Способ получения электропроводящих и диэлектрических тонких пленок
287494
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства ¹â€”
1:,л, 48Ь, 17/00
Заявлено 03.Х.!966 (Л - 1105505/22-1) с присоединением заявки №вЂ”
Приоритет
Опубликовано 19.Х!.1970. Бюллетень ¹ 35
Дата опубликова гия описания 15.1.1971
МП К С 23с 17/00
УДК 621.793.14(088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
Лвторы изобретения
Е. T. Кучеренко и В. A. Саенко
Заявитель
Киевский ордена Ленина Государственный университет им. Т. Г. Шевченко
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩИХ
И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ТОНКИХ ПЛЕНОК
Изобретение относится к способу получения электропроводящих и диэлектрических пленок в вакууме.
Известен способ получения тонких пленок электропроводящих веществ путем испарения и ионизации паров осажденного вещества электронным пучком в вакууме с последующей конденсацией нейтралов и ионов на подложке, находящейся под высоким отрицательным потенциалом. Однако пленки, полученные по известному способу, обладают неудовлетворительным сцеплением с поверхностью подложки.
Для увеличения ионизации паров рабочего вещества и улучшения адгезии пленок с поверхностью подложки IIQ предлагаемому способу испарение и ионизацию рабочего вещества осуществляют в продольном магнитном и поперечном по отношеншо к электронному пучку электрическом полях.
Схема, иллюстрирующая предложенный способ, представлена на чертеже.
Здесь ЭП вЂ” электронная пушка; 1 — подложкодержатель с напыляемой пленкой; 2— электронный пучок; 8 — поток паров и ионов;
4 — магнитный экран, защищающий электронную .пушку от продольного магнитного поля
Н; 5.— стенки камеры иоИизации (анод); б — стержень испаряемого вещества; Н. — вспомогательное поперечное магнитное поле.
Магнитный экран заземлен; потенциал стенок разрядной камеры 200 в, потенциал подложкодержателя равен 5 кв; напряжение продольного магнитного поля Н, возрастает в области расположения стержня и составляет
200 э. Напряженность вспомогательного поперечного магш1тного поля H 50 э. Магнитное поле искривляет траектории электронов и увеличивает коэффициент понпзацпп рабочего вещества.
Способ состоит в следующем.
Электронный пучок с источника электронов фокусируется на стержень и в месте попадания доводит его температуру до температуры испарения. На пути к подложке испаряющееся вещество понпзпруется электронным ударом.
20 Электронный пучок взаимодействует с образующейся плазмой, в результате чего развивается пучковоплазменная неустойчивость в скрещенных полях, приводящая к повышению коэффициента ионизации.
Прп давлении паров в разрядной камере
P=5 . 10 ил рт. ст. вспыхивает пучково. плазменный разряд в скрещенных полях, коэффициент в которых может приближаться K
ЗО 100%.
287494
Предмет изобретения
Редактор H. С. Коган Техред Т. П. Курилко,Корректор Г. С. Мухина
Заказ 3914!3 Тираж 480 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Ж-35, Раугпская наб., д. 4/5
Типография пр. Сапунова, 2
Таким образом, к подложке движется поток атомов, ионов и электронов. Ионы внедряются в подложку, образуя центры конденсации и обеспечивает высокую адгезию. Наличие быстрых электронов в разряде обеспечивает нейтрализацию поверхностного заряда ионов при осаждении на диэлектрическую подложку.
Попадание неионизированпых атомов на подложку совместно с ионами обеспечивает высокую скорость осаждения, равную скорости термического испарения.
Способ получения электропроводящих и диэлектрических тонких пленок путем испарения и ионизации паров осажденного вещества электронным пучком в вакууме, с последующей конденсацией паров на подложке, отличаюи ийся тем, что, с целью увеличения ионизации паров и улучшения адгезии пленок с поверхностью подложки, процесс осуществляют в продольном магнитном и поперечном по отношению к электронному пучку электрическом полях.
