структур на основе композитных оксидов с агломератами наночастиц // 2767721
Способ формирования мемристивных структур на основе композитных оксидов с агломератами наночастиц относится к способам формирования вертикального профиля и организации мемристивных элементов и режимов их работы для обеспечения наибольшей производительности, стабильности и повторяемости параметров обработки цифровых данных.
Изобретение относится к оптоэлектронике, нано- и микроэлектронике и может быть использовано для создания тепловизора с оптическим выходом на основе гибридного или монолитного инфракрасного (ИК) или терагерцового (ТГц) фотоприемника (ФП), в том числе мультиспектрального.
Изобретение относится к электротехнике, а именно к источникам света на основе полупроводниковых светоизлучающих диодов (СИД). За счет применения данной комбинированной технологии вырастает мощность излучения в диапазоне длин волн 490-510 нанометров (синий пик), поэтому при равных мощностных характеристиках светодиодного светильника одновременно снижается мощность излучения в диапазоне длин волн 400-470 нанометров.
Изобретение относится к оптоэлектронике, нано- и микроэлектронике и может быть использовано для создания тепловизора с оптическим выходом на кристалле монолитного инфракрасного (ИК) или терагерцевого (ТГц) фотоприемника (ФП), в том числе мультиспектрального.
Изобретение относится к области техники отображения и раскрывает OLED-панель отображения и устройство отображения. OLED-панель отображения включает в себя подложку, множество светоизлучающих областей, размещаемых в виде массива, и светостойкую структуру между светоизлучающими областями.
Подложка дисплея и устройство отображения // 2765235
Подложка дисплея и устройство отображения. Подложка дисплея содержит первые цветовые субпиксели, вторые цветовые субпиксели и третьи цветовые субпиксели, линию сигнала управления светоизлучением, линию данных и линию электропитания, причем линия электропитания перекрывается с линией данных.
Подложка матрицы и устройство отображения // 2763690
Настоящее изобретение относится к области отображения изображения. Подложка матрицы содержит: субпиксели (11), которые расположены в области (B1) отображения и содержат светоизлучающий элемент, причем светоизлучающий элемент содержит первый электрод, светоизлучающий слой и второй электрод; кабели (12) источника положительного напряжения, которые расположены в области (B1) отображения и электрически соединены с первым электродом; шину (13) источника положительного напряжения, которая расположена в периферийной области (B2) и электрически подключена к кабелям (12) источника положительного напряжения; три контактных вывода (14, 15, 16) доступа источника положительного напряжения, которые расположены на стороне шины (13) источника положительного напряжения на удалении от области (B1) отображения и соответственно электрически подключены к шине (13) источника положительного напряжения; кабель (17) источника отрицательного напряжения, который расположен в периферийной области (B2); вспомогательный электрод (18), который расположен в периферийной области (B2) и электрически соединен с кабелем (17) источника отрицательного напряжения и вторым электродом соответственно; три контактных вывода (19, 20, 21) доступа источника отрицательного напряжения, которые расположены на стороне шины (13) источника положительного напряжения на удалении от области (B1) отображения и соответственно электрически соединены с кабелем (17) источника отрицательного напряжения; и вспомогательный кабель (22) источника отрицательного напряжения, который расположен в периферийной области (B2) и электрически соединен с контактным выводом (20) доступа источника отрицательного напряжения и вспомогательным электродом (18) соответственно.
Отделение опорных пластин // 2763361
Изобретение относится к технологии обработки сборного изделия, включающей временную поддержку сборного изделия между двумя опорными пластинами, приклеенными к изделию с возможностью отделения. Технология включает: предоставление сборного изделия, временно приклеенного на противоположных сторонах к соответствующим опорным пластинам соответствующими клейкими элементами, причем указанное сборное изделие содержит по меньшей мере одну пластиковую подложку; нагрев сборного изделия во время механического сжатия указанного сборного изделия между опорными пластинами, причем прочность склейки одного из указанных клейких элементов с соответствующей опорной пластиной и/или сборным изделием частично уменьшается во время указанного нагрева сборного изделия при механическом сжатии; и при этом прочность склейки указанного клейкого элемента с соответствующей опорной пластиной и/или сборным изделием может быть дополнительно уменьшена путем дополнительного нагрева указанного клейкого элемента после частичного или полного снятия давления, под которым сборное изделие механически сжимается между указанными двумя опорными пластинами.
Изобретение относится к области спинтроники, а именно, к широкополосным выпрямителям переменного тока, выполненным на основе спинового диода в виде гетероструктуры с туннельным магнитным переходом. Техническим результатом заявленного изобретения является упрощение изготовления выпрямителя.
Изобретение относится к области спинтроники, а именно: к широкополосным выпрямителям переменного тока, выполненным на основе спинового диода в виде гетероструктуры с туннельным магнитным переходом. Технический результат заявленного изобретения заключается в расширении частотной полосы выпрямления переменного тока.
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании устройств, использующих функции ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ и (или) ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ-НЕ, например в схемах контроля четности и (или) нечетности и многоразрядных сумматорах.
