Способ электрического инициирования реакции самораспространяющегося высокотемпературного синтеза в многослойной реакционной энергетической фольге

Изобретение относится к области использования материалов в виде многослойных реакционных энергетических фольг с эффектом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза (СВС). Цель изобретения - разработка способа электрического инициирования СВС реакции путем пропускания тока через присоединенные к поверхности многослойной реакционной энергетической фольги контакты. Причем инициирование СВС реакции должно осуществляться от слаботочного источника напряжения, например от заряженного конденсатора. Технический результат достигается за счет формирования на поверхности реакционной энергетической фольги фоторезистивной маски как минимум с двумя отверстиями. Отверстия заполняются токопроводящим клеем. К каплям клея приклеиваются электроды, которые служат для подвода тока к поверхности фольги. Электроды могут быть в виде тонких проводов (0,1-0,2 мм), или тонких медных полосок (до 0,1 мм). Токопроводящий клей заполняет отверстие диаметром d и длиной l (толщина фоторезистивной маски), при этом после сушки и полимеризации клея получается встроенный в фоторезист цилиндрический резистор с выводами в виде двух электродов (проводов, медных полосок). 7 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл.

 

Изобретение относится к области использования материалов в виде многослойных реакционных энергетических фольг с эффектом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза (СВС) и может найти применение для инициирования СВС реакции в таких фольгах, используемых в энергетических воспламенителях, локальных источниках тепла и т.п.

Многослойная реакционная энергетическая фольга представляет из себя чередующиеся нанослои материалов (например, Ni/Al, Ti/Al, Pd/Al) с общим количеством в несколько тысяч штук. Чередующиеся нанослои называются бислоем. Толщина бислоя обычно составляет (10-100) нм. Фольга может быть, как закреплена на подложке, на которую осаждаются чередующиеся нанослои материалов, так и в виде свободно стоящей (т.е. отделенной от подложки) фольгой. Общая толщина фольги может составлять десятки мкм. Суть процесса СВС в следующем - при воздействии на край фольги локального импульса энергии (от источника постоянного тока или от пламени свечи, или от пятна лазерного излучения) происходит вспышка фольги и по ее объему распространяется так называемый фронт безгазового горения со скоростью (2-10) м/с. Температура фольги повышается до 1350°С-1500°С (для фольги Ni/Al) в течение долей секунд с выделением значительного количества тепла.

Известен способ электрического инициирования СВС реакции путем точечного касания электродами, присоединенных к источнику тока, к поверхности многослойной реакционной энергетической фольги. При этом в момент касания возникает искровой разряд, приводящий к локальному нагреву в точке касания и возникновению СВС реакции [1, 2, 3]. Достоинство способа - для инициирования СВС реакции применимы источники тока с небольшим напряжением и малыми значениями тока. Достаточно [3] источника тока с параметрами 10 A и 5 В. Недостаток такого способа - невозможность его применения в тех случаях, где касание электродами фольги физически невозможно. Например, когда многослойная реакционная энергетическая фольга находится в закрытом герметичном корпусе, в котором процедуру касания провести затруднительно.

Наиболее близкими аналогами к заявляемому способу является способ электрического инициирования СВС реакции с помощью омического нагрева путем постоянного прижатия электродов к поверхности многослойной реакционной энергетической фольги [2, 3]. При пропускании тока происходит локальный разогрев реакционной энергетической фольги между прижатыми электродами до температуры при которой начинается СВС реакция. В [2] показано, что для инициирования СВС реакции при диаметре электродов 27 мкм необходима плотность тока 2⋅106 А/см2 а при диаметре электродов 54 мкм - 0,36⋅106 А/см2. На рис. 2 [2] показано, что воспламенение многослойной энергетической реакционной фольги происходит при токе 150 А при длительности воздействия тока в 50 мкс. При увеличении бислоя Ni/Al с 50 нм до 100 нм плотность тока, необходимая для зажигания фольги (инициирования СВС реакции), увеличивается с 2⋅106 А/см2 до 4,5⋅106 А/см2. Этот способ можно использовать при нахождении реакционной фольги в закрытом объеме, заранее разместив электроды на поверхности фольги. Недостатками этого способа являются: 1 - требуются большие токи [3] для инициирования СВС реакции (для диаметра контакта 15 мкм, ток составляет (100-120) А, а для диаметра контакта 300 мкм ток составляет (250-300) А, что в ряде случаев неприемлемо; 2 - требуются мощные источники питания; 3 - большие габариты узлов крепления электродов к поверхности фольги; 4 - низкая надежность в местах контактирования электродов с поверхностью реакционной энергетической фольги из-за возможного нарушения контактов связанного с хрупкостью реакционной энергетической фольги.

