Способ сборки жестких зондовых головок



Способ сборки жестких зондовых головок
Способ сборки жестких зондовых головок
Способ сборки жестких зондовых головок
H01L31/00 - Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов (H01L 51/00 имеет преимущество; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее, кроме приборов, содержащих чувствительные к излучению компоненты, в комбинации с одним или несколькими электрическими источниками света H01L 27/00; кровельные покрытия с приспособлениями для размещения и использования устройств для накопления или концентрирования энергии E04D 13/18; получение тепловой энергии с

Владельцы патента RU 2753495:

Акционерное общество "НПО "Орион" (RU)

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, а именно к технологии изготовления жестких зондовых головок, предназначенных для осуществления электрической связи контактных площадок кристаллов БИС с внешними схемами контроля и измерения параметров БИС. Задачей изобретения является разработка способа сборки ЖЗГ, предназначенных для контроля кристаллов с любым расположением контактных площадок, в том числе по всей поверхности кристалла, при сохранении одинаковых длин вылета зондов по всей ЖЗГ. Технический результат достигается тем, что конфигурация внутренней границы армирующего кольца определяется конкретно для каждого кристалла путем расчета длин вылета зондов до каждой контактной площадки. Форма внутренней границы армирующего кольца определяется ломанной кривой, соединяющей точки на каждом зонде, находящемся на равноудаленном расстоянии от точки касания контактной площадки, а внутренний радиус формирующего кольца равен наибольшему расстоянию от центра армирующего кольца. Внешняя граница армирующего кольца совпадает с внешней границей соответствующего для данного размера кристалла формирующего кольца. После вычерчивания ломаной линии, ее углы сглаживают до получения криволинейной границы кольца, удобной для изготовления. Далее полученный рисунок границ армирующего кольца переносится на шаблон, по которому производится изготовление армирующего кольца из заготовки путем его вырезания лобзиком, лазером или формированием на 3D принтере. 5 ил.

 

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, а именно к технологии изготовления жестких зондовых головок, предназначенных для осуществления электрической связи контактных площадок кристаллов БИС с внешними схемами контроля и измерения параметров БИС.

Устройства контактные с фиксированным расположением зондов (УКФ), или по-другому, жесткие зондовые головки (ЖЗГ), широко используются в составе зондовых установок для контроля статических и динамических параметров многовыводных кристаллов БИС, в том числе для считывания информации с матриц ИК фоточувствительных элементов.

Известны многозондовые устройства, с вольфрамовыми зондами, жестко закрепленными на печатных платах слоем эпоксидной смолы. При этом на сборочной установке создается блок зондов, с прецизионным расположением кончиков зондов в соответствии с топологией контактных площадок конкретного кристалла БИС (фиг. 1), где (1) - кристалл БИС, (2) - держатель, (3) - формирующее кольцо из фторопласта, (4) - слои клея, (5) - вольфрамовые зонды, (6) - армирующее кольцо, (7) - печатная плата, (8) - место распайки зондов. ЖЗГ показана на промежуточном этапе сборки с неснятым формирующим кольцом. Для удобства восприятия армирующие кольца на каждом рисунке выполнены с одинаковой штриховкой, причем внутренний контур на фрагментах принадлежит формирующему кольцу, средний контур -армирующему кольцу, а внешний - печатной плате. Зонды соединяются в блок путем их установки и склейки межу собой слоем эпоксидной смолы на круглом формирующем кольце из фторопласта. Затем к блоку зондов приклеивается армирующее кольцо с внутренним и внешним диаметрами одинаковым с формирующим кольцом. Кольца просты в изготовлении, их вытачивают на токарном станке. Оба кольца выполнены со скосами в сопрягаемых поверхностях, для обеспечения наклона зондов по направлению к измеряемому кристаллу. Армирующее кольцо является расходной деталью, на каждую зондовую головку требуется одно кольцо. Формирующее кольцо из фторопласта (не клеящийся эпоксидной смолой) является промежуточной оснасткой для фиксирования массива зондов с последующим приклеиванием его к армирующему кольцу. Армирующее кольцо из диэлектрического материала (гетинакс, текстолит и т.п.) своей обратной стороной приклеивается к печатной плате с металлизированной разводкой. После снятия зондовой головки с формирующего кольца сборочной установки производится распайка тыльных концов зондов на металлизированные шины печатной платы и пайка кабеля с разъемом. Многозондовая головка помещается в установку контроля параметров кристаллов БИС. [Патент RU 2580184.]

