Способ механической обработки слитка полупроводникового материала
ОП ИСАН И Е
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
307445
Сова Советских
Социалистических
Республик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Зависимое от авт. свидетельства ¹
Заявлено 13.!!.1970 (№ 1403690/26-25) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 21.VI.1971. Бюллетень ¹ 20
Дата опубликования описания 05Х111.1971
МПК Н 01Е 7/64
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
УДК 621.328.001.3 (088.8) Авторы изобретения
В. М. Долгов, В. В. Савельев и Г. И. Смирнов
Заявитель
СПОСОБ МЕХАНИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ СЛИТКА
ПОЛУПРОВОДHИКОВОГО МАТЕРИАЛА
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов, например фотопреобразователей, где требуется механическая обработка одной стороны кристалла.
Известны способы механической обработки полупроводниковых кристаллов, сущность которых заключается в следующем: монокристаллические слитки, например кремния, германия, арсенида, галлия, представляющие собой стержни определенной длины и диаметра, разрезаются на диски требуемой толщины. После резки диски промывают, сортируют по толщине и параллельности сторон и отправляют на операцию шлифовки и полировки поверхности.
Шлифовку и полировку дисков проводят на прецизионных станках разных типов. Для проведения шлифовки и полировки рассортированные диски наклеивают на головки, устанавливают на станок, шлифуют для обеспечения параллельности сторон. Для снятия нарушенного поверхностного слоя диски подвергают многоразовой полировке с последующим уменьшением зернистости абразивов.
После окончания полировки диски отклеивают и промывают.
Недостатком известного способа является разобщенность операций механической обработки, большие потери на межоперационных процессах и наличие большого процента брака (непараллельность сторон диска вследствие его деформации в процессе шлифовки).
Целью описываемого способа механической обработки полупроводникового материала, например кристаллов, является повышение производительности труда и снижение потери дорогостоящего полупроводникового материала на брак.
Для этого одновременно обрабатывают весь
)p слиток без предварительного резания его на диски. Торец слитка, например кристалла, полируют и затем отрезают диск требуемой толщины, затем поверхность снова полируют и снова отрезают диск, повторяя эти опера15 ции до полного использования длины полупроводникового слитка.
Таким образом ликвидируется операция шлифовки дисков, устраняются вспомогательные операции приклейки дисков, сортировки, 2р промывки после резки, замеров толщины, установки и съема дисков на станки. Кроме того, устраняются напряжения и деформации полируемой поверхности дисков, резко снижаются потери полупроводникового материа25 ла от брака.
Предмет изобретения
Способ механической обработки слитка по30 лупроводникового материала путем резки, 307445
Состав итель В. Гри шин
Техред 3. Н. Тараненко Корректор А. П. Васильева
Редактор Л. Герасимова
Заказ 2160/11 Изд. М 920 Тираж 473 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5
1ипография, пр. Сапунова, 2 отличающийся тем, что, с целью повышения производительности обработки и снижения брака, торец слитка полируют, а затем отре. зают диск требуемой толщины, повторяя полировку и резку до полного использования длины слитка.