Цель изобретения - разработка способа электрического инициирования СВС реакции путем пропускания тока через присоединенные к поверхности многослойной реакционной энергетической фольги контакты. Причем инициирование СВС реакции должно осуществляться от слаботочного (до нескольких десятков ампер) источника напряжения, например, от заряженного конденсатора. При этом подводящие ток к фольге электроды должны иметь надежное механическое крепление, не приводящее к механическому разрушению хрупкой фольги.

Эта цель достигается следующим образом. На поверхности реакционной энергетической фольги формируется методами фотолитографии фоторезистивная маска, как минимум с двумя отверстиями. Отверстия заполняются токопроводящим клеем. К каплям клея, располагаемым на поверхности фоторезистивной маски, приклеиваются электроды, которые служат для подвода тока к поверхности фольги. Электроды могут быть в виде тонких проводов (0.1-0.2 мм), или тонких медных полосок (до 0.1 мм). Токопроводящий клей заполняет отверстие диаметром d и длиной l (толщина фоторезистивной маски) при этом после сушки и полимеризации клея получается встроенный в фоторезист цилиндрический резистор с выводами в виде двух электродов (проводов, медных полосок). Режимы отверждения, используемого токопроводящего клея приведены в технической документации на конкретную марку клея. Одной из контактных площадок резистора является поверхность многослойной реакционной энергетической фольги, а другой контактной площадкой - электрод, прикрепленный к капле клея на поверхности фоторезистивной маски. Резистор имеет следующее сопротивление: R=ρl/s, где ρ - удельное объемное сопротивление токопроводящего клея, l - длина цилиндрического резистора, равная толщине фоторезистивной маски, s - площадь сечения резистора, s=πd2/4. Контактные площадки - подводящие электроды резистора имеют сопротивление намного меньше, чем сопротивление встроенного в фоторезистивную маску резистора из токопроводящего клея. Так, например, для резистора на основе токопроводящего клея марки ЭЧЭ-С, длиной 1 мкм и диаметром 100 мкм, измеренное среднее сопротивление составляет 0,8 Ом, а для резистора с диаметром 200 мкм, измеренное среднее сопротивление составляет 0,6 Ом. Эти сопротивления в сотни раз больше сопротивления контактов резистора (фольги и подводящих электродов). Токопроводящие клеи представляют собой композицию на основе эпоксидной смолы с добавлением пластификатора, наполнителя (мелкодисперсное серебро) и отвердителя. При приложении напряжения U ток I пойдет как через фольгу, так и через резисторы из токопроводящего клея и на резисторах выделится мощность P=I2R, где I=U/R. Результаты экспериментов показали, что столбик клея в отверстии фоторезистивной маски имеет сферическую форму в месте касания с поверхностью фольги. В месте касания образуется локальное повышенное сопротивление встроенного цилиндрического резистора, что способствует увеличению локальной энергии в виде выделяющегося тепла в этой точке при прохождении тока через этот резистор. Сферическая форма столбика клея в отверстии формируется при сушке и полимеризации токопроводящего клея за счет сил внутреннего натяжения. Прикладываемое