Подложка дисплея и способ ее изготовления // 2759445
Изобретения относятся к области технологии отображения, в частности к подложке дисплея и способу ее изготовления. Подложка дисплея содержит подложку; первый электрод, расположенный на подложке; и выпуклость, расположенную на первом электроде, при этом соотношение между размером поперечного сечения выпуклости в плоскости, параллельной подложке, и расстоянием от указанного поперечного сечения до поверхности первого электрода имеет отрицательный коэффициент корреляции, при этом выпуклость включает в себя первую часть и вторую часть, покрывающую первую часть, в которой ортогональная проекция первой части на подложку находится в пределах ортогональной проекции первого электрода на подложку, вторая часть контактирует с первым электродом, поверхность второй части, удаленная от подложки, соответствует поверхности первой части, удаленной от подложки, и первая часть состоит из диэлектрического материала, а вторая часть состоит из электропроводящего материала.
Заявленное изобретение относится к способам тестирования и испытания оборудования линий лазерной связи с квантовым приемом информации. Технический результат заключается в возможности точного определения характеристик ТКП и определения соответствия конкретного образца ТКП требованиям к его основным характеристикам: скорости передачи информации, мощности передатчика, дальности связи, вероятности сырой битовой ошибки на предельной дальности связи.
Изобретение относится к устройствам отображения. Панель отображения включает в себя область (100) отображения, включающую в себя по меньшей мере один скругленный угол, и область (200) неотображения, расположенную на периферии области (100) отображения.
Изобретение относится к полупроводниковым материалам группы А3В5, используемым для изготовления фотопроводящих антенн для генерации или детектирования электромагнитных волн терагерцевого диапазона. Способ формирования материала для фотопроводящей антенны заключается в формировании многослойной структуры, состоящей из чередующихся слоев InGaAs/InAlAs, эпитаксиально выращенных при температуре 300-500°С на подложке GaAs или InP с ориентацией (100).
Изобретение относится к электронике, в частности к области изготовлений чувствительных элементов микроэлектронных устройств, в которых чувствительные элементы представляют собой активные структуры. Способ формирования активных структур для микроэлектронных устройств на кремниевой подложке согласно изобретению содержит этапы, на которых осуществляют подготовку подложки КМОП (комплементарная структура металл-оксид-полупроводник), формируют медную разводку в межслойном диэлектрике, выполняют углубление в слое оксида кремния методом фотолитографии и плазмохимического травления, причем углубление содержит внутренние стенки и донную поверхность, примыкающую к медной разводке, осуществляют нанесение адгезионного слоя TaN и слоя благородного металла на внешнюю часть подложки вблизи углубления, внутренние стенки и донную поверхность углубления, осуществляют нанесение жертвенного слоя на слой благородного металла, выполняют химико-механическую полировку жертвенного слоя, слоя благородного металла и слоя TaN, осуществляют жидкостное травление жертвенного слоя с сохранением слоя благородного металла на внутренних стенках и донной поверхности углубления.
Изобретение относится к технике накопления информации, к вычислительной технике, в частности к элементам резистивной памяти, к элементам памяти электрически перепрограммируемых постоянных запоминающих устройств, сохраняющих информацию при отключенном питании, и может быть использовано при создании устройств памяти, например вычислительных машин, микропроцессоров, электронных паспортов, электронных карточек.
Настоящее изобретение относится к методу отображения, более конкретно к панели отображения, имеющей область модуляции света, устройству отображения, способу модулирования контраста отображения панели отображения и способу изготовления панели отображения.
Способ и система чтения состояния ячейки магниторезистивной памяти с переносом спина stt-mram // 2746237
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в уменьшении вероятности возмущения чтением.
Изобретения относятся к устройствам отображения изображения. Матричная подложка содержит базовую подложку, содержащую множество пиксельных областей, множество тонкопленочных транзисторов, распределенных в соответствующих пиксельных областях, при этом каждый из тонкопленочных транзисторов содержит активный слой, расположенный на подложке; электрод затвора, расположенный на базовой подложке, причем активный слой и электрод затвора уложены один поверх другого; электрод истока, расположенный над электродом затвора, причем электрод истока электрически соединен с активным слоем через первое сквозное отверстие; электрод стока, расположенный над электродом затвора, причем электрод стока электрически соединен с активным слоем через второе сквозное отверстие, при этом электрод стока содержит первый участок, расположенный во втором сквозном отверстии; пассивирующий слой, расположенный на электродах истока и электродах стока, множество электродов пикселей, распределенных в соответствующих пиксельных областях, причем каждый из электродов пикселей электрически соединен с соответствующим одним из электродов стока через соответствующее третье сквозное отверстие, при этом электрод пикселя в каждой из пиксельных областей содержит два отдельных первых участка, расположенных в третьем сквозном отверстии, и второй участок, соединяющий два первых участка, два первых участка электрода пикселя находятся на двух противоположных сторонах второго сквозного отверстия, соответственно.
Подложка матрицы и устройство отображения // 2745826
Подложка матрицы содержит множество пиксельных блоков, причем каждый пиксельный блок содержит светоизлучающий блок и слой ограничения пикселя, расположенный вокруг светоизлучающего блока; при этом в по меньшей мере одном из пиксельных блоков канавка для разделения световых волн обеспечена в слое ограничения пикселя, блокирующий световые волны слой обеспечен в канавке для разделения световых волн.
Структура пиксельной компоновки, подложка отображения, устройство отображения и группа маскирующих пластин. Структура пиксельной компоновки содержит: множество наименьших повторяющихся областей (100), причем каждая из наименьших повторяющихся областей (100) является прямоугольной и содержит первый виртуальный прямоугольник (110), причем один первый виртуальный прямоугольник (110) содержит первый цветной субпиксельный блок (111), второй цветной субпиксельный блок (112) и третий цветной субпиксельный блок (113); первые виртуальные прямоугольники (110) содержат первую сторону (1101), идущую в первом направлении, и вторую сторону (1102), идущую во втором направлении; вторые цветные субпиксельные блоки (112) и третьи цветные субпиксельные блоки (113) распределены на двух сторонах перпендикулярной биссектрисы первых сторон (1101), расстояния вторых цветных субпиксельных блоков (112) и третьих цветных субпиксельных блоков (113) от первых сторон (1101) меньше расстояния между первыми цветными субпиксельными блоками (111) и первыми сторонами (1101), и центр первых цветных субпиксельных блоков (111) расположен на перпендикулярной биссектрисе первых сторон (1101) и имеет расстояние от первых сторон (1101), которое составляет от 1/2 до 3/4 длины вторых сторон (1102).
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления конденсаторов с пониженными токами утечки. Сущность: способ изготовления полупроводникового прибора заключается в формировании двухслойного диэлектрика титаната бария BaTiO3 магнетронным ВЧ-распылением, при давлении кислорода 13,3⋅10-4 Па, ВЧ-мощности 5 Вт⋅см-2 и скорости осаждения 0,3 нм/с: нижний слой - поликристаллический толщиной 300 нм, при температуре подложки 600°С, верхний слой - аморфный толщиной 20 нм, при температуре подложки 450°С.
Структуры датчиков изображения могут быть соединены с такими микрофлюидными устройствами, как проточные ячейки, для формирования системы датчиков. Система датчиков может, например, представлять собой систему биодатчиков.
Изобретение относится к высокоточным сенсорам магнитного поля с чувствительностью до долей нанотесла, создание таких приборов расширит область их применения особенно в медицине. Конструкция преобразователя магнитного поля содержит горизонтальный биполярный транзистор n-p-n (p-n-p), расположенный на поверхности подложки, содержащий диэлектрик, область коллектора и область эмиттера n (р) типа проводимости, область базы р (n) типа проводимости, на области эмиттера размещен электрод общей шины, на области базы - электрод управляющей шины, на области коллектора - электрод выходной шины, на поверхности подложки также размещены электрод шины питания, нагрузочный резистор, соединенный соответственно первым выводом с электродом коллектора, вторым выводом с электродом шины питания, отличающаяся тем, что диэлектрик расположен на поверхности области базы, на поверхности диэлектрика расположен дополнительный электрод управляющей шины, образующий с диэлектриком и областью базы функционально интегрированную структуру МОП конденсатора, при этом сопротивление подложки образует резистор базы, а на поверхности подложки расположена область дополнительного коллектора n (р) типа проводимости, на поверхности которого расположен электрод шины питания.
Группа изобретений относится к области оптической связи, где в качестве приемного детектора используется твердотельный фотоумножитель. Сущность изобретений заключается в том, что способ регистрации потока одиночных фотонов твердотельным фотоумножителем дополнительно содержит этап, на котором посредством полосового высокочастотного фильтра фильтруют медленно меняющуюся компоненту сигнала для выделения отдельных импульсов, укорачивая передний фронт фотоэлектрического импульса и тем самым повышая производительность детектора при регистрации потока малофотонных импульсов, при этом становится возможным разрешать импульсы, следующие друг за другом в пределах мертвого времени отдельной микроячейки детектора.
Изобретение относится к технологиям отображения. Органическое светоизлучающее устройство содержит первый электрод; органический слой на первом электроде, содержащий органический светоизлучающий слой; второй электрод на стороне органического слоя, дистальной по отношению к первому электроду; электрохромный слой между первым электродом и органическим слоем; и третий электрод между электрохромным слоем и органическим слоем.
Мобильный терминал // 2739450
Изобретение относится к мобильным терминалам. Техническим результатом является повышение точности измерения интенсивности света окружающей среды светочувствительным датчиком.
Сенсорная система // 2739341
Изобретение может быть использовано в биосенсорных системах. Сенсорная система распознавания включает в себя структуру датчика изображения и проточную ячейку.
Изобретение относится к области интегральной микроэлектроники и касается устройства считывания с временной задержкой и накоплением (ВЗН) сигналов в цифровом виде с многоэлементных фотоприемников инфракрасного излучения.
