Материал для терморезистора

Изобретение относится к электронной техники и может быть использовано для изготовления датчиков температуры в измерительных системах и устройств регулирования и управления. Повышение чувствительности терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, работающих при низких температурах 100-300° Кельвин, является техническим результатом изобретения, который достигается за счет того, что материал терморезистора с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления выполнен путем смешивания исходных компонентов оксида свинца PbO и оксида марганца Mn2O3, взятых в пропорции 6 частей PbO и 7 частей Mn2O3, с последующим обжигом смеси при температуре 950°С в течение 4 часов. 1 ил.

 

Изобретение относится к электронной техники и может быть использовано для изготовления датчиков температуры в измерительных системах и устройств регулирования и управления. Изобретение служит для создания терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления работающих при низких температурах 100-300° Кельвина.

Известен широкий класс терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом (см. Шашков А. Г., Терморезисторы и их применение. М.: «Энергия», 1967. Стр. 296-301), рабочий диапазон которых ограничен температурой -60° -+100°С. Что является определенным недостатком.

Предлагаемое изобретение направлено на решение технической задачи по устранению этого недостатка, а именно, на создание материала, позволяющего получить терморезисторы с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления работающих при низких температурах 100-300° Кельвина и хорошей температурной зависимостью.

Технический результат достигается тем, что материал терморезистора с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, включающий твердый раствор оксидных соединений с марганцем, отличающийся тем, что материал получают путем смешивания исходных компонентов оксида свинца PbO и оксида марганца Mn2O3, взятых в пропорции 6PbO и 7Mn2O3, после чего смесь перетирают в среде этилового спирта, сушат и обжигают при температуре 950°С в течение 4 часов.

Указанные признаки являются существенными и совокупность этих признаков достаточна для получения требуемого технического результата.

Материал на основе манганата свинца получают путем смешивания исходных компонентов оксида свинца и оксида свинца, взятых в пропорции, отвечающей химической формуле 6PbO7Mn2O3. Смесь тщательно перемешивается путем перетирания в среде этилового спирта Высушенная смесь обжигается при температуре 950°С в течение 4 часов. Полученный материал после остывания измельчается в порошок, добавляют пластификатор ПВС после чего формируются таблетки диаметром 10 мм и толщиной 1-2 мм пол давлением 100-150 кГ/м2. Полученные таблетки спекают при температуре 950°С в течение 4 часов.

На Фиг. 1 показана полученная зависимость проводимости данного материала от температуры.

Материал терморезистора с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, включающий твердый раствор оксидных соединений с марганцем, отличающийся тем, что материал получают путем смешивания исходных компонентов оксида свинца PbO и оксида марганца Mn2O3, взятых в пропорции 6PbO и 7Mn2O3, после чего смесь перетирают в среде этилового спирта, сушат и обжигают при температуре 950°С в течение 4 часов.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области электротехники, а именно к высокоэффективному способу изготовления наноструктурированных полупроводниковых материалов на основе фаз со структурой перовскита, содержащих катионы иттрия, бериллия, бария и меди с различной плотностью, необходимых для терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления.

Изобретение относится к способам получения варисторной керамики и может быть использовано в электроэнергетике при изготовлении высоковольтных варисторов, являющихся основным элементом нелинейных ограничителей перенапряжения. Высоковольтная оксидно-цинковая варисторная керамика содержит оксиды цинка, висмута, сурьмы, алюминия, кобальта и никеля в следующем количественном соотношении, мас.

Изобретение относится к области электротехники, в частности к разработке и изготовлению терморезисторов. .

Изобретение относится к области электротехники и предназначена для применения в электрических сетях напряжением 3 - 35 кВ с изолированной нейтралью. .

Изобретение относится к резисторам, а именно тонкопленочным терморезисторам. .

Изобретение относится к области радиоэлектронной техники и может быть использовано для изготовления терморезисторов (ТР) с отрицательным ТКС различного конструктивного исполнения и функционального назначения. .

Изобретение относится к электронной технике, а именно к пленочным терморезисторам. .

Изобретение относится к электронной технике, в частности к производству терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, и может быть использовано для ограничения пусковых токов ламп накаливания. .

Изобретение относится к термометрии, а именно к датчику температуры, и может быть использовано в криогенной технике: криоэлектронике, криоэлектротехнике, криомедицине, а также в других отраслях народного хозяйства, где необходимо измерение низких температур. .
Наверх