напряжение и геометрические размеры резисторов (длина резистора, диаметр резистора) экспериментально подбираются таким образом, чтобы напряжения заряженного конденсатора до 25 В емкостью до 470 мкФ хватило для вспыхивания резистора в результате которого он перегорает. При вспышке образуется локальная температура, достаточная для воспламенения многослойной реакционной энергетической фольги и инициирования СВС реакции. Для получения требуемого сопротивления резисторов из токопроводящего клея под каждым токоподводящим электродом формируется от одного до нескольких (2 и более) резисторов. Это также способствует повышению надежности крепления электродов к поверхности фольги. Один ряд отверстий делается с размерами больше, чем размеры другого ряда отверстий. В большие отверстия наносится токопроводящий клей и приклеивается электрод для подводки напряжения к поверхности фольги (это низкоомный контакт). Диаметр больших отверстий и их количество подбирается таким образом, чтобы сопротивление токопроводящего клея в этих отверстиях было близко с сопротивлению фольги (в десятки раз меньше сопротивления токопроводящего клея в маленьких отверстиях 200 мкм и менее). Это делается для того, чтобы выделяемая от пропускаемого тока мощность концентрировалась на одном ряде встроенных резисторов из токопроводящего клея. Тем самым для инициирования СВС реакции в фольге потребуется источник тока с мощностью примерно в два раза меньшей, чем при использовании двух рядов встроенных резисторов с одинаковыми номиналами сопротивлений. Токопроводящие клеи имеют, как правило, низкую прочность на отрыв при приклейке проводов, поэтому дополнительно выводы могут быть прикреплены к поверхности фольги при помощи обычных непроводящих ток клеев типа ВК-9, К-400 и др. Длина резистора выбирается равной толщине пленки фоторезиста и составляет 1.0±0.1 мкм. Это типичная толщина фоторезиста, используемая при изготовлении интегральных схем. При более высоких значениях толщины увеличивается длина резистора и образующаяся зона теплоты при сгорании резистора будет находится на большем расстоянии от поверхности реакционной энергетической фольги, тем самым СВС реакция может не происходить. При меньшей толщине пленки фоторезиста снижается его механическая прочность и уменьшается сопротивление встроенного резистора, что потребует увеличения силы тока для инициирования вспышки резистора, или для сохранения заданного сопротивления потребуется уменьшения диаметра резистора (диаметра отверстий в пленке фоторезиста), что приведет к снижению количества тепловой энергии прикладываемой к поверхности фольги. Вместо фоторезистивной пленки может быть использована также тонкая диэлектрическая пленка, например, из оксида алюминия, двуокиси кремния, моноалюмината неодима и т.п., в которой методами фотолитографии формируются необходимые отверстия. Однако это увеличивает трудоемкость изготовления встроенных резисторов из-за увеличения количества операций по формированию диэлектрической маски. В качестве токопроводящих клеев может быть использовано большое количество различных марок, выпускаемых АО «НИИЭМ», например, ТОК-1, ТОК-2, ЭЧЭ-С, ЭПЭ, ТПК-1С, Ирпол-5, КПС-1.