Недостатком такого устройства контактирования является наличие в одном ряду ЖЗГ зондов с разной длиной вылета (расстоянием от места вклейки зонда до его кончика). По краям ряда - малый вылет зондов, а в середине ряда - большой (фиг. 2а и 2б), где (1) - кристалл БИС с контактными площадками, (3) - формирующее кольцо, (6) - армирующее кольцо. Разница в длине вылета зондов особенно заметна при изготовлении ЖЗГ для длинных и узких кристаллов, например многорядных линеек ИК фоточувствительных элементов. Соотношение между длинами вылета зондов может составлять разы. В таком случае крайние зонды будут иметь значительно более высокую жесткость, чем центральные. В связи с этим, при получении надежного электрического контакта более гибких центральных зондов с металлизированной площадкой кристалла БИС необходимо приложить к ЖЗГ более высокое давление. В этом случае жесткие крайние зонды получают избыточное давление, что приводит к их сильной деформации и порче металлизированного покрытия контактных площадок кристалла. Именно крайние зонды ЖЗГ чаще всего выходят из строя из-за разгибания, перегибания, растрескивания или даже отламывания загнутого кончика. Наиболее критично использование таких ЖЗГ для контроля кристаллов при криогенных температурах из-за разных коэффициентов термического расширения составляющих ЖЗГ материалов, когда нагрузка на зонды возрастает. Для исключения этого явления необходимо выровнять длины вылета зондов на всем протяжении ряда. В зависимости от диаметра вольфрамовой проволоки рекомендуемый вылет зондов составляет 7÷10 мм.

Наиболее близким к предлагаемому техническому решению является многозондовое устройство, с вольфрамовыми зондами, жестко закрепленными с помощью армирующего кольца на печатных платах слоями эпоксидной смолы [УКФ-5, Контактные устройства с фиксированным расположением зондов, справочные материалы завода «Планар», г. Минск, Беларусь]. В таких устройствах выравнивание длин вылета зондов в каждом ряду производят за счет использования формирующего и армирующего колец с внутренними отверстиями не круглой формы, а близкой к овальной форме в районе прохождения каждого ряда зондов (фиг. 3а и 3б).

Указанный способ изготовления многозондовой головки имеет существенный недостаток, связанный с тем, что этот способ применим только для кристаллов БИС с линейным расположением контактных площадок по одной или нескольким сторонам кристалла. По данному способу невозможно изготовить ЖЗГ с одинаковой длиной вылета зондов для кристаллов с произвольным расположением контактных площадок по всей поверхности кристалла, в том числе и в его центре.

Задачей изобретения является разработка способа сборки ЖЗГ, предназначенных для контроля кристаллов с любым расположением контактных площадок, в том числе по всей поверхности кристалла, при сохранении одинаковых длин вылета зондов по всей ЖЗГ.

Технический результат состоит в формировании такой внутренней границы армирующего кольца, которая дает возможность выровнять длины вылета зондов, контактирующих с внешними площадками кристалла, расположенных по всей его площади.

Технический результат достигается тем, что конфигурация внутренней границы армирующего кольца определяется конкретно для каждого кристалла путем расчета длин вылета зондов до каждой контактной площадки. Форма внутренней границы армирующего кольца определяется ломанной кривой, соединяющей точки на каждом зонде, находящемся на равноудаленном расстоянии от точки касания контактной площадки, а внутренний радиус формирующего кольца равен наибольшему расстоянию от центра армирующего кольца. Внешняя граница армирующего кольца совпадает с внешней границей соответствующего для данного размера кристалла формирующего кольца. После вычерчивания ломаной линии, ее углы сглаживают до получения криволинейной границы кольца, удобной для изготовления. Далее, полученный рисунок границ армирующего кольца переносится на шаблон, по которому производится изготовление армирующего кольца из заготовки путем его вырезания лобзиком, лазером или формированием на 3D принтере.

По предлагаемому способу легко решается задача выравнивания длин вылета зондов, расположенных в ряд на протяженных кристаллах БИС (фиг. 4), где внешняя и внутренняя границы формирующего кольца выполнены круглой формы. При этом внешняя граница армирующего кольца изготовлена также круглой формы и того же диаметра, что формирующее кольцо, а внутренняя граница армирующего кольца сделана овальной формы по приведенному здесь расчету.

На фиг. 5. представлен схематический чертеж ЖЗГ с кристаллом, поясняющий техническую реализацию предлагаемого способа на примере кристалла с произвольным расположением контактных площадок, где (1) - кристалл БИС, (2) - контактные площадки, (3) - зонды, (4) - внешние границы формирующего и армирующего колец, (5) - внутренняя граница формирующего кольца, (6) - ломанная и (7) - скругленная внутренние границы армирующего кольца, (8) - О - центр кристалла, (9) - А - наиболее удаленная точка от центра кристалла. Внутренний радиус формирующего кольца определяется длиной отрезка OA. Технология изготовления ЖЗГ по предлагаемому способу отличается от стандартной наличием дополнительной операции приклейки зондов к армирующему кольцу. Для этого ЖЗГ переворачивают на 180° зондами вверх и приклеивают их к выступающей от формирующего кольца внутренней части армирующего кольца.

При использовании данного способа могут быть оперативно изготовлены ЖЗГ необходимого качества практически для любого расположения контактных площадок на кристаллах БИС с сохранением одинаковой длины вылета контактирующих зондов.

Способ сборки жесткой зондовой головки, предназначенной для электрического соединения контактных площадок БИС со схемой измерения, заключающийся в сборке жесткой зондовой головки с использованием формирующего и армирующего колец, отличающийся тем, что форма внутренней границы армирующего кольца определяется ломанной кривой, соединяющей точки на каждом зонде, находящемся на равноудаленном расстоянии от точки касания зондом контактной площадки, а внутренний радиус формирующего кольца равен наибольшему расстоянию от центра армирующего кольца.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к многопереходному солнечному элементу. Сущность: многопереходный солнечный элемент (MJ) в форме стопки, который включает стопку (ST), состоящую из самого нижнего субэлемента (С1), по меньшей мере одного среднего субэлемента (С2) и самого верхнего субэлемента (С3), причем каждый из субэлементов (C1, С2, С3) имеет эмиттер (E1, Е2, Е3) и базу (B1, В2, В3), по меньшей мере самый верхний субэлемент (С3) состоит из III-V-полупроводникового материала или включает III-V-полупроводниковый материал и эмиттер (Е3) самого верхнего субэлемента (С3) включает сверхрешетку (SL).

В конкретных вариантах осуществления изобретения частицы (100) печатают с образованием участков на подложке (300). Каждая область поверхности подложки имеет участок с частицами (102), подвергнутыми восстановительной обработке, и участок с частицами (103), подвергнутыми окислительной обработке, при этом эти участки имеют фотогальваническую активность противоположной полярности.

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в изготовлении матричных фоточувствительных элементов (МФЧЭ) на квантовых ямах (QWIP). Способ формирования меза-элементов матричных фоточувствительных элементов на квантовых ямах включает ионное травление аргоном, при этом осуществляют ионное травление аргоном структур из чередующихся слоев AlxGa1-xAs при x=0,27 и слоев квантовых ям из GaAs:Si до нижнего контактного слоя GaAs n+, при этом время, необходимое для ионного травления указанных структур с известными значениями толщин слоев на требуемую глубину, определяют как сумму времени ионного травления слоев квантовых ям GaAs:Si и слоев AlxGa1-xAs при x=0,27, определяемых по известным значениям скорости травления этих слоев.

Изобретение относится к автономным энергетическим системам, предназначенным для электроснабжения объектов, удаленных от централизованных электрических сетей. Техническим результатом является повышение обеспечения потребителей электроэнергией с необходимой мощностью при любых температурах в периоды отсутствия или недостатка генерации электроэнергии от фотоэлектрической батареи и ветроустановки.

Изобретение может быть использовано в оптических элементах из оптической керамики для коммутации элементов электрических схем оптико-электронных приборов, в том числе космического назначения, создания контактных электродов и электрообогрева входных окон из оптической керамики. Электропроводящее покрытие содержит нанесенные на подложку из керамики адгезионный, токопроводящий и контактный слои.

