Полупроводниковый переключатель

Авторы патента:

H01L29/54 - Полупроводниковые приборы для выпрямления, усиления, генерирования или переключения, а также конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них (H01L 31/00-H01L 47/00,H01L 51/00 имеют преимущество; способы и устройства для изготовления или обработки приборов или их частей H01L 21/00; конструктивные элементы иные чем полупроводниковые приборы или электроды для них H01L 23/00; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированные на одной общей подложке или внутри нее, H01L 27/00; резисторы

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Саюэ Соввтскик

Ссциалистичоскик

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹вЂ”

МПЬ; Н Oll 7/16

Заявлено 19Х1.1969 (№ 1338588/26-25) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет

Опубликовано 26Х11.1971. Бюллетень ¹ 23

Дата опубликования описания 19.Х.1971

Котаитвт по долам иаооретений и открытий при Ссоатв Министров

СССР

УДК 621.382(088.8) Авторы изобретения

Г. А. Юрлова, М. А. Новик и Б. Т. Коломиец г

1Г: . ...i I,Я

Заявитель

1 t

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ

Квантрблы со стеклоуглеродными электродами

Квантролы с графитовыми электродами

10 — 20 в

1,5 — 2,5 в — 1 — 10 мка — 1 — 5 ма

Ъ т 7,5 20 в (пороговое)

Vc 1,5 — 2,5 в (остаточное) т"т — 10 — 15 ма (пробоя)

Ун-1 ма (выключение) Изобретение относится к технологии изготовления квантролов (полупроводниковых переключателей с S-образной симметричной вольт-амперной характеристикой) на основе халькогенидных и оксидных стекол в дискретном исполнении.

Известно, что омические контакты дискретных образцов квантролов выполняются в виде двух графитовых полированных полусфер.

Использование в качестве омических контактов графитов любой марки приводит к нестабельности параметров, понижению напряжения срыва, завышению тока пробоя из-за наличия неизбежной пористости и шероховатости на поверхности графита.

Предлагаемый способ изготовления омических контактов состоит в следующем.

Омические контакты выполняются в виде двух электродов, причем форма нижнего электрода представляет сооой плоскость, а верхнего — полусферу. В качестве материала омических контактов предлагается стеклоуглерод.

Преимущество стеклоуглерода в том, что он обладает зеркальной поверхностью, пористость которого составляет 0,2 — 0,4% по сравнению с пористостью графитов, лучшие марки которого имеют пористость порядка, 8 — 10o/о.

Кроме того, стеклоуглеродные омические контакты можно обезжиривать перед нанесением слоя полупроводникового стекла, что является очень важной операцией.

При использовании омических контактов, выполненных из стеклоуглерода, технология изготовления квантролов следующая: а) стеклоуглеродные электроды тщательно обезжириваются в спирте и обезгаживаются в вакуумной установке; б) на подготовленные электроды, например, вакуумным термическим напылением наносится слой полупроводникового стекла; в) оба, электрода собираются в стеклянный корпус и запаиваются в атмосфере аргона.

Сравнительные параметры квантролов с графитовыми и стеклоуглеродными омическими контактами приведены в таблице.

Предлагаемый квантрол со стеклоуглеродными омическими контактами (электродами) обладает более стабильными вольт-амперны30 ми характеристиками.

291622

Предмет изобретения

Составитель А. Кот

Редактор A. Калашникова Тскред Л. Л, Евдонов Корректор Т. А. Миронова

Заказ 2894/18 Изд. № 1081 Тираж 473 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Я(-35, Раушская наб., д. 4/5

Типографии, пр. Сапунова, 2

Полупроводниковый переключатель на основе халькогенидных и оксидных стекол с омическими контактами, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности работы прибора, омические контакты выполнены из стеклоуглерода.

Полупроводниковый переключатель Полупроводниковый переключатель 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к силовой полупроводниковой технике

Изобретение относится к технологии получения алмаза для использования в электронике

Изобретение относится к электронной технике

Изобретение относится к устройствам для электромагнитного воздействия на биологический объект и может быть использовано в медицине и ветеринарии для изменения биологической активности биологических объектов

Изобретение относится к области электронной техники, в частности к материалам, воздействующим на электромагнитные поля с целью управления ими и их преобразования, и может быть использовано при создании гетероэлектриков с наперед заданными оптическими, электрическими и магнитными характеристиками

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для определения заданного уровня тока в диапазоне от 150 мА и выше

Изобретение относится к области химической технологии высокомолекулярных соединений

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности, к интегральным устройствам, работающим непосредственно от сетевого напряжения 220 В

Изобретение относится к области производства ИС, в частности, к конструированию и технологии высоковольтных ИС на подложке КСДИ
Наверх