Предложенный способ электрического инициирования СВС реакции приведен на фиг. 1 (а, б). Здесь: 1 - многослойная реакционная энергетическая фольга; 2 - подводящие ток провода; 3 - капля токопроводящего клея на поверхности фоторезистивной маски 4; 4 - фоторезистиная маска; 5 - резистор на основе токопроводящего клея. На фиг. 2 показан фрагмент А, приведенный на фиг. 1, - конструкция резистора на основе токопроводящего клея. Здесь: d - диаметр резистора; l - длина резистора; 6 - сферическая поверхность в месте касания резистора поверхности фольги, остальные обозначения такие же, как и на фиг. 1.

Работоспособность предложенного способа подтверждается следующими примерами конкретного исполнения.

Была использована многослойная реакционная энергетическая фольга Al/Ni, толщиной 40 мкм, на которой методами фотолитографии формировалась фоторезистивная маска из фоторезиста ФП-383 толщиной 1,0±0.1 мкм. В фоторезистивной маске формировался ряд отверстий по 4 шт. с диаметром 2 мм и параллельно этому ряд отверстий по 2 шт. с диаметром 0,1 мм и 0,2 мм. Отверстия заполнялись токопроводящим клеем ЭЧЭ-С. Над отверстиями создавались бугорки из токопроводящего клея, к которым приклеивались медные полоски 3×5 мм, толщиной 0,035 мм. Клей сушился при температуре 100°С в течение 4 часов. К медным полоскам предварительно припаивались провода для подводки электрического тока. Сопротивление токопроводящего клея в 4 отверстиях диаметром 2 мм составляло (0.04-0,06) Ом, а сопротивление токопроводящего клея в двойных отверстиях (0,1-0,2) мм составляло от 0,4 Ом до 0,3 Ом, т.е. в (5-10) раз выше. Сопротивление участка фольги между отверстиями составляло 0,002 Ом и при прохождении по нему тока выделяемая мощность была незначительной. Также выделяемая мощность была незначительной и в месте присоединения электрода к отверстиям диаметром 2 мм, заполненных токопроводящим клеем. Для увеличения механической прочности на отрыв электроды для подвода электрического тока, дополнительно прикрепляются к поверхности фоторезистивной пленки непроводящим ток клеем.

Инициирование СВС реакции производилось от заряженных конденсаторов емкостью 200 мкФ и 470 мкФ. При прохождении тока по цепочке: подводящий провод-электрод-токопроводящий клей в отверстиях 2 мм - реакционная фольга между отверстиями - токопроводящий клей в отверстиях (0,1-0,2) мм - электрод-подводящий провод, наибольшая мощность согласно формуле, P=I2R выделялась на встроенных резисторах в отверстиях (0,1-0,2) мм. При подаче напряжения от заряженного конденсатора встроенные резисторы перегорали от проходящего через них тока, при этом выделялось локальное тепло достаточное для инициирования СВС реакции (происходил локальный термический нагрев). Результаты экспериментов приведены в таблице.

Из таблицы следует, что СВС реакция уверенно инициируется от заряженного конденсатора емкостью 470 мкФ при напряжении (10-15) В и от заряженного конденсатора емкостью 200 мкФ при напряжении (20-25) В. Ток от разряда конденсатора варьировался в пределах (15-50) А в зависимости от сопротивления встроенного резистора из токопроводящего клея. Такие токи проходили через встроенные резисторы в течение 50-100 мкс, что было достаточно для инициирования СВС реакции в многослойной энергетической фольге. По сравнению с прототипом требуются в (5-10) раз меньшие значения тока для инициирования СВС реакции.

Диаметр встроенных резисторов выбирался в диапазоне (0,1-0,2) мм. При диаметре меньше 0,1 мм хотя сопротивление встроенного резистора и увеличивалось, но при этом уменьшалась прочность соединения подводящих ток электродов при помощи токопроводящего клея. При меньшем диаметре также трудно заполнить отверстие токопроводящим клеем из-за низкой его текучести. При использовании токопроводящего клея с высокой текучестью возможно уменьшение диаметра отверстий в фоторезистивной пленке до единиц мкм. Диаметр отверстий, в которых формируются резисторы из токопроводящего клея, и их количество под каждым из подводящих ток электродов, выбирается экспериментально из условий, предъявляемых к толщине реакционной энергетической фольги, к величине прикладываемого электрического напряжения и тока, проходящего через резисторы, к удельному объемному сопротивлению токопроводящего клея, достаточных для нагрева и вспыхивания резисторов и инициирования СВС реакции.

При диаметре больше 0,2 мм сопротивление встроенного резистора уменьшалось и выделяемой на нем мощности от заряженного конденсатора емкостью до (200-470) мкФ было недостаточно для инициирования СВС реакции. Возможно увеличение емкости конденсатора до десятков тысяч мкФ с целью увеличения разрядного тока, но при этом существенно увеличиваются габаритные размеры конденсатора, что в ряде случаев неприемлемо. Нами для инициирования СВС реакции использовались малогабаритные танталовые конденсаторы. Танталовые конденсаторы выпускаются в виде ЧИП компонентов с размерами: 7,3×4,3 мм - 470 мкФ 16 В, и 6,0×3,2 мм - 100 мкФ 25 В и при параллельном соединении 6,0×6.2 мм - 200 мкФ 25 В. Такие конденсаторы подходят для создания миниатюрных устройств с использованием многослойной реакционной энергетической фольги.

Источники информации

1. Е. Ma, C.V. Thompson, L.A. Clevenger, K.N. Tu, Self-propagating explosive reactions in Al/Ni multilayer thin films, Appl. Phys. Lett. 57, 1990, 1262-1264.