Настоящее изобретение относится к многопереходному солнечному элементу в форме стопки с передней стороной, контактирующей с задней стороной, имеющему образующую заднюю сторону этого многопереходного солнечного элемента германиевую подложку, германиевый субэлемент и по меньшей мере два субэлемента из элементов III-V групп, следующие друг за другом в указанном порядке, а также по меньшей мере одно сквозное контактное отверстие, доходящее от передней стороны многопереходного солнечного элемента через субэлементы до задней стороны, и проходящий через это сквозное контактное отверстие металлический замыкающийся контакт, причем это сквозное контактное отверстие имеет сплошную боковую поверхность и овальный контур в поперечном сечении, причем диаметр сквозного контактного отверстия ступенчато уменьшается в направлении от передней стороны к задней стороне многопереходного солнечного элемента, причем передняя сторона германиевого субэлемента образует выступающую внутрь в сквозное контактное отверстие, огибающую его первую ступеньку, имеющую первую глубину выступа ступеньки, и при этом образуется выступающая внутрь в сквозное контактное отверстие, огибающая его вторая ступенька, имеющая вторую глубину выступа ступеньки, от области германиевого субэлемента, расположенной ниже р-n перехода этого германиевого субэлемента.

Использование: в области электротехники. Технический результат – обеспечение энергией аэрокосмических электродинамических летательных аппаратов при высоких температурах и воздействии радиации, а также повышение надежности и КПД системы преобразования СВЧ-энергии в постоянный ток.

Предлагается фотоэлектрический модуль с несколькими тонкопленочными (2) фотоэлектрическими элементами. Каждый тонкопленочный фотоэлектрический элемент (2) имеет прозрачный электрод (12), обеспеченный на прозрачной подложке (11), пакет (13) солнечных элементов, расположенных на прозрачном электроде (12), и верхний электрод (14), расположенный на пакете (13) солнечных элементов.

В заявке описан способ пассивирования сквозного отверстия полупроводниковой пластины, который включает по меньшей мере следующие стадии: предоставление включающей несколько стопок солнечных элементов полупроводниковой пластины с верхней стороной и нижней стороной, причем каждая стопка солнечных элементов включает германиевую подложку, образующую нижнюю сторону полупроводниковой пластины, германиевый частичный элемент и по меньшей мере два III-V-частичные элемента в указанной последовательности, а также по меньшей мере одно проходящее от верхней стороны до нижней стороны полупроводниковой пластины сквозное отверстие со сплошной боковой стенкой и овальным поперечным сечением, и нанесение диэлектрического изолирующего слоя на верхнюю сторону полупроводниковой пластины, нижнюю сторону полупроводниковой пластины и боковую стенку сквозного отверстия, осуществляемое посредством химического газофазного осаждения.

Изобретение относится к композиции краски для впечатывания, пригодной для впечатывания в структурированную поверхность эластомерного штампа. Композиция краски для впечатывания содержит наночастицы оксида переходного металла.

Изобретение относится к массивам концентраторов солнечной энергии и, в частности, к системам и способам терморегулирования массивов концентраторов солнечной энергии. Раскрыта система терморегулирования для управления температурой селективно отражающей панели. Система терморегулирования включает в себя массив концентраторов солнечной энергии, датчик температуры и контроллер. Массив концентраторов солнечной энергии расположен в селективно отражающей панели и имеет множество отражателей, размещенных в группах отражателей. Датчик температуры отслеживает температуру селективно отражающей панели в месте расположения датчика температуры. Контроллер отслеживает локальную температуру селективно отражающей панели с использованием датчика температуры и исходя из этого формирует сигнал управления, отправляемый на массив концентраторов солнечной энергии. Сигнал управления управляет массивом концентраторов солнечной энергии для размещения выбранного количества отражателей на массиве концентраторов в отводящем положении исходя из отслеживания, осуществляемого датчиком температуры, при этом выбранное количество отражателей определено для управления локальной температурой селективно отражающей панели. Технический результат - повышение эффективности управления локальной температурой селективно отражающей панели. 2 н. и 18 з.п. ф-лы, 14 ил.
Наверх