2. Gregory M. Fritz and all. Thresholds for igniting exothermic reactions in Al/Ni multilayers using pulses of electrical, mechanical, and thermal energy. Journal of Applied Physics, 113, 014901 (2013).

3. www.indium.com/nanofoil/nanofoil user guide

1. Способ электрического инициирования реакции самораспространяющегося высокотемпературного синтеза (СВС) в многослойной реакционной энергетической фольге, включающий операции локального термического нагрева фольги при пропускании тока через металлические зонды, соприкасающиеся с ее поверхностью, отличающийся тем, что локальный термический нагрев фольги осуществляют за счет резисторов, встроенных в отверстия диэлектрической пленки, расположенной на поверхности фольги, через которые пропускают ток через электроды присоединенные к резисторам, достаточный для нагрева и перегорания резисторов и приводящего к локальному термическому нагреву и инициированию СВС реакции.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве материала резисторов используют отвержденный токопроводящий клей.

3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве диэлектрической пленки используют пленка из фоторезиста со сквозными отверстиями под расположение токопроводящего клея, образующего встроенный резистор.

4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что длина резисторов выбирают в диапазоне 1,0±0.1 мкм.

5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на поверхности фоторезистивной пленки в местах отверстий создают бугорки из отвержденного токопроводящего клея, к которым приклеиваются электроды для подвода электрического тока.

6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что электроды для подвода электрического тока дополнительно прикрепляют к поверхности фоторезистивной пленки непроводящим ток клеем.

7. Способ по п. 1, отличающийся тем, что диаметр отверстий, в которых формируют резисторы из токопроводящего клея, и их количество под каждым из подводящих ток электродов выбирают экспериментально из условий, предъявляемых к толщине реакционной энергетической фольги, к величине прикладываемого электрического напряжения и тока, проходящего через резисторы, к удельному объемному сопротивлению токопроводящего клея, достаточных для нагрева и вспыхивания резисторов и инициирования СВС реакции.

8. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в месте касания встроенного резистора к поверхности многослойной реакционной энергетической фольги формируют контакт со сферической формой поверхности при сушке и полимеризации токопроводящего клея.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области технологии создания наноструктурированных материалов для сверхчувствительной диагностики состава и строения органических веществ методом SERS-спектроскопии. Для изготовления SERS-активной подложки получают шаблон, представляющий собой полимерную пленку толщиной 10-20 мкм с массивом сквозных, по существу, одинаковых цилиндрических каналов диаметром 20-2000 нм, поверхностной плотностью 105-109 см-2.

Изобретение относится к области производства электроники последнего поколения, а именно к способам соединения МОП-компонентной базы на основе кристаллов типа А3В5 с помощью реакционных многослойных фольг. Способ неповреждающего поверхностного монтажа кристаллов кремния или кристаллов типа А3В5 методом использования СВС-фольги, нанесенной в форме металлизирующего многослойного наноструктурированного покрытия на поверхности этих кристаллов, заключается в формировании многослойного наноструктурированного покрытия толщиной 30-100 мкм, состоящего из чередующейся пары материалов, способных вступать друг с другом в реакцию самораспространяющегося высокотемпературного синтеза и выбранных из никеля, алюминия, меди, ниобия, кобальта, титана, молибдена, тантала, углерода, кремния, бора, азота, при этом толщина каждого слоя 2-20 нм при условии металлизации поверхности, предназначенной для размещения кристалла, легкоплавким металлом с температурой плавления не выше 180°С и способным обеспечить смачиваемость поверхности многослойной наноструктуры, с последующим осуществлением фиксации и прижима соединяемых поверхностей, с последующей инициацией СВС-реакции посредством кратковременного энергетического импульса.

Использование: для изготовления СВЧ–гибридных интегральных микросхем космического назначения с многоуровневой коммутацией на основе органического диэлектрика. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления СВЧ–гибридной интегральной микросхемы с многоуровневой коммутацией на основе органического диэлектрика включает изготовление многослойной платы с чередованием слоев с металлизированным рисунком и слоев органического диэлектрика с последующим монтажом кристаллов, перед которым проводят термическую обработку.

Изобретение относится к подложке матрицы и способу ее изготовления. Способ изготовления подложки матрицы включает: осаждение проводящего слоя на подложку и применение первой маски для травления проводящего слоя с формированием трех электродов тонкопленочного транзистора, первой сигнальной линии и второй сигнальной линии, причем первая сигнальная линия содержит первую часть и вторую часть, разделенные и расположенные с каждой стороны второй сигнальной линии, последовательное осаждение промежуточных слоев и применение второй маски при травлении промежуточных слове с формированием первой соединительной перемычки, соединяющей первую часть и вторую часть, осаждение проводящего электрода и применение третьей маски при травлении проводящего электрода с формированием электрода пикселя и соединительной линии, электрически соединенной с первой частью и второй частью.

Использование: для изготовления пиксельного блока с тонкопленочным транзистором из низкотемпературного поликристаллического кремния. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления пиксельного блока с тонкопленочным транзистором из низкотемпературного поликристаллического кремния содержит: подготовку подложки и формирование буферного слоя на подложке; формирование слоя полупроводниковой структуры и первого изоляционного слоя, имеющих одинаковую толщину, и с расположением их в одном и том же слое; причем этап формирования буферного слоя на подложке включает этап: на подложке последовательно формируют слой нитрида кремния и слой оксида кремния; этап формирования на буферном слое слоя полупроводниковой структуры и первого изоляционного слоя, расположенных в одном и том же слое и имеющих одинаковую толщину, включает этапы, на которых: формируют аморфный кремниевый слой на буферном слое и осуществляют процесс кристаллизации аморфного слоя для формирования поликристаллического кремниевого слоя; структурируют аморфный кремниевый слой с помощью первого процесса фотолитографии для формирования слоя полупроводниковой структуры; формируют слой нитрида кремния, толщина которого совпадает с толщиной слоя полупроводниковой структуры, на слое полупроводниковой структуры и буферном слое там, где не сформирован слой полупроводниковой структуры; наносят негативный фоторезист на слой нитрида кремния в местах, не совпадающих с расположением слоя полупроводниковой структуры; структурируют слой нитрида кремния с помощью второго процесса фотолитографии; далее травят слой нитрида кремния на слое полупроводниковой структуры, чтобы травлением удалить слой нитрида кремния со слоя полупроводниковой структуры для формирования первого изоляционного слоя, толщина которого совпадает с толщиной слоя полупроводниковой структуры на обоих краях слоя полупроводниковой структуры.

Предлагаются способ изготовления и оборудование для изготовления подложки тонкопленочных транзисторов. В способе изготовления после формирования затвора и изолирующего слоя затвора тонкопленочного транзистора последовательно наносятся полупроводниковый слой и первый защитный слой.

Подложка матрицы тонкопленочных транзисторов включает область расположения электродов пикселей, область расположения электродов данных, прозрачный слой электродов пикселей, сформированный в области расположения электродов пикселей, первый металлический слой, первый диэлектрический слой, слой аморфного кремния, второй металлический слой, второй диэлектрический слой, сформированные в области расположения электродов пикселей и области расположения электродов данных.

Изобретение относится к производству радиоэлектронной аппаратуры. Технический результат - повышение надежности металлокерамических плат (МКП) в области межслойных переходов, уменьшение размеров последних и повышение плотности их размещения в МКП - достигается заполнением переходных отверстий путем покрытия стенок переходных отверстий слоем низковязкой металлизационной пасты с последующим заполнением отверстий с металлизированными стенками высоковязкой металлизационной пастой, благодаря чему предотвращается разрушение МКП в процессе температурной обработки.

Изобретение относится к технологии производства многокристальных модулей, микросборок с внутренним монтажом компонентов. Технический результат - уменьшение трудоемкости изготовления, расширение функциональных возможностей и повышение надежности микроэлектронных узлов.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при создании мощных гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона многоцелевого назначения. Технический результат - улучшение электрических характеристик за счет улучшения теплоотвода, повышение технологичности при сохранении массогабаритных характеристик.
